韓國(guó)周一表示，已向SK hynixInc.的120萬億韓元（合1,060億美元）項(xiàng)目的新建項(xiàng)目授予最終批準(zhǔn)，該項(xiàng)目將建設(shè)一個(gè)新的半導(dǎo)體工廠，此舉可緩解全球市場(chǎng)的供應(yīng)短缺。

　　據(jù)韓國(guó)貿(mào)易，工業(yè)和能源部稱，韓國(guó)第二大芯片制造商已經(jīng)SK海力士完成了所有必要的行政程序，以便在首爾以南約50公里的龍仁市建設(shè)該綜合設(shè)施。

　　該聲明是在該公司承諾要建立一個(gè)415萬平方米的工業(yè)集群兩年后獲批的，據(jù)報(bào)道該集群將容納四個(gè)新的半導(dǎo)體制造工廠。據(jù)報(bào)道，SK海力士的約50個(gè)分包商和供應(yīng)商也將搬遷到該區(qū)域。完成后，該集群的月生產(chǎn)能力將達(dá)到80萬片。

　　預(yù)計(jì)該項(xiàng)目將于今年第四季度破土動(dòng)工，預(yù)計(jì)第一座制造廠將于2025年竣工。

　　龍仁將作為DRAM和SK海力士的下一代存儲(chǔ)芯片的基地，而利川市則為80公里首爾以南，將作為研發(fā)和DRAM樞紐。據(jù)SK hynix稱，位于首都以南137公里處的清州將成為NAND閃存芯片中心。

　　韓國(guó)表示，最新的投資有望緩解全球市場(chǎng)的供應(yīng)短缺。該部補(bǔ)充說：“由于芯片產(chǎn)業(yè)是該國(guó)出口的關(guān)鍵支柱，政府將不遺余力地解決整個(gè)項(xiàng)目中的任何潛在問題，以便于今年開始按計(jì)劃開始建設(shè)。”

　　2020年，韓國(guó)芯片出口額達(dá)到991億美元，同比增長(zhǎng)5.6％。該部門占總出貨量的20％。

　　SK 海力士預(yù)測(cè)存儲(chǔ)未來：3D NAND 600 層以上，DRAM 10nm 以下

　　SK海力士CEO李錫熙今日在IEEE國(guó)際可靠性物理研討會(huì)（IRPS）上作了主題演講，講述了SK海力士產(chǎn)品的未來計(jì)劃，分享了一些概念性技術(shù)，比如用EUV光刻生產(chǎn)的DRAM和600層堆疊的3D NAND。

　　目前為止SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176層堆疊的3D NAND，看起來600層還很遙遠(yuǎn)，目前他們還只是在研究這種可能性，在達(dá)到600層堆疊前還需要解決各種問題。SK海力士致力于確蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)高縱橫比，以實(shí)現(xiàn)業(yè)界所需的高密度技術(shù)，此外他們還推出了原子層沉積技術(shù)，以進(jìn)一步改善單元的電荷存儲(chǔ)性能，并在需要時(shí)把電荷放出，同時(shí)開發(fā)新的導(dǎo)電材料讓電荷在一定程度上保持均勻。除此之外為了解決薄膜應(yīng)力問題，控制了薄膜的機(jī)械應(yīng)力水平，并優(yōu)化了單元氧化氮材料。為了應(yīng)對(duì)在有限的高度上堆疊更多電池時(shí)發(fā)生的電池間干擾現(xiàn)象和電荷損失，SK Hynix開發(fā)了隔離電荷陷阱氮化物結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)可靠性。為了對(duì)應(yīng)在有限高度內(nèi)堆疊多層時(shí)發(fā)生的單元間電荷干擾與電荷損失，SK海力士開發(fā)了隔離電荷陷阱氧化物結(jié)構(gòu)，以提高可靠性。

　　在DRAM方面，SK海力士引入了EUV光刻設(shè)備來解決以往DUV光刻的局限性，制程工藝能輕松達(dá)到10nm以下，以此來提升生產(chǎn)效率。當(dāng)然還有問題要解決的，比如為了保持單元電容，他們正試圖改善電介質(zhì)厚度，開發(fā)具有高介電常數(shù)的新材料，并采用新的單元結(jié)構(gòu)。這些單元互連需要盡可能低的電阻，他們正在尋找新一代電極與絕緣材料，并推出新工藝。

　　提議整合CPU及內(nèi)存，另提出CXL內(nèi)存解決方案

　　李錫熙還提出了整合CPU以及內(nèi)存的想法。目前內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在準(zhǔn)從DDR4過渡到DDR5上，后者相比前者可以帶來不少的性能增幅。不過，無論DDR內(nèi)存有多快，與HBM相比在速度上還是要落后不少。這點(diǎn)也是李錫熙認(rèn)為CPU以及內(nèi)存應(yīng)該要合并整合的基礎(chǔ)。

　　他在研討會(huì)上發(fā)表了對(duì)于一套“融合存儲(chǔ)以及邏輯”、更快的存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)的愿景。

　　“高帶寬內(nèi)存的速度提升是通過增加CPU及內(nèi)存之間的通道而來的，而在CPU以及內(nèi)存共同處于同一模塊的近內(nèi)存處理（Processing Near Memory，簡(jiǎn)稱PNM）中，速度提升會(huì)更多。如果更進(jìn)一步的話，在內(nèi)存內(nèi)處理（Processing In Memory，簡(jiǎn)稱PIM）中，當(dāng)CPU以及內(nèi)存都處于單一包裹（package）上的時(shí)候，速度可以獲得更大加的提升。而最終，CPU以及內(nèi)存整合在同一芯片中的內(nèi)存內(nèi)計(jì)算（Computing in Memory，簡(jiǎn)稱CIM）可以讓內(nèi)存速度提升更加多。”

　　圖片來源：三星

　　海力士目前是全球第二大存儲(chǔ)生產(chǎn)商，不過他們并沒有開發(fā)及生產(chǎn)任何諸如CPU的芯片，因此CEO李錫熙呼吁半導(dǎo)體巨頭之間互相合作，形成一個(gè)可以維持CPU及內(nèi)存集成的生態(tài)圈。

　　“只有在消費(fèi)者、供貨商、學(xué)術(shù)界以及政府之間形成合作及共享的開放創(chuàng)新性的戰(zhàn)略合作關(guān)系，我們才可以塑造一個(gè)追求經(jīng)濟(jì)及社會(huì)價(jià)值的新時(shí)代。”

　　另外，李錫熙也提出了一種名為Compute Express Link（CXL）的新標(biāo)準(zhǔn)，它可以與現(xiàn)有的PCIe總線互補(bǔ)。CXL內(nèi)存可以快速且高效地在CPU以及圖形/計(jì)算加速器，或者智能網(wǎng)絡(luò)界面中移動(dòng)數(shù)據(jù)。

　　“CXL內(nèi)存不僅可以擴(kuò)展帶寬以及容量，還可以實(shí)現(xiàn)持久性內(nèi)存的價(jià)值，是一種可以縮小內(nèi)存性能以及行業(yè)要求之間差距的解決方案。”