多年來，芯思想研究院（ChipInsights）對國內(nèi) 12 英寸、8 英寸、6 英寸晶圓生產(chǎn)線的情況進行了長期深入的跟蹤調(diào)研。
根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計，截止 2019 年底我國 12 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 90 萬片，較 2018 年增長 50％；8 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 100 萬片，較 2018 年增長 10％；6 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 230 萬片，較 2018 年增長 15％；5 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 80 萬片，較 2018 年下降 11％；4 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 260 萬片，較 2018 年增長 30％；3 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 40 萬片，較 2018 年下降 20％。
為了讓大家對我國新的晶圓制造線的最新情況有個了解，本文對 2019 年度有關(guān)中國晶圓生產(chǎn)線的最新情況進行盤點，現(xiàn)將調(diào)研情況梳理如下。
共計 63 個項目，其中 6 個項目已經(jīng)停擺，刨除停擺項目外，其他 57 個項目宣布投資總額超過 15000 億人民幣，較 2018 年統(tǒng)計增長 7％。
本文分為兩大部分，一是硅基項目，二是化合物項目；每部分包括投產(chǎn)篇、產(chǎn)能爬坡篇、在建篇、規(guī)劃篇、停擺篇。
投產(chǎn)篇：2019 年度宣布投產(chǎn)的晶圓制造生線
產(chǎn)能爬坡篇：2019 年前投產(chǎn)的生產(chǎn)線，2019 年產(chǎn)能較 2018 年開始提升
在建篇：2019 年度還在建設(shè)的晶圓生產(chǎn)線
規(guī)劃篇：宣布建線計劃
停擺篇：2019 年度停止建設(shè)的項目
一、硅基項目（53）
投產(chǎn)篇（12）
中芯南方集成電路制造有限公司（12 英寸 14 納米）
華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司（12 英寸）
武漢新芯集成電路制造有限公司二期（12 英寸）
三星（中國）半導(dǎo)體有限公司二期一階段
廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（12 英寸）
重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司（12 英寸）
江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司（12 英寸）
SK 海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司（12 英寸）
福建省晉華集成電路有限公司（12 英寸）
中芯集成電路制造（紹興）有限公司（中芯紹興，8 英寸）
北京燕東微電子科技有限公司（8 英寸）
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司（6 英寸）
產(chǎn)能爬坡篇（14）
上海華力集成電路制造有限公司（12 英寸）
長江存儲科技有限責(zé)任公司（12 英寸）
長鑫存儲技術(shù)有限公司（12 英寸）
合肥晶合集成電路有限公司（12 英寸）
聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司（12 英寸）
臺積電（南京）有限公司（12 英寸）
英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司（12 英寸）
中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司（12 英寸）
中芯國際集成電路制造（天津）有限公司（8 英寸）
中芯集成電路（寧波）有限公司（N1，8 英寸）
杭州士蘭集昕微電子有限公司（士蘭集昕，8 英寸）
上海新進芯微電子有限公司（8 英寸）
四川廣義微電子股份有限公司（6 英寸）
河南芯睿電子科技有限公司（芯睿電子 6 英寸）
在建篇（15）
廈門士蘭集科微電子有限公司（12 英寸）
武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司（弘芯半導(dǎo)體，12 英寸）
三星（中國）半導(dǎo)體有限公司二期二階段（12 英寸）
成都紫光國芯存儲科技有限公司（12 英寸）
芯恩（青島）集成電路有限公司（芯恩，12 英寸）
泉芯集成電路制造（濟南）有限公司（泉芯集成，12 英寸）
芯恩（青島）集成電路有限公司（芯恩，8 英寸）
賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司（賽萊克斯，8 英寸）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，8 英寸）
中芯集成電路（寧波）有限公司二期（中芯寧波二期，8 英寸）
杭州士蘭集昕微電子有限公司（士蘭集昕二期，8 英寸）
海辰半導(dǎo)體（無錫）有限公司（無錫海辰，8 英寸）
濟南富能半導(dǎo)體有限公司（富能半導(dǎo)體，8 英寸）
吉林華微電子股份有限公司（華微電子，8 英寸）
山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（6 英寸）
規(guī)劃篇（7）
華潤微電子（重慶）有限公司（華潤重慶，12 英寸）
華潤微電子無錫項目（華潤微電子，8 英寸）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，12 英寸）
紫光 DRAM 項目（紫光 DRAM，12 英寸）
青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司（城芯半導(dǎo)體，12 英寸）
四川中科晶芯集成電路制造有限責(zé)任公司（中科晶芯，8 英寸）
贛州名芯半導(dǎo)體項目（贛州名芯，8 英寸）
停擺篇（5）
南京紫光存儲科技控股有限公司（12 英寸）
格芯（成都）集成電路制造有限公司（格芯成都，12 英寸）
德淮半導(dǎo)體有限公司（12 英寸）
德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司（德科碼南京，8 英寸）
