10月9日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”）關(guān)于向特定對(duì)象發(fā)行A股股票申請(qǐng)獲得上海證券交易所受理。

　　01

　　募資100億，擴(kuò)充泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

　　根據(jù)募集說(shuō)明書(shū)（申報(bào)稿）顯示，中微公司此次向特定對(duì)象發(fā)行A股股票總金額不超過(guò)100億元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費(fèi)用后的凈額將用于中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目、中微臨港總部和研發(fā)中心項(xiàng)目、以及作為科技儲(chǔ)備資金。

　　▲ 來(lái)源：中微公司公告截圖

　　其中，中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目總投資31.77億元，計(jì)劃在上海臨港新片區(qū)以及南昌市高新區(qū)新建生產(chǎn)基地，進(jìn)一步擴(kuò)充公司現(xiàn)有集成電路設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品線產(chǎn)能、開(kāi)發(fā)公司新產(chǎn)品線、與主流半導(dǎo)體設(shè)備廠商合作，為公司未來(lái)高速穩(wěn)健發(fā)展打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

　　項(xiàng)目建成并達(dá)產(chǎn)后，主要用于生產(chǎn)集成電路設(shè)備、泛半導(dǎo)體領(lǐng)域生產(chǎn)及檢測(cè)設(shè)備，以及部分零部件等。其中，臨港產(chǎn)業(yè)化基地將主要承擔(dān)公司產(chǎn)品的產(chǎn)能擴(kuò)充及新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)工作；南昌產(chǎn)業(yè)化基地主要承擔(dān)較為成熟產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)及部分產(chǎn)品的研發(fā)升級(jí)工作。

　　中微臨港總部和研發(fā)中心項(xiàng)目總投資37.56億元，將在上海臨港新片區(qū)建立中微臨港總部和研發(fā)中心，搭建從產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)、樣品制造與模擬測(cè)試到大規(guī)模工業(yè)投產(chǎn)的全周期研發(fā)平臺(tái)。同時(shí)，本項(xiàng)目將根據(jù)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)需求，開(kāi)展高端半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品與設(shè)備制造的研發(fā)工作。

　　該項(xiàng)目建成后，將成為中微公司臨港總部和研發(fā)中心，集辦公、研發(fā)、試驗(yàn)、服務(wù)等功能于一體，從硬件設(shè)施層面滿足公司集成電路設(shè)備、泛半導(dǎo)體設(shè)備、關(guān)鍵零部件等的研發(fā)需求。

　　該項(xiàng)目的研發(fā)投入將用于新產(chǎn)品的研發(fā)工作，除等離子體刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備等優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化外，還將開(kāi)展前瞻性技術(shù)研究、推動(dòng)集成電路生產(chǎn)設(shè)備及零部件國(guó)產(chǎn)化、推進(jìn)泛半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等。

　　中微公司表示，本次募集資金投資項(xiàng)目緊緊圍繞公司主營(yíng)業(yè)務(wù)展開(kāi)，是公司現(xiàn)有業(yè)務(wù)的提升和擴(kuò)充，為公司實(shí)現(xiàn)中長(zhǎng)期戰(zhàn)略發(fā)展目標(biāo)奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，通過(guò)募集資金投資項(xiàng)目的實(shí)施，公司產(chǎn)品線將擴(kuò)充泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、實(shí)現(xiàn)多產(chǎn)品布局。

　　不過(guò)，本次發(fā)行尚待上交所審核通過(guò)和證監(jiān)會(huì)注冊(cè)批復(fù)。

　　02

　　多維度擴(kuò)展業(yè)務(wù)布局

　　資料顯示，中微公司從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，主要為集成電路、LED芯片、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供等離子體刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備及其他設(shè)備，目前的產(chǎn)品主要包括CCP刻蝕設(shè)備、ICP刻蝕設(shè)備、以及MOCVD設(shè)備。多年來(lái)，通過(guò)核心技術(shù)的創(chuàng)新，中微公司的產(chǎn)品已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)和國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

　　刻蝕設(shè)備技術(shù)方面，在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，中微公司開(kāi)發(fā)的高端等離子體刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國(guó)際知名客戶(hù)65納米到5納米的芯片生產(chǎn)線上，目前正在配合客戶(hù)需求，開(kāi)發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進(jìn)大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋5納米以下刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備；

　　在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，中微公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層的量產(chǎn)，同時(shí)公司根據(jù)存儲(chǔ)器廠商的需求正在開(kāi)發(fā)新一代能夠涵蓋128層關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對(duì)應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。

　　此外，根據(jù)客戶(hù)的技術(shù)發(fā)展需求，中微公司正在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求，并進(jìn)行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設(shè)備的研發(fā)。

　　MOCVD設(shè)備技術(shù)方面，該公司的Prismo D-Blue、Prismo A7能分別實(shí)現(xiàn)單腔14片4英寸和單腔34片4英寸外延片加工能力，其中Prismo A7設(shè)備已在全球氮化鎵基LED MOCVD市場(chǎng)中占據(jù)領(lǐng)先地位。

　　同時(shí)，公司研發(fā)出用于制造深紫外光LED的MOCVD設(shè)備，已在行業(yè)領(lǐng)先客戶(hù)端成功驗(yàn)證，并獲得多家行主流企業(yè)與科研院所的訂單。此外，Mini LED生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備的研發(fā)工作正在有序進(jìn)行中；制造Micro LED、功率器件等應(yīng)用的MOCVD設(shè)備亦正在開(kāi)發(fā)中。

　　對(duì)于未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略，中微公司表示，公司已形成三個(gè)維度擴(kuò)展未來(lái)公司業(yè)務(wù)的布局規(guī)劃：深耕集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域、擴(kuò)展在泛半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用并探索其他新興領(lǐng)域的機(jī)會(huì)。

　　具體而言，中微公司正考慮擴(kuò)大在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，延伸到薄膜、檢測(cè)等其他關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域；計(jì)劃擴(kuò)展在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)備的應(yīng)用，布局顯示、MEMS、功率器件、太陽(yáng)能領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備；擬探索其他新興領(lǐng)域的機(jī)會(huì)，考慮從設(shè)備制造向器件大規(guī)模生產(chǎn)的機(jī)會(huì)，以及探索更多集成電路及泛半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)線相關(guān)環(huán)保設(shè)備及醫(yī)療健康智能設(shè)備等領(lǐng)域的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。