11月11日晚，當(dāng)很多普通消費(fèi)者都在抓緊最后的幾個(gè)小時(shí)囤積折扣商品時(shí)，電子產(chǎn)業(yè)的明星企業(yè)中芯國(guó)際發(fā)布了自己的Q3財(cái)報(bào)。
數(shù)據(jù)顯示，雖然處在美國(guó)貿(mào)易限制的危機(jī)陰影下，中芯國(guó)際截止9月底的Q3營(yíng)收卻大漲32．6％，環(huán)比增長(zhǎng)數(shù)據(jù)也達(dá)到15．3％，十余年來(lái)終于歷史性地突破了10億美元大關(guān)，達(dá)到了10．82億美元。與此同時(shí)，其2．56億美元的凈利潤(rùn)，同比漲幅更是達(dá)到了122．7％，環(huán)比增長(zhǎng)數(shù)據(jù)則為85．8％。
凈利增長(zhǎng)主要「功臣」之一竟然是美國(guó)制裁？
不過(guò)，凈利潤(rùn)翻倍增長(zhǎng)的背后，美國(guó)的貿(mào)易限制似乎反倒是主要「功臣」之一。
LOGO圖片來(lái)自中芯國(guó)際
2020年資本開(kāi)支，中芯國(guó)際原計(jì)劃支出67億美元，出于一些不難猜測(cè)的原因，這個(gè)數(shù)據(jù)被下修至59億美元，降幅近12％。這個(gè)變動(dòng)就被認(rèn)為與美國(guó)政府加強(qiáng)對(duì)中芯國(guó)際的出口管制有關(guān)——因?yàn)檫@種管制，中芯國(guó)際無(wú)法購(gòu)買(mǎi)一些業(yè)務(wù)發(fā)展所需的關(guān)鍵設(shè)備，以及上游供應(yīng)鏈供給的一些其他產(chǎn)品，大額的設(shè)備購(gòu)買(mǎi)資本支出下修，為凈利潤(rùn)的「翻倍」增長(zhǎng)添加了「強(qiáng)勁」助力。
對(duì)比之下，業(yè)績(jī)發(fā)展強(qiáng)勁的業(yè)界龍頭臺(tái)積電，其2020年資本開(kāi)支是上調(diào)的，達(dá)到了170億美元。預(yù)計(jì)2021年資本開(kāi)支更將達(dá)到200億美元。
對(duì)于市場(chǎng)的憂(yōu)慮，中芯國(guó)際表示：「目前公司正常運(yùn)營(yíng)，短期內(nèi)出口管制對(duì)公司產(chǎn)生一定影響但影響可控」。這種外交術(shù)語(yǔ)式的回應(yīng)，顯然無(wú)法令市場(chǎng)上一些觀察者滿(mǎn)意。據(jù)中銀證券報(bào)告，中國(guó)晶圓制造對(duì)海外設(shè)備品牌的依賴(lài)程度為47％。
業(yè)界分析，短期來(lái)看，中芯國(guó)際業(yè)務(wù)受供應(yīng)鏈不確定因素影響較大，Q3業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)難掩其未來(lái)承壓的前景，產(chǎn)業(yè)鏈也在警惕它對(duì)上下游環(huán)節(jié)的沖擊。
先進(jìn)工藝收入進(jìn)一步增長(zhǎng)
截圖自中芯國(guó)際2020年第三季度報(bào)告
值得注意的是，中芯國(guó)際Q3產(chǎn)能利用率維持在了高位，達(dá)到了97．8％，其中先進(jìn)工藝收入占比快速提升，14／28nm工藝占比達(dá)到了14．6％，這個(gè)數(shù)據(jù)在上季度是9．1％，2019年同期則為4．3％。
當(dāng)然，中芯國(guó)際沒(méi)有公布這其中14nm與28nm各自收入的詳細(xì)比例，暫時(shí)無(wú)從得知其最先進(jìn)的14nm工藝帶來(lái)的收入貢獻(xiàn)究竟能占多大比例。
可資參考的一個(gè)消息是10月12日的一個(gè)消息。當(dāng)時(shí)的消息稱(chēng)，IP和定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N＋1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，意味著該制程工藝已經(jīng)具備有意義的「良品率」，可以嘗試進(jìn)行批量生產(chǎn)。