江蘇中璟航天半導(dǎo)體實業(yè)發(fā)展有限公司（中璟航天，8 英寸）
二、化合物項目（10）
投產(chǎn)篇（1）
廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（6 英寸）
產(chǎn)能爬坡篇（4）
英諾賽科（珠海）科技有限公司（8 英寸）
株洲中車時代電氣股份有限公司（6 英寸碳化硅）
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（氮化鎵）
江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司（氮化鎵）
在建篇（3）
英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（8 英寸）
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（6 英寸碳化硅）
濟南富能半導(dǎo)體有限公司（6 英寸）
規(guī)劃篇（1）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，6 英寸）
停擺篇（1）
北京雙儀微電子科技有限公司（6 英寸砷化鎵）
一、硅基項目
投產(chǎn)篇
中芯南方集成電路制造有限公司
（中芯南方，12 英寸 14 納米）
2019 年中芯南方集成電路制造有限公司 12 英寸 14 納米生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，標(biāo)志著中國大陸集成電路生產(chǎn)工藝向前推進一步，順利完成《推進綱要》的目標(biāo)。。
2019 年第一季度，中芯南方 FinFET 工廠首臺光刻機搬入，開始產(chǎn)能布建。目前已經(jīng)具備月產(chǎn)能 3500 片規(guī)模，最終達到每月產(chǎn)能 35000 片的目標(biāo)。
中芯南方成立于 2016 年 12 月 1 日，是配合中芯國際 14 納米及以下先進制程研發(fā)和量產(chǎn)計劃而建設(shè)的具備先進制程產(chǎn)能的 12 英寸晶圓廠。
華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司一期
（華虹無錫，12 英寸）
2020 年 1 月 1 日舉行首批功率器件晶圓投片儀式，并和無錫新潔能簽約。華虹無錫的 IC＋Power 戰(zhàn)略，Logic、eFlash、BCD、SOI RF 和 Power 等工藝平臺陸續(xù)推出，可滿足無錫絕大多數(shù)設(shè)計公司。
2019 年 5 月 24 日首臺設(shè)備搬入，并舉行了 HHFAB7 廠授牌儀式。2019 年 6 月 6 日華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地 12 英寸生線一期 3 臺光刻機臺搬入；2019 年 9 月 17 日試投片生產(chǎn)，標(biāo)志著中國第一條 12 英寸 90 納米 ／55 納米工藝的功率器件生產(chǎn)線投產(chǎn)。
2017 年 8 月 2 日，華虹宏力與無錫市政府及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）簽訂了一份投資協(xié)議，三方將在無錫投資建設(shè)一座 12 英寸晶圓廠。據(jù)介紹，大基金向華虹注資 9．22 億美元，其中 4 億美元投給華虹半導(dǎo)體，持股 18．94％；5．22 億美元投給華虹無錫，持股 29％。
華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目占地約 700 畝，總投資 100 億美元，一期項目總投資約 25 億美元，新建一條工藝等級 90－65／55 納米、月產(chǎn)能約 4 萬片的 12 英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持 5G 和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。
武漢新芯集成電路制造有限公司二期
（新芯二期，12 英寸）
2019 年二期擴產(chǎn)項目已經(jīng)順利投產(chǎn)。
2018 年 8 月 28 日，武漢新芯集成電路制造有限公司召開二期擴產(chǎn)項目現(xiàn)場推進會在武漢召開。據(jù)悉武漢新芯二期擴產(chǎn)項目規(guī)劃總投資 17．8 億美元；2018 年 12 月開始進入設(shè)備安裝調(diào)試。
據(jù)悉，二期將緊抓物聯(lián)網(wǎng)和 5G 運用的市場機遇，建設(shè) NOR Flash（自主代碼型）閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務(wù)平臺，相當(dāng)于再造一個武漢新芯。
根據(jù)規(guī)劃，武漢新芯的 NOR Flash 閃存能力每個月擴充 8000 片，從月產(chǎn)能 1．2 萬片擴至月能 2 萬片，微控制器每個月擴充 5000 片，計劃用 5 年時間把武漢新芯建設(shè)成中國物聯(lián)網(wǎng)芯片領(lǐng)導(dǎo)型企業(yè)。
三星（中國）半導(dǎo)體有限公司二期一階段
（三星西安 X2－PH1，12 英寸）
2019 年 7 月開始設(shè)備安裝調(diào)試，目前已經(jīng)開始試運行生產(chǎn)，為量產(chǎn)做準(zhǔn)備，2020 年 3 月正式量產(chǎn)。
2018 年 3 月，三星宣布在西安舉行了 3D NAND 閃存芯片二期一階段項目奠基儀式。
三星半導(dǎo)體西安存儲芯片基地進行了重新規(guī)劃，將二期項目分為兩個階段，目前在建的做為二期第一階段，投資 70 億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能 6 萬片，到 2020 年底，西安 3D NAND 月產(chǎn)能將由目前的 12 萬片增至 18 萬片，增幅約 50％。
廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
（廣州粵芯，12 英寸）
2019 年 9 月 20 日，粵芯半導(dǎo)體第一階段的生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。
