2021年2月下旬在線上召開了光刻技術(shù)國(guó)際會(huì)議“SPIE Advanced LithographyConference2021”，比利時(shí)的獨(dú)立系半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)——imec和光刻機(jī)巨頭ASML聯(lián)合參加了本次會(huì)議。他們發(fā)表了兩篇論文，展示了NXE:3400的單次曝光圖案能力。NXE:3400是一種數(shù)值孔徑（NA）為0.33的EUV光刻系統(tǒng)，已被安裝在最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線上。

　　具體來說，通過工藝優(yōu)化，使用Inpria的金屬氧化物抗蝕劑（MOx）在一次曝光中實(shí)現(xiàn)了高密度的28納米間距線/空間圖案化，并考慮到了大規(guī)模生產(chǎn)。

　　通過EUV光刻單次圖案化形成的28nm間距L/S圖案。在形成Ru金屬層后，使用Impria的MOx工藝和當(dāng)前的EUV全場(chǎng)掃描儀對(duì)28nm圖案進(jìn)行構(gòu)圖，其NA = 0.33

　　使用NXE：NA = 0.33的3400全場(chǎng)掃描儀獲得的24nm節(jié)距L / S圖案。左邊是顯影后的，右邊是蝕刻后的

　　使用NXE獲得的28nm間距接觸孔；NA = 0.33的3400全場(chǎng)掃描儀。顯影后的SEM圖像

　　該團(tuán)隊(duì)能夠?qū)⒐鈱W(xué)和電子束檢測(cè)與電學(xué)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)，從而進(jìn)一步洞察改善概率缺陷，包括缺陷和電橋。此外，通過對(duì)光源的優(yōu)化，使NXE:3400能夠刻出盡可能小的間距（間距為24 nm的線/空間和間距為28 nm的接觸孔），使下一代高NA EUV光刻系統(tǒng)所需的材料得以盡早開發(fā)。

　　據(jù)imec介紹，EUV光刻技術(shù)已經(jīng)到了一個(gè)關(guān)鍵時(shí)刻，要么轉(zhuǎn)向多圖案化（多次曝光），為下一代IC刻錄更密集的圖案，要么用目前的NA=0.33全場(chǎng)掃描器進(jìn)一步改進(jìn)單圖案化……

　　imec高級(jí)圖案計(jì)劃負(fù)責(zé)人Kurt Ronse說：“與多重曝光相比，單詞曝光具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，并且工藝簡(jiǎn)單得多。” Imec和ASML適用于線條/空間。它證明了28nm間距的單一曝光圖案準(zhǔn)備就緒。這對(duì)應(yīng)于5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵BEOL金屬布線層，接近NXE：3400光刻機(jī)的極限。

　　imec高級(jí)圖案化工藝和材料開發(fā)副總裁Steven Scheer補(bǔ)充說：“除了提高單次曝光EUVL對(duì)大批量生產(chǎn)的限制外，imec和ASML還將提高NXE:3400的NA=0.33的分辨率，并將其應(yīng)用于高NA EUVL工具的早期材料開發(fā)平臺(tái)。作為imec圖案生態(tài)系統(tǒng)的一部分，抗蝕劑、計(jì)量學(xué)和蝕刻工藝開發(fā)之間的聯(lián)系將為加速下一代EUVL的引入提供機(jī)會(huì)，即具有高NA的EXE:5000。除了解釋這項(xiàng)研究的意義外，該公司還希望未來能提供一種高NA電阻成像功能，用于8nm間距以下的圖案化。