11月10日，存儲器大廠美光科技(Micron)宣布，全球首款176層3D NAND快閃存儲器已正式出貨，藉此將實現(xiàn)前所未有、領先業(yè)界的儲存容量和效能。預計透過美光新推出的176層3D NAND快閃存儲器技術及先進架構，可大幅提高資料中心、智慧邊緣運算以及手機裝置等儲存使用案例的應用效能。

美光指出，176層3D NAND快閃存儲器是美光第五代3D NAND產(chǎn)品，以及第二代替換閘（Replacement Gate）架構，是市場上技術最先進的NAND節(jié)點。

與上一代的高容量3D NAND相比，美光176層3D NAND快閃存儲器的讀取延遲和寫入延遲改善超過35%，可大幅提高應用的效能。此外，美光的176層3D NAND快閃存儲器設計精巧，是小尺寸解決方案的理想選擇。

美光技術與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer表示，美光的176層3D NAND快閃存儲器為業(yè)界樹立了新標竿。而且結合美光的CuA（CMOS-under-array）架構，該技術使美光得以維持在產(chǎn)業(yè)中的成本領先優(yōu)勢。

美光進一步指出，新推出的176層3D NAND快閃存儲器提供更好的服務品質（QoS)，此為資料中心SSD的關鍵設計標準，可以加速資料密集環(huán)境和工作負載，例如資料庫、人工智能引擎、以及大數(shù)據(jù)分析等。對5G智能手機而言，強化的服務品質（QoS）使其能更快地在多個應用程式之間進行載入和轉換，創(chuàng)造更流暢且快速的手機使用體驗。

美光強調(diào)，隨著摩爾定律的放緩，美光在3D NAND產(chǎn)品上的創(chuàng)新對確保業(yè)界跟上不斷增加的資料需求至關重要。為了實現(xiàn)此里程碑，美光獨家結合其堆疊式替換閘架構、嶄新的電荷捕捉儲存方式以及CuA（CMOS-under-array）技術。美光3D NAND專家團隊亦利用公司的CuA專利技術取得飛快的進展，在芯片邏輯上建造多層次堆疊，使更多存儲器能夠裝入更緊密的空間，并大幅度地縮小了176層NAND快閃存儲器的晶粒尺寸，進而使每個晶圓達到更高的GB。

美光176層3D NAND快閃存儲器目前已于美光新加坡晶圓廠量產(chǎn)，并透過Crucial消費型SSD產(chǎn)品系列向客戶出貨。美光預計于2021年度推出采用此技術的其他新產(chǎn)品。