2019 年 3 月 15 日，廣州粵芯半導(dǎo)體有限公司舉行了 12 英寸生產(chǎn)線設(shè)備搬入儀式，首批進入的設(shè)備來自全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，包括 ASML 的光刻機、AMAT 的晶圓缺陷檢測設(shè)備、LAM Research 的刻蝕設(shè)備、TEL 的涂膠顯影設(shè)備和 KLA 的檢測和量測設(shè)備。3 月 19 日，有多臺國產(chǎn)設(shè)備開始搬入并安裝調(diào)試；2019 年 6 月 29 日，粵芯半導(dǎo)體宣布，第一階段的生產(chǎn)線調(diào)試已經(jīng)完成，首批樣品已經(jīng)出貨，良率已達到預(yù)期目標(biāo)。
2018 年 3 月開始樁基工程，10 月 11 日舉行了 12 英寸集成電路生產(chǎn)線項目主廠房封頂；12 月 7 日潔凈室正壓送風(fēng)。
2017 年 12 月舉行開工儀式，這是國內(nèi)第一座以虛擬 IDM （Virtual IDM） 為營運策略的 12 英寸晶圓廠，也是廣州第一條 12 英寸晶圓生產(chǎn)線。
粵芯半導(dǎo)體項目投資 70 億元，新建廠房及配套設(shè)施共占地 14 萬平方米。建成達產(chǎn)后，粵芯半導(dǎo)體將實現(xiàn)月產(chǎn) 40000 片 12 英寸晶圓的生產(chǎn)能力，采用 130nm 到 180nm 工藝節(jié)點生產(chǎn)，產(chǎn)品包括微處理器、電源管理芯片、模擬芯片、功率分立器件等，滿足物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、5G 等創(chuàng)新應(yīng)用的模擬芯片需求。
重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司
（重慶萬國，12 英寸）
2019 年上半年，重慶萬國完成了 12 英寸生產(chǎn)線設(shè)備安裝，7 月開始小批量 12 英寸晶圓生產(chǎn)。
2015 年 9 月，兩江新區(qū)管委會與萬國半導(dǎo)體科技有限公司簽訂“12 英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地項目投資協(xié)議”，2016 年 4 月 22 日成立重慶萬國，將主要從事功率半導(dǎo)體器件（含功率 MOSFET、IGBT 等功率集成電路）的產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)制造。2017 年 2 月動工建設(shè)。2018 年 3 月開始搬入設(shè)備并裝機。
萬國半導(dǎo)體科技有限公司是全球技術(shù)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)，該項目總投資 10 億美元，將分二期建設(shè)。其中，項目一期投資約 5 億美元，建筑面積 93111 平方米，預(yù)計每月生產(chǎn) 2 萬片芯片、封裝測試 5 億顆芯片；二期投資約 5 億美元，預(yù)計每月生產(chǎn) 5 萬片芯片、封裝測試 12．5 億顆半導(dǎo)體芯片。
江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司
（時代芯存，12 英寸）
2019 年 8 月 26 日，時代全芯發(fā)布了基于相變材料的 2 兆位可編程只讀相變存儲器產(chǎn)品（EEPROM）“溥元 611”，標(biāo)志著中國首條 PCRAM 后道生產(chǎn)線投產(chǎn)，其前道生產(chǎn)還是選擇和華力微合作。
2019 年 4 月，KLA 和日立（Hitachi）的量測機臺，以及 Wet Etch、CVD 機臺陸續(xù)搬入。2018 年 4 月 10 日，生產(chǎn)線核心設(shè)備 ASML 1950Hi 光刻機進廠安裝，1950Hi 可滿足 38 納米工藝生產(chǎn)。
2018 年 12 月公司入選工信部存儲器“一條龍”應(yīng)用計劃“示范企業(yè)”，年產(chǎn) 10 萬片 12 英寸相變存儲器項目入選“示范項目”，是少數(shù)幾家入選“示范企業(yè)”和“示范項目”的公司 ，更是全國唯一一家相變存儲器（PCM）入選的公司。
2016 年 9 月 28 日，項目正式破土動工；2017 年 3 月 1 日，年產(chǎn) 10 萬片 12 英寸相變存儲器項目舉行動工儀式；2017 年 11 月 9 日主廠房封頂。
江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司正式致力于開發(fā)及生產(chǎn)搭載最新 PCM 技術(shù)的存儲產(chǎn)品。江蘇淮安 PCRAM 生產(chǎn)項目總投資 130 億元，一期投資 43 億元。公司宣稱擁有相變存儲器完整的技術(shù)和工藝的知識產(chǎn)權(quán)及產(chǎn)業(yè)化能力，已制定了未來十年的產(chǎn)品規(guī)劃。2017 年 6 月 16 日，與 IBM 公司就相變存儲知識產(chǎn)權(quán)移轉(zhuǎn)淮安簽約暨大容量存儲產(chǎn)品研發(fā)合作啟動儀式舉行。
SK 海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司
（SK 海力士，12 英寸）
2019 年 4 月 18 日 SK 海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司舉行了無錫工廠擴建（C2F）竣工儀式，不過海力士對于產(chǎn)能爬坡不是太積極。
2018 年 11 月 30 日，首臺生產(chǎn)裝備開始搬入廠房。
2016 年 11 月二工廠破土動工，2017 年 10 月 29 日，SK 海力士與無錫市政府就海力士新上二工廠項目簽約，總投資高達 86 億美元。擴建完成之后，到滿產(chǎn)時，無錫基地將形成月產(chǎn)能 20 萬片 10 納米制程等級的晶圓生產(chǎn)基地。
SK 海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司是由韓國 SK 海力士株式會社于 2005 年 4 月投資設(shè)立的半導(dǎo)體制造工廠，主要生產(chǎn) 12 英寸半導(dǎo)體集成電路芯片。
SK 海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司在錫進行了多次增資及技術(shù)升級，累計投資額約 200 億美元。
福建省晉華集成電路有限公司
（晉華集成，12 英寸）
2019 年以來，筆者在多個場合見到晉華集成副總，雖然并未透露任何有關(guān)晉華的信息，但其代表晉華公開現(xiàn)身，應(yīng)該表明“晉華仍在運轉(zhuǎn)當(dāng)中”。
2018 年 10 月 30 日，美國商務(wù)部以國家安全為由，宣布自 10 月 30 日起對晉華集成實施出口管制，被美國列入出口管制“實體清單”的中國企業(yè)。限制對其出口，原因是該公司新增的存儲芯片生產(chǎn)能力將威脅到為軍方提供此類芯片的美國供應(yīng)商的生存能力。目前項目陷入危機中。
