文獻標(biāo)識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.191370
中文引用格式: 和雨,肖知明,王宇,等. 一種高效率的ACBC-C三級運放的設(shè)計[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2020,46(6):36-39,50.
英文引用格式: He Yu,Xiao Zhiming,Wang Yu,et al. Design of a high-efficiency ACBC-C three-stage operational amplifier[J]. Application of Electronic Technique,2020,46(6):36-39,50.
0 引言
隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點的下降,芯片的電源電壓越來越低。越低的電源電壓就意味著許多傳統(tǒng)的電路結(jié)構(gòu)變得不再適用[1]。放大器是模擬集成電路領(lǐng)域的一個重要模塊之一,放大器的增益可以通過在輸出級使用共源共柵結(jié)構(gòu)來提高,但是隨著電源電壓的下降,共源共柵結(jié)構(gòu)會嚴(yán)重限制輸出電壓擺幅[2]。在適應(yīng)摩爾定律的同時,許多可替代的電路結(jié)構(gòu)不斷涌現(xiàn)。多級運放可以保證在足夠大的輸出電壓擺幅的同時提高增益。但是每增加一級放大級,至少會產(chǎn)生一個高阻抗點,進而引入一個極點,過多的極點會極大地影響放大器的穩(wěn)定性。因此,多級運放的頻率補償變得尤為重要。極點分離是頻率補償過程中的常用手段之一,通過改變電容來改變主極點和其他非主極點的位置可以達到極點分離的效果。針對三級運放,嵌套密勒補償(Nested Miller Compensation,NMC)是最常用的補償方式之一,只需兩個密勒電容,就可以達到穩(wěn)定電路的目的。但是嵌套密勒補償是以犧牲GBW為代價的,并且這種補償方式適用的負(fù)載電容范圍很小[3]。此外,如果要增大負(fù)載電容范圍,需要增大內(nèi)部密勒電容的尺寸,相應(yīng)的芯片面積也會增大。為了解決這些問題,許多新的補償方式被提出,阻尼因子控制頻率補償(Damping-Factor-Control Frequency-Compensation,DFCFC)通過增加一個阻尼網(wǎng)絡(luò)的方式,極大地提高了GBW,但是DFCFC適用于大負(fù)載電容的情況下,對于較小的負(fù)載電容,DFCFC并沒有表現(xiàn)出良好的特性[3]。ACBC補償[4]通過增加一條交流通路的方式,也極大地提高了GBW,并且在NMC的基礎(chǔ)上,拓寬了可承受負(fù)載電容范圍,表現(xiàn)出非常優(yōu)越的特性。但是ACBC補償結(jié)構(gòu)中的密勒電容會引入一個右半平面零點,該零點對穩(wěn)定性具有負(fù)影響。CMC可以在不增加額外的消零電阻以及前饋通路的同時消除該右半平面零點[5]。本文創(chuàng)新性地提出將ACBC與CMC結(jié)合,形成ACBC-C結(jié)構(gòu),并研究其優(yōu)越特性。
此外,高效率也是運算放大器的衡量指標(biāo)之一,高效率代表電路中大多數(shù)的功耗都來自于負(fù)載,很少有功率的浪費。AB類放大器相比A類放大器具有較高的效率,所以本電路采用AB類輸出結(jié)構(gòu)。AB類輸出結(jié)構(gòu)形成了推挽式輸出,也適用于上述的ACBC-C補償結(jié)構(gòu)。所以本文針對具有高效率的ACBC-C三級運放進行分析和仿真。
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作者信息:
和 雨,肖知明,王 宇,胡偉波
(南開大學(xué) 電子信息與光學(xué)工程學(xué)院,天津300350)