作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree Inc., 美國納斯達克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出 Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。

Wolfspeed 高級副總裁兼總經(jīng)理 Cengiz Balkas 表示：“科銳引領(lǐng)從硅向碳化硅的全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。我們的新型 650V MOSFET 系列邁進了一步，為包括工業(yè)應(yīng)用在內(nèi)的更多應(yīng)用領(lǐng)域提供高功率解決方案。650V MOSFET 所提供的優(yōu)異功率效率，助力現(xiàn)今最大的技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)開發(fā)新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心、儲能方案等，幫助重塑我們的云技術(shù)和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施?！?/p>

新型 15 mΩ 和 60 mΩ 650V 器件，采用科銳業(yè)界領(lǐng)先的第 3 代 C3M MOSFET 技術(shù)，比之競品碳化硅 MOSFET，可最高降低 20%開關(guān)損耗，為更高效率和更高功率密度的解決方案提供更低的導(dǎo)通電阻。終端用戶將在各種不同應(yīng)用中實現(xiàn)更高的功率使用效率、降低散熱需求、業(yè)界領(lǐng)先的可靠性，從而實現(xiàn)更低的總體擁有成本，并從中獲益。

與硅基方案相比較，Wolfspeed 新型 650V 碳化硅 MOSFET 能夠降低 75%開關(guān)損耗和 50%導(dǎo)通損耗，從而有望帶來 300%功率密度提升。設(shè)計工程師現(xiàn)在可以滿足甚至超越業(yè)界極為嚴苛的效率標準，這其中包括了針對服務(wù)器電源的 80 Plus? Titanium 要求。

新型 650V MOSFET 系列同樣也適合于電動汽車市場的車載充電機。更高的效率和更快的開關(guān)，幫助客戶在設(shè)計更小尺寸方案時仍能獲得附加性能。Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 能夠助力車載充電機實現(xiàn)雙向充電功能，無需在系統(tǒng)的尺寸、重量、復(fù)雜度等方面進行權(quán)衡妥協(xié)。與此同時，Wolfspeed 在車用 AEC-Q101 認證方面的經(jīng)驗，以及業(yè)經(jīng)驗證的 E- 系列 MOSFET，都為之后車用認證 650V MOSFET 鋪平了道路。

其它工業(yè)應(yīng)用，比如多用途開關(guān)模式電源（SMPS），也可以從科銳這家全球業(yè)界領(lǐng)先的垂直整合碳化硅技術(shù)供應(yīng)商所開發(fā)的新型 650V 碳化硅 MOSFET 優(yōu)勢中獲益。

Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 采用業(yè)界標準插件及貼片封裝，現(xiàn)已可獲取。