2016 年 2 月 26 日，晉華集成在福建省晉江市成立；2016 年 4 月，臺灣經(jīng)濟部投審會通過聯(lián)電和晉華集成合作共同開發(fā) 32 納米 DRAM 制程；由聯(lián)電在南科研發(fā)，再移轉(zhuǎn)到晉華集成生產(chǎn)；2016 年 5 月，晉華集成與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)議，開發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)。由晉華支付技術(shù)報酬金，開發(fā)出的 DRAM 技術(shù)成果，將由雙方共同擁有；2016 年 6 月 9 日晉華集成首座 12 英寸晶圓廠項目立項備案；2016 年 7 月，晉華集成首座 12 英寸晶圓廠舉行施工典禮；2016 年 10 月 18 日，晉華集成首座 12 英寸晶圓廠正式開工建設(shè)；2017 年 11 月，晉華集成首座 12 英寸晶圓廠廠房封頂；2018 年 7 月晉華集成首座 12 英寸晶圓廠工藝設(shè)備進場安裝，計劃年底進行小規(guī)模投片試產(chǎn)。
晉華集成是由福建省電子信息集團、及泉州、晉江兩級政府共同出資設(shè)立，被納入我國“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。晉華集成電路與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，專注于 DRAM 產(chǎn)品領(lǐng)域。預(yù)估 2018 年 9 月正式投產(chǎn)，到 2019 年底一廠一期項目可實現(xiàn)月產(chǎn) 6 萬片 12 英寸晶圓的產(chǎn)能，到 2020 年底一廠二期也將達產(chǎn) 6 萬片。并適時啟動二廠的建設(shè)，到二廠達產(chǎn)時，總產(chǎn)能將達 24 萬片。
中芯集成電路制造（紹興）有限公司
（中芯紹興，8 英寸）
2109 年 11 月 16 日，中芯集成電路制造（紹興）有限公司宣布 8 英寸生產(chǎn)線通線投片，2020 年 3 月正式量產(chǎn)。
2019 年 6 月 19 日，主體工程結(jié)頂；9 月搬入工藝設(shè)備，10 月完成了 151 臺套設(shè)備的安裝調(diào)試。
2018 年 5 月 18 日，中芯紹興 8 英寸廠房項目舉行奠基儀式，標(biāo)志著中芯國際微機電和功率器件產(chǎn)業(yè)化項目正式落地紹興。
2018 年 3 月 1 日，中芯紹興項目舉行簽約儀式，項目首期投資 58．8 億元人民幣。
北京燕東微電子科技有限公司
（北京燕東，8 英寸）
2019 年 12 月燕東微電子 8 英寸生產(chǎn)線投片，經(jīng)過多次工藝試驗后，目前良率已經(jīng)達到預(yù)期。
2019 年 6 月 25 日，燕東微電子 8 英寸生產(chǎn)線首批設(shè)備正式搬入。首臺搬入的設(shè)備是北方華創(chuàng)的刻蝕機。
2018 年 12 月 31 日，燕東微電子 8 英寸 Mini－line 試驗線第一片晶圓正式下線，實現(xiàn)了 Trench MOSFET 30V 產(chǎn)品全流程貫通，器件功能良好，電性能測試單片良率超 80％。這是燕東微電子在 8 英寸晶圓制造的里程碑。
2018 年 4 月 15 日，燕東微電子 8 英寸集成電路項目舉行上梁儀式，6 月 29 日主廠房封頂。
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司
（江蘇英銳，6 英寸）
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司 6 英寸廠于 2019 年第四季度試生產(chǎn)運營。
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司是由深圳英銳集團子公司盈信通科技（香港）有限公司投資建設(shè)，于 2018 年 3 月正式啟動，項目總投資 1．5 億美元。項目達產(chǎn)后，可年產(chǎn)芯片 60 萬片，主要生產(chǎn)功率分立器件。
從日本、美國引進生產(chǎn)所需光刻機、離子注入機、刻蝕機、PECVD、濺射臺等共計 415 臺（套）。
產(chǎn)能爬坡篇
上海華力集成電路制造有限公司
（華力二期，12 英寸）
自投產(chǎn)以來，上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）的產(chǎn)能迅速爬坡，2019 年第二季度達月產(chǎn) 10000 片，到第四季度達月產(chǎn) 20000 片。
2018 年 10 月 18 日，上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）生產(chǎn)線正式投片，首批 12 英寸硅片進入機臺，開始 28 納米工藝芯片制造。
2016 年 12 月 30 日上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HHFAB6）12 英寸先進生產(chǎn)線開工建設(shè)；2017 年 5 月 20 日樁基工程完工，開始主廠房鋼結(jié)構(gòu)屋架吊裝，11 月 2 日廠房主體結(jié)構(gòu)完成；2018 年 5 月 21 日實現(xiàn)首臺工藝設(shè)備光刻機搬入。
上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）12 英寸先進生產(chǎn)線建設(shè)項目是上海市最大的集成電路產(chǎn)業(yè)投資項目，總投資 387 億元人民幣，建成月產(chǎn)能 4 萬片的 12 英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，工藝覆蓋 28－14 納米技術(shù)節(jié)點。項目計劃于 2022 年底達產(chǎn)。
長江存儲科技有限責(zé)任公司
（長江存儲，12 英寸）
2019 年長江存儲 32 層 3D NAND 閃存芯片實現(xiàn)全速量產(chǎn)；9 月 64 層 3D NAND 閃存芯片已經(jīng)開始生產(chǎn)。目前月產(chǎn)能約 2 萬片，2020 年將爬坡至 5 萬片。
2018 年第四季度，長江存儲一期工程正式投產(chǎn)，32 層 3D NAND 閃存芯片成功實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。
