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三星半導體資本支出超過英特爾和臺積電的總和達到260億美元

2017-11-17

預計三星今年的資本支出將達到260億美元,超過英特爾和臺積電的總和。

ICInsights已經(jīng)修改了半導體行業(yè)的資本支出預估,本月底將會發(fā)布新的報告。ICInsights最新的預測顯示,今年半導體行業(yè)資本支出增長35%,達到908億美元。

去年,三星在半導體行業(yè)的資本支出為113億美元,預計2017年該業(yè)務支出將翻一番達到260億美元。ICInsights總裁BillMcClean表示:“在我關注半導體行業(yè)的37年里,從沒見過今年如此猛烈的半導體資本支出增長勢頭。今年三星在半導體行業(yè)的巨額開支是史無前例的?!?/p>

圖1顯示了自2010年以來三星半導體業(yè)務的資本投入情況,這一年也是該公司第一次在半導體資本支出上超過100億美元。在2016年投入113億美元之后,預計今年的資本支出激增比例讓人驚訝。

三星的開支計劃到底有多么兇猛?ICInsights預計,三星2017年第四季度的半導體資本支出為86億美元,將占到整個半導體行業(yè)的33%(整個行業(yè)第四季度支出預計達到262億美元)。同時,三星在第四季度的半導體銷售額占整個行業(yè)的16%左右。

ICInsight預估的三星今年260億美元半導體資本支出分為以下幾個部分:

3DNANDflash:140億美元(包括在平澤工廠的產(chǎn)能大幅增長)

DRAM:70億美元(為了彌補因遷移而造成的產(chǎn)能損失)

代工/其他:50億美元(用于提升10納米制程能力)

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ICInsights認為,今年三星的巨額支出將對未來產(chǎn)生很大影響,3DNAND閃存市場可能會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩情況,這種產(chǎn)能過剩一方面是因為三星在3DNAND閃存市場的巨額投資,另一方面如SK海力士、美光、東芝、英特爾等公司對這一細分市場的投資激增導致。從某種程度上來說,三星的競爭對手必須提高產(chǎn)能否則將失去部分市場份額。

三星的投資熱預計也成為中國3DNAND閃存或DRAM相關企業(yè)的噩夢,此前ICInsights一直對中國初創(chuàng)企業(yè)對抗諸如三星、SK海力士、美光的3DNAND和DRAM技術持懷疑態(tài)度。如今三星在資本支出上的瘋狂成了自己市場地位的保證,如果中國企業(yè)不能和現(xiàn)有的大型存儲進行合作,那么未來很難有更強的競爭力。


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