2020 年 6 月 15 日，爍科中科信宣布，12 英寸中束流離子注入機(jī)順利搬入集成電路大產(chǎn)線，此舉標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)市場(chǎng)化進(jìn)程邁向新臺(tái)階！

CMOS 工藝的發(fā)展極大推動(dòng)了離子注入（Ion Implantation）工藝的發(fā)展，也可以說(shuō)離子注入工藝的不斷成熟進(jìn)一步改善了集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量，尤其是 CMOS 產(chǎn)品的性能，當(dāng)線寬進(jìn)入亞微米后，離子注入在整個(gè)集成電路制造前工序中更成了不可或缺的一個(gè)工藝流程。

在芯片生產(chǎn)過(guò)程中，需要進(jìn)行多次離子注入，注入到芯片的不同位置、注入的次數(shù)對(duì)于不同芯片類型和工藝節(jié)點(diǎn)有所差異，隨著 CMOS 工藝的快速推進(jìn)，離子注入次數(shù)也快速增加。例如 1970 年代處理一個(gè)的ｎ型金屬氧化物半導(dǎo)體（NMOS）可能只需 6～8 次注入，而現(xiàn)在對(duì)于 28nm 邏輯器件來(lái)說(shuō)需要 40 次注入甚至更多。

而在實(shí)際制造過(guò)程中，對(duì)離子注入的要求也不盡相同，比如在結(jié)深（在注入時(shí)給予離子的能量）、劑量（注入時(shí)所需的雜質(zhì)數(shù)量大?。?、均勻性、重復(fù)性等方面都有不同的需求，一般來(lái)說(shuō)，離子注入的劑量取決于束流值和時(shí)間，注入深度取決于加速電場(chǎng)。為了滿足這些不同的需求，在不同的環(huán)節(jié)中需要采用不同加工能力的離子注入機(jī)，包括中束流（Medium Current）離子注入機(jī)、大束流（High Current）離子注入機(jī)、高能（High Energy）離子注入機(jī)。

集成電路用離子注入機(jī)行業(yè)存在較高競(jìng)爭(zhēng)壁壘，行業(yè)集中度較高。整體而言，整個(gè)市場(chǎng)主要由美國(guó)廠商壟斷。應(yīng)用材料（Applied Materials）、亞舍立（Axcelis）、漢辰科技（Advanced Ion Beam Technology，AIBT）合計(jì)占據(jù)全球 80%的市場(chǎng)。

在各項(xiàng)政策的推動(dòng)下，我國(guó)離子注入機(jī)的研發(fā)也取得了重大進(jìn)展。日前，北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)工作辦公室公示了 2019 年度北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)各評(píng)審委員會(huì)項(xiàng)目評(píng)審結(jié)果，“大束流離子注入機(jī)裝備及工藝研發(fā)”項(xiàng)目榮獲北京市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)，國(guó)內(nèi)兩大離子注入機(jī)供應(yīng)商爍科中科信、凱世通攜手參與。

爍科中科信是專注于集成電路用離子注入機(jī)研發(fā)、制造，始終致力于解決離子注入機(jī)關(guān)鍵技術(shù)自主可控難題，已形成中束流、大束流、高能、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等全系列離子注入機(jī)產(chǎn)品體系，擁有博士后科研工作站，建立了符合 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)要求的離子注入機(jī)產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)，年產(chǎn)能達(dá) 30 臺(tái)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球知名芯片制造企業(yè)，并獲客戶高度認(rèn)可。

此次交付的 12 英寸中束流離子注入機(jī)，在角度控制、劑量控制及設(shè)備工藝能力等方面的功能出色，整機(jī)性能達(dá)到國(guó)際同類產(chǎn)品水平。

爍科中科信負(fù)責(zé)人表示，追平主流只是開(kāi)始，成體系實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代才是目標(biāo)。公司自主研制的離子注入機(jī)系列產(chǎn)品在客戶產(chǎn)線上累計(jì)跑片 650 萬(wàn)片，穩(wěn)定支撐了客戶量產(chǎn)。除此之外，還建立了一支專業(yè)化的售后服務(wù)團(tuán)隊(duì)，實(shí)行 7X24 On Call 響應(yīng)機(jī)制，持續(xù)提升客戶體驗(yàn)，加速國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。