2016 年 7 月 26 日，長江存儲有限責(zé)任公司成立；2016 年 12 月 30 日，國家存儲器基地項目正式開工建設(shè)；2017 年 7 月，32 層 3D NAND 芯片 T／O（設(shè)計完成）；2017 年 9 月，國家存儲器基地項目一期工程提前封頂；2017 年 11 月，耗資 10 億美元、1000 人團隊歷時 2 年研發(fā)的 32 層 3D NAND 芯片完成首次驗證；2018 年 4 月 11 日，一期工程生產(chǎn)機臺正式進場安裝。
國家存儲器基地項目規(guī)劃，預(yù)計 5 年投入 1600 億元（約合 240 億美元），到 2020 年形成月產(chǎn)能 30 萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到 2030 年建成每月 100 萬片的產(chǎn)能。
長鑫存儲技術(shù)有限公司
（長鑫存儲，12 英寸）
2019 年 9 月 20 日宣布正式量產(chǎn)，目前裝機月產(chǎn)能 20000 片。
2019 年 5 月 15 日的 GSA Memory＋論壇上，長鑫存儲董事長朱一明表示，公司 DRAM 項目計劃年內(nèi)大規(guī)模投產(chǎn)，產(chǎn)生正向現(xiàn)金流，實現(xiàn)商業(yè)可持續(xù)。長鑫存儲 DRAM 技術(shù)來源于奇夢達，持續(xù)投入研發(fā)超過 25 億美元，并不斷完善自身研發(fā)技術(shù)；長鑫存儲完成了第一座 12 英寸 DRAM 存儲器晶圓廠建設(shè)，技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)有序開展，已持續(xù)投入晶圓超 15000 片。
2016 年 5 月 6 日合肥 12 英寸存儲器“506 項目”啟動；2017 年 3 月廠房開工；2018 年 1 月開始設(shè)備安裝；2018 年 7 月 16 日，合肥 12 英寸存儲器“506 項目”正式投片；2018 年底 19 納米產(chǎn)品第一階段成果通過鑒定。
根據(jù)規(guī)劃，長鑫存儲合肥 12 英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產(chǎn)能為 12 萬片，預(yù)計分為三個階段執(zhí)行，第一階段要完成單月 4 萬片，目前為 2 萬片，2020 年第一季底達到 4 萬片。2020 年開始規(guī)劃建設(shè)二期項目，并于 2021 年完成 17 納米工藝的 DRAM 研發(fā)。
合肥晶合集成電路有限公司
（合肥晶合，12 英寸）
2019 年底月產(chǎn)能達到 20000 片規(guī)模，較 2018 年 12 月擴增 1 倍。
2018 年，晶合以 110 納米 －180 納米工藝制造 LCD 驅(qū)動芯片。由于因為股權(quán)問題，和力晶陷入冷凍期，此后不再從力晶進行技轉(zhuǎn)，而是自研 55 納米工藝技術(shù)邏輯工藝，原計劃 2019 年量產(chǎn)，目前看來較計劃有所落后。
2015 年 10 月 20 日，晶合總投資 128．1 億元人民幣的 12 英寸晶圓制造基地項目（一期）開工；2016 年 11 月 16 日晶合集成一期舉行封頂儀式；2017 年 4 月 20 日，晶合集成主機臺進駐；2017 年 6 月 28 日投產(chǎn)；2017 年 9 月 25 日達到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)；2017 年 10 月 1 日宣布正式量產(chǎn)。
公司計劃建置 4 座 12 英寸晶圓廠。其中一期投入資金超過百億元，目前已完成 N1、N2 兩個廠房主體的建設(shè)，N1 廠計劃 2020 年達到滿產(chǎn)每月 4 萬片規(guī)模。
聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司
（廈門聯(lián)芯，12 英寸）
2019 年聯(lián)芯集成一期滿載月產(chǎn)能約為 25000 萬片，實際產(chǎn)出每月 18000＋片。
聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司為臺灣聯(lián)華電子與廈門市人民政府及福建省電子信息集團合資成立之一流晶圓專工企業(yè)，于福建省廈門市從事集成電路制造，提供 12 英寸晶圓專工服務(wù)。聯(lián)芯集成電路制造公司于 2014 年底開始籌建，2015 年 3 月 26 日奠基動工，2016 年 11 月開始投產(chǎn)，可提供 40nm 及 28nm 的晶圓專工服務(wù)，一期月產(chǎn)能為 25000 片 12 英寸晶圓。
廈門聯(lián)芯廠在引進 28 納米制程后，2017 年第二季度投產(chǎn) 5000 片，第三季度投產(chǎn) 12000 片。2017 年 12 月 13 日通過 189．9 億元新臺幣（約合 6．3 億美元）資本預(yù)算執(zhí)行案，間接增資廈門聯(lián)芯集成電路制造有限公司，擴增晶圓廠產(chǎn)能。2018 年第一季度月產(chǎn)能將擴增至 16000 片規(guī)模，2018 年年底實現(xiàn)月產(chǎn) 25000 片的目標(biāo)。
臺積電（南京）有限公司
（臺積電南京，12 英寸）
2019 年月產(chǎn)能提升為 15000 片，2020 年第一季達到 20000 片的規(guī)劃產(chǎn)能。
2018 年 10 月 31 日，臺積電正式對外宣布南京 12 英寸晶圓廠 FAB16 量產(chǎn)，提供 12 寸 16nm FinFET 晶圓代工業(yè)務(wù)。
2015 年年底，臺積電宣布，已向臺灣“投審會”遞件申請赴大陸設(shè)立 12 英寸晶圓廠與設(shè)計服務(wù)中心，設(shè)立地點確定為江蘇省南京市江北新區(qū)，投資金額大約在 30 億美元；2016 年 3 月 28 日臺積電南京項目正式落戶南京，2016 年 7 月 7 日項目一期正式開工建設(shè)；2017 年 9 月 12 日，臺積電南京公司舉行了機臺 MOVE－IN 典禮；2018 年 5 月晶圓廠開始試投產(chǎn)。
這次臺積南京也打破了多項臺積的紀(jì)錄，第一是建廠最快，從動土到進機只花了 14 個月，第二是上線最快，進機到開始生產(chǎn)不到半年的時間；第三，這是最美、最宏偉、最有特色的臺積廠區(qū)。
英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司
（英特爾大連，12 英寸）
2019 年月產(chǎn)能為 85000 片。
2018 年第二季，英特爾宣布大連的 Fab 68 二期投產(chǎn)，主要生產(chǎn) 96 層的 3D NAND 閃存。