中芯國(guó)際的這種FinFET N＋1工藝能達(dá)到什么樣的水平？2019年中芯國(guó)際聯(lián)合CEO梁孟松曾經(jīng)透露過(guò)，這種工藝的「功率和穩(wěn)定性與7nm工藝非常相似」，最大的不同在于無(wú)需EUV光刻機(jī)也可以實(shí)現(xiàn)。梁孟松表示，相比14nm，其性能提升了20％，功耗降低了57％，邏輯面積縮小了63％，SoC面積減少了55％。
而N＋1之后還會(huì)有N＋2，兩種工藝在功耗上表現(xiàn)相近，主要區(qū)別體現(xiàn)在性能及成本上。N＋1面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域，成本較低，N＋2則面向高性能領(lǐng)域，成本將會(huì)增加。
出于對(duì)N＋1工藝上述數(shù)據(jù)的重視，市場(chǎng)一度稱(chēng)其為國(guó)產(chǎn)版「7nm」工藝，甚至直接表示是「等效7nm」。
不容否認(rèn)的是，目前世界上僅有的兩家可以量產(chǎn)真正意義上7nm芯片的晶圓代工廠商，是臺(tái)積電和三星。臺(tái)積電在早期不使用EUV的情況下就搞定了7nm芯片的量產(chǎn)，而且效果還很不錯(cuò)。而三星由于使用EUV設(shè)備初期產(chǎn)能低，成本高，因此沒(méi)有預(yù)想中的順利，比臺(tái)積電稍落后一些。
然而，背后隱憂(yōu)值得注意
除了美國(guó)美國(guó)貿(mào)易限制帶來(lái)的上游重要設(shè)備供應(yīng)困境，近來(lái)業(yè)界也開(kāi)始傳出國(guó)際客戶(hù)從中芯國(guó)際轉(zhuǎn)單臺(tái)積電的情況。
據(jù)臺(tái)媒DigiTimes報(bào)道，有供應(yīng)鏈消息表示，臺(tái)積電28nm制程產(chǎn)能利用率過(guò)去始終未達(dá)預(yù)期，但今年第4季度卻出現(xiàn)了多年未見(jiàn)的滿(mǎn)載情況。
報(bào)道指出，高通（Qualcomm），博通（Broadcom）將原在中芯國(guó)際28nm制程生產(chǎn)的產(chǎn)品轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái)，是臺(tái)積電28nm產(chǎn)能利用率拉滿(mǎn)的主要原因。
這樣的消息顯然讓中芯國(guó)際的前景更不樂(lè)觀。要知道，中芯國(guó)際的28nm工藝量產(chǎn)至今已有5年，但至今仍處于虧損狀態(tài)，以此為鑒，其14nm工藝要實(shí)現(xiàn)盈利，業(yè)界預(yù)期耗時(shí)3－5年將是很正常的預(yù)期。
業(yè)界分析中芯國(guó)際28nm工藝2015年即量產(chǎn)，卻虧損至今的原因，認(rèn)為投入太大而產(chǎn)出太小導(dǎo)致的前期投入至今收回成本是一大重點(diǎn)。
中芯國(guó)際是中國(guó)大陸首家有能力提供28nm先進(jìn)工藝的純晶圓代工企業(yè)，作為中國(guó)國(guó)內(nèi)晶圓代工的龍頭，中芯國(guó)際的技術(shù)工藝進(jìn)展不可謂不夠快速。早在2013年，中芯國(guó)際就宣布開(kāi)發(fā)28nm工藝，2015年就已傳出量產(chǎn)消息。
當(dāng)年，中芯國(guó)際28nm項(xiàng)目的成功量產(chǎn)，被認(rèn)為與高通妥協(xié)有強(qiáng)相關(guān)性——中芯國(guó)際在28nm工藝制程上的快速進(jìn)展得到了高通的幫助。2014年，中國(guó)發(fā)起了對(duì)高通的反壟斷調(diào)查，為了換取中國(guó)大陸減輕處罰，高通做出了一系列讓步，對(duì)于中芯國(guó)際而言，其中重點(diǎn)之一就是高通幫助中芯國(guó)際，合作研發(fā)28nm工藝。
由此，中芯國(guó)際28nm工藝在2015年迎來(lái)了良率爬升，至2018年，已達(dá)到上量階段。
誠(chéng)然，作為中國(guó)晶圓代工龍頭企業(yè)，中芯國(guó)際的發(fā)展備受市場(chǎng)和政府的矚目。國(guó)務(wù)院于8月初印發(fā)的《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，也被認(rèn)為將使中芯國(guó)際顯著受益。
本國(guó)政府政策的利好拉動(dòng)，美國(guó)政府貿(mào)易限制的利空拖累，二者交纏作用下，中芯國(guó)際未來(lái)前景是喜是憂(yōu)？我們一起拭目以待……