近日，搭載驍龍888的終端陸續(xù)上線，不少已經(jīng)下單的小伙伴陸續(xù)反饋設(shè)備續(xù)航翻車的現(xiàn)象，甚至還有不少媒體對(duì)驍龍888的功耗進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果也是如出一轍，發(fā)熱降頻統(tǒng)統(tǒng)翻車。

　　早在驍龍810時(shí)代，驍龍810的發(fā)熱問題導(dǎo)致手機(jī)出現(xiàn)自動(dòng)關(guān)機(jī)，同時(shí)還有觸發(fā)降頻等一系列的問題，因此驍龍芯片被貼上了”火龍“的標(biāo)簽。隨后的驍龍820、821等迭代產(chǎn)品中也出現(xiàn)類似的情況，甚至上一代驍龍865同樣因?yàn)榘l(fā)熱與功耗的問題，不得不讓手機(jī)廠商加大了散熱模塊來控制驍龍的”高溫“。

　　而這一代驍龍888似乎也難逃發(fā)熱和功耗問題，首先設(shè)計(jì)上，驍龍888采用的是”1+3+4“架構(gòu)，包括1顆2.84GHz X1大核，3顆2.4GHz A78中核，以及萬年不變的4顆1.8GHz A55小核，GPU采用的是Adreno 660，雖然在設(shè)計(jì)上都有所升級(jí)，但實(shí)際功耗測(cè)試卻出現(xiàn)翻車情況。

　　根據(jù)某知名科技UP主最新測(cè)試可知，盡管驍龍888的性能有所提升，但功耗壓制出現(xiàn)了大問題，單純X1大核滿載功耗就達(dá)到了3.3W，相比去年同頻的A77高出整整1W，而且驍龍888的多核性能功耗也要比去年驍龍865高出了1.9W，顯然A78中核和A55小核的功耗也很高，即便采用5nm制程工藝也無法壓制高功耗的問題。

　　某知名科技UP主進(jìn)行的功耗測(cè)試（圖源/網(wǎng)絡(luò)）

　　如此來看，上市不久的5nm制程工藝芯片確實(shí)有待推敲，相較于目前仍是主流的7nm制程工藝芯片來說，盡管5nm工藝提升帶來了更強(qiáng)的性能，但在功耗上并沒有做到領(lǐng)先，甚至是落后于上一代。

　　在5G市場(chǎng)上衰退的高通，想要通過驍龍888來穩(wěn)固旗艦市場(chǎng)，可惜翻車的5nm制程讓驍龍888不”香“了，反倒是臺(tái)積電6nm工藝備受矚目，同樣是極紫外光刻（EUV）工藝，但成熟度相比5nm工藝會(huì)更高，從穩(wěn)定性和功耗控制上預(yù)估會(huì)有更好的表現(xiàn)。

　　目前，搭載臺(tái)積電6nm工藝制程的芯片廠商包括有聯(lián)發(fā)科和展銳，即將推出的聯(lián)發(fā)科6nm天璣旗艦芯片或?qū)⒂懈叩年P(guān)注度，很有可能成為今年諸多終端廠商的主推。