2015 年 10 月 19 日，英特爾與大連市舉行“大連？英特爾非易失性存儲制造”項目簽約。英特爾宣布，為了積極追趕競爭對手的市占率，F(xiàn)ab 68 二期改造工程總投資 55 億美元，該戰(zhàn)略性計劃是英特爾深化其非易失性存儲器業(yè)務(wù)發(fā)展戰(zhàn)略的一個重要舉措。
此項投資符合英特爾大連工廠的長期發(fā)展策略，也體現(xiàn)了英特爾與中國共成長的長期發(fā)展承諾。
中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司
（中芯深圳，12 英寸）
中芯國際深圳基地 12 英寸 MINI 晶圓生產(chǎn)線月產(chǎn)能 3000 片。
中芯國際深圳基地規(guī)劃一條月產(chǎn)能 4 萬片的 12 英寸產(chǎn)線，聚焦在 0．11 微米到 55 納米這些工藝的生產(chǎn)，2017 年第 4 季投產(chǎn)。
中芯國際集成電路制造（天津）有限公司二期
（中芯天津，8 英寸）
2019 年二期月產(chǎn)能維持 20000 片裝機規(guī)模。
根據(jù)公司財報，天津一期裝機產(chǎn)能為 45000 片，2018 年第四季天津基地產(chǎn)能達 60000 片，較 2018 年第二季增長了 20％。
2017 年 2 月擴產(chǎn)項目正式啟動。2018 年 7 月，中芯國際天津廠舉行了 P2 Full Flow 擴產(chǎn)計劃的首臺設(shè)備進駐儀式。公司在 2018 年持續(xù)對天津基地進行投資以擴充產(chǎn)能。
2016 年 10 月 18 日開始，正式啟動天津廠產(chǎn)能擴充計劃，該計劃預(yù)計投資金額為 15 億美金。在計劃完成后，產(chǎn)能將達到每月 15 萬片的規(guī)模，有望成為全球最大的單體 8 英寸晶圓的生產(chǎn)基地。
中芯集成電路（寧波）有限公司一期
（寧波中芯 N1，8 英寸）
一期規(guī)劃月產(chǎn)能 15000 萬。
2018 年第三季度，中芯寧波 8 英寸特種工藝 N1 產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備進廠，2018 年 11 月 2 日正式投產(chǎn)。
這是中芯支持建設(shè)的特色工藝生線。中芯集成電路（寧波）有限公司由中芯晶圓與寧波勝芯、華創(chuàng)投資等聯(lián)合成立。公司將通過對相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù)的收購、吸收、提升和發(fā)展，在高壓模擬半導(dǎo)體以及包括射頻與光電特色器件在內(nèi)的模擬和特色工藝半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，開發(fā)、建立新的核心器件及技術(shù)平臺，以支持客戶面向智能家電、工業(yè)與汽車電子、新一代射頻通訊以及 AR／VR／MR 等專用系統(tǒng)應(yīng)用的芯片設(shè)計、產(chǎn)品開發(fā)。
中芯集成電路（寧波）有限公司分為 N1（租用小港安居路現(xiàn)有廠房）與 N2（柴橋）兩個項目，將建成為中國最大的模擬半導(dǎo)體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地，采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式，并提供相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計服務(wù)平臺。
杭州士蘭集昕微電子有限公司
（士蘭集昕，8 英寸）
一期 8 英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)能規(guī)劃 40000 片，目前已經(jīng)趨于飽和。
2015 年開工建設(shè)；2016 年 1 月主要生產(chǎn)廠房已結(jié)頂，部分生產(chǎn)設(shè)備運抵公司；2016 年 12 月底，主廠房建設(shè)、凈化裝修和機電動力設(shè)備安裝等均已完工，部分工藝設(shè)備也已安裝完畢并進入調(diào)試階段預(yù)計。
2017 年 3 月產(chǎn)出第一片合格芯片；2017 年 6 月正式投入量產(chǎn)；2017 年 12 月實現(xiàn)月產(chǎn) 15000 片；當(dāng)年共產(chǎn)出芯片 5．71 萬片。
2018 年公司進一步加快 8 英寸芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)進度，已有高壓集成電路、高壓 MOS 管、低壓 MOS 管、肖特基管、IGBT 等多個產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)。2018 年 6 月，月產(chǎn)能達 20000 片，全年總共產(chǎn)出芯片 30 萬片。
上海新進芯微電子有限公司
（上海新進，8 英寸）
2019 年年底增加到月產(chǎn) 15000 片晶圓。
自 2015 年啟動 6 英寸升級計劃，2016 年 8 英寸設(shè)備開始進廠安裝調(diào)試，2017 年第四季完成了對 8 英寸晶圓質(zhì)量評估。2018 年第一季度末每月產(chǎn)能達 3000 片 8 英寸晶圓，2018 年年底增加到月產(chǎn) 10000 片晶圓。
四川廣義微電子股份有限公司
（四川廣義，6 英寸）
2019 年 7 月 19 日《英飛凌技術(shù)轉(zhuǎn)移項目》全面啟動，按節(jié)點完成 IFXGEN5．0、GEN7．0 的產(chǎn)品量產(chǎn)。月產(chǎn)能爬坡順利，至 12 月，月產(chǎn)能達 60000 片。
2018 年 12 月，在北京燕東微電子的支持下，公司 6 英寸月產(chǎn)能順利達到 30000 片，較 2018 年 7 月的 12000 片，增長了 150％。
2017 年 8 月 18 日公司“0．25 微米 6 英寸 MOSFET”芯片項目一期生產(chǎn)線的正式投產(chǎn)；2018 年 6 月與英飛凌簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議；2018 年 8 月與北京燕東微電子公司簽訂增資入股協(xié)議。
四川廣義微電子股份有限公司是一家專業(yè)化的集成電路設(shè)計、制造、銷售于一體的 IDM 高科技企業(yè)，公司規(guī)劃月產(chǎn)能 15 萬片。
河南芯睿電子科技有限公司
（芯睿電子，6 英寸）
2019 年底，芯睿電子 6 英寸生產(chǎn)線月產(chǎn)能達 20000 片。
芯睿電子 6 英寸線于 2018 年 6 月 6 英寸開始全面投產(chǎn)，達產(chǎn)后，將形成年產(chǎn) 20 億只智能終端產(chǎn)品用超小型傳聲器。
芯睿電子與中科院固體物理所、西安電子科技大學(xué)等知名科研院所深度合作，組建的光電傳感與集成應(yīng)用河南省重點實驗室、聲電轉(zhuǎn)換專用集成電路河南省工程實驗室、微電子研究院成為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、保持技術(shù)領(lǐng)先的秘密所在。公司獨有的“0．33 微米厚度聲電轉(zhuǎn)換芯片技術(shù)”一些關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達到了國際先進水平。
在建篇
廈門士蘭集科微電子有限公司
（士蘭集科，12 英寸）
2019 年 5 月開始土建；8 月完成樁基工程，主體施工開始，2019 年 12 月 23 日主廠房封頂。預(yù)計 2020 年投產(chǎn)。
2018 年 10 月 18 日，士蘭微廈門 12 英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線舉行開工典禮。
12 英寸特色工藝芯片項目總投資 170 億元，建設(shè)兩條以 MEMS、功率器件為主要產(chǎn)品的 12 英寸集成電路制造生產(chǎn)線。第一條 12 英寸產(chǎn)線，總投資 70 億元，工藝線寬 90nm，計劃月產(chǎn) 8 萬片，分兩期實施：其中一期總投資 50 億元，實現(xiàn)月產(chǎn)能 4 萬片，將于 2020 年投產(chǎn)；項目二期總投資 20 億元，新增月產(chǎn)能 4 萬片。而第二條 12 英寸產(chǎn)線為項目三期，預(yù)計總投資 100 億元，工藝線寬 65nm－－90nm。
項目由廈門士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)，公司注冊資本為 20 億元，其中廈門半導(dǎo)體投資集團以貨幣出資 17 億元，占股 85％；士蘭微以貨幣出資 3 億元，占股 15％。
武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司
（弘芯半導(dǎo)體，12 英寸）
2019 年 12 月 22 日，首臺 ASML 光刻機搬入。
2019 年 7 月 3 日，蔣爸尚義正式加盟弘芯；7 月 4 日，主廠房封頂。目前有消息說公司正在商談 14 納米光掩模制版事宜。
2018 年 9 月 11 日弘芯半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)園項目舉行開工儀式。公司宣稱立志成為全球第二大 CIDM 晶圓廠。（筆者實在不知全球第一大 CIDM 晶圓廠是哪家公司？）
項目總投資 1280 億元，主要從事 12 英寸晶圓的集成電路制造代工業(yè)務(wù)。項目計劃于 2019 年上半年完成主廠房工程施工，2019 年下半年正式投產(chǎn)。項目一期設(shè)計產(chǎn)能月產(chǎn) 4．5 萬片，預(yù)計 2019 年底投產(chǎn)；二期采用最新的制程工藝技術(shù)，設(shè)計月產(chǎn)能 4．5 萬片，預(yù) 2021 年第四季度投產(chǎn)。
公司表示，主要運營邏輯先進工藝、成熟主流工藝、以及射頻特種工藝，并持續(xù)研發(fā)世界先進的制程工藝。
三星（中國）半導(dǎo)體有限公司二期二階段
（三星西安 X2－PH2，12 英寸）
2019 年 12 月 25 日三星西安基地二期二階段正式開工建設(shè)。預(yù)計 2021 年投產(chǎn)。
2019 年 12 月 10 日，三星西安基地二期二階段投資正式啟動，預(yù)計投資達 80 億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能 7 萬片。
三星西安基地二期一階段月產(chǎn)能 6 萬片，已經(jīng)日前開始投片試產(chǎn)，將于 2020 年 3 月正式量產(chǎn)。
二期整體完工后，西安總產(chǎn)能將高達 25 萬片。
成都紫光國芯存儲科技有限公司
（紫光成都，12 英寸）
目前正在澆土建筏板，整體進度相對遲緩！原預(yù)計 2020 年第三季投產(chǎn)的時間表應(yīng)該要推后。
2018 年 10 月 12 日，紫光成都存儲器制造基地項目開工。
據(jù)介紹，紫光成都存儲器制造基地項目占地面積約 1200 畝，總投資達 240 億美元，將建設(shè) 12 英寸 3D NAND 存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，旨在打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。據(jù)悉，項目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片 30 萬片。
芯恩（青島）集成電路有限公司
（芯恩，12 英寸）
目前 12 英寸廠房還在建設(shè)中。
芯恩（青島）集成電路項目正在建設(shè)特色型工藝的 8 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內(nèi)最先進數(shù)?；旌瞎に嚨?40 納米 12 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內(nèi)最先進 14 納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片 32 位 MCU 集成電路設(shè)計團隊。
2018 年 3 月 30 日，寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司和青島西海岸新區(qū)管委、青島國際經(jīng)濟合作區(qū)管委、青島澳柯瑪控股集團有限公司簽署框架協(xié)議，打造中國首個 CIDM 集成電路項目；2018 年 4 月 6 日完成項目立項備案，4 月 18 日項目公司完成注冊，注冊名稱為芯恩（青島）集成電路有限公司（注冊資本 12．5 億元，實繳資本 2．231 億元），4 月 25 日完成首筆資金注入；2018 年 5 月 18 日芯恩集成電路項目舉行開工典禮；2018 年 12 月 13 日，簽署投資合作協(xié)議。
芯恩（青島）集成電路項目分兩期建設(shè)，總投資約 188 億元。項目開工日期為 2018 年 8 月 12 日，工程接收日為 2019 年 12 月 26 日，工期總?cè)諝v天數(shù)為 501 日歷天。
泉芯集成電路制造（濟南）有限公司
（泉芯集成，12 英寸）
泉芯集成 12 英寸晶圓制造線于 2019 年第一季度開工建設(shè)。目前到位資金約 50 億。
泉芯集成 12 英寸晶圓制造線計劃采用 12nm／7nm 的工藝節(jié)點。
股東包括逸芯集成技術(shù)（珠海）有限公司 80％、濟南高新控股集團有限公司 10％、濟南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團有限公司 10％。
逸芯集成技術(shù)（珠海）有限公司 2018 年 11 月 28 日成立，注冊資本 1 億元人民幣。注冊地是珠海市橫琴新區(qū)寶華路 6 號 105 室 －64419（集中辦公區(qū)）。法定代表人是曹山。高管信息包括：夏勁秋總經(jīng)理。
芯恩（青島）集成電路有限公司
（芯恩，8 英寸）
2019 年 10 月 28 日宣布 8 英寸項目廠房封頂，12 月 27 日高調(diào)宣布首臺設(shè)備 Olympus AL3120 搬入。經(jīng)咨詢，Olympus AL3120 是一臺顯微鏡。
芯恩（青島）集成電路項目正在建設(shè)特色型工藝的 8 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內(nèi)最先進數(shù)模混合工藝的 40 納米 12 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內(nèi)最先進 14 納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片 32 位 MCU 集成電路設(shè)計團隊。
2018 年 3 月 30 日，寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司和青島西海岸新區(qū)管委、青島國際經(jīng)濟合作區(qū)管委、青島澳柯瑪控股集團有限公司簽署框架協(xié)議，打造中國首個 CIDM 集成電路項目；2018 年 4 月 6 日完成項目立項備案，4 月 18 日項目公司完成注冊，注冊名稱為芯恩（青島）集成電路有限公司（注冊資本 12．5 億元，實繳資本 2．231 億元），4 月 25 日完成首筆資金注入；2018 年 5 月 18 日芯恩集成電路項目舉行開工典禮；2018 年 12 月 13 日，簽署投資合作協(xié)議。
芯恩（青島）集成電路項目分兩期建設(shè)，總投資約 188 億元。項目開工日期為 2018 年 8 月 12 日，工程接收日為 2019 年 12 月 26 日，工期總?cè)諝v天數(shù)為 501 日歷天。
賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
（賽萊克斯，8 英寸）
2019 年 12 月 25 日，賽萊克斯北京 8 英寸項目一期開始設(shè)備搬入，較原計劃有所遲緩。
2018 年賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司繼續(xù)完善核心管理及人才團隊，推進 8 英寸 MEMS 國際代工線建設(shè)項目的建設(shè)，2018 年 11 月基礎(chǔ)工程建設(shè)已部分封頂。項目規(guī)劃分三期建設(shè)。
原 2019 年第 3 季度一期達到試生產(chǎn)狀態(tài)，2020 年形成新增產(chǎn)能；二期預(yù)計 2012 年投產(chǎn)；三期預(yù)計在 2023 年投產(chǎn)，2024 年力爭實現(xiàn)滿載，形成年產(chǎn)能 38 萬片 8 英寸 MEMS 硅晶圓。
上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，8 英寸）
2019 年 12 月 28 日 8 英寸廠房開始設(shè)備搬入。
2019 年 5 月 21 日，上海積塔半導(dǎo)體有限公司 8 英寸特色工藝生產(chǎn)線項目廠房舉行了結(jié)構(gòu)封頂儀式。
積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項目總投資 359 億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能 6 萬片的 8 英寸生產(chǎn)線和 5 萬片 12 英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國內(nèi)首家實現(xiàn) 12 英寸 65 納米 BCD 工藝，建設(shè)一條汽車級 IGBT 專用生產(chǎn)線。
產(chǎn)品重點面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)?；a(chǎn)能力。
2018 年 8 月 16 日，積塔半導(dǎo)體有限公司特色工藝生產(chǎn)線項目正式開工。
中芯集成電路（寧波）有限公司二期
（寧波中芯 N2，8 英寸）
2019 年 2 月 28 日，中芯寧波特種工藝 N2 項目正式開工。規(guī)劃月產(chǎn)能 45000 萬。
N2 項目位于寧波市北侖區(qū)柴橋，項目用地面積 192 畝，建筑面積 20 萬平方米，項目總投資 39．9 億元，建設(shè)工期 2019 年 －2021 年，2019 年計劃投資 5 億元。
根據(jù)規(guī)劃，N2 項目建成后將形成年產(chǎn) 33 萬片 8 英寸特種工藝芯片產(chǎn)能，同期開發(fā)高壓模擬、射頻前端、特種半導(dǎo)體技術(shù)制造和設(shè)計服務(wù)。
這是中芯支持建設(shè)的特色工藝生線。中芯寧波分為 N1（小港）與 N2（柴橋）兩個項目，將建成為中國最大的模擬半導(dǎo)體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地，采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式，并提供相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計服務(wù)平臺。
杭州士蘭集昕微電子有限公司
（士蘭集昕二期，8 英寸）
士蘭集昕擬對 8 英寸線進行技術(shù)改造。本項目利用士蘭集昕現(xiàn)有的公用設(shè)施，在現(xiàn)有生產(chǎn)線的基礎(chǔ)上，通過增加生產(chǎn)設(shè)備及配套設(shè)備設(shè)施，形成新增年產(chǎn) 43．2 萬片 8 英寸芯片制造能力。
本項目總投資 15 億元，建設(shè)周期約為五年，分兩期進行。其中，一期計劃投資 6 億元，形成年產(chǎn) 18 萬片 8 英寸芯片的產(chǎn)能。二期計劃投資 9 億元，形成年產(chǎn) 25．2 萬片 8 英寸芯片的產(chǎn)能。
海辰半導(dǎo)體（無錫）有限公司
（無錫海辰，8 英寸）
2019 年 12 月 12 日，首批從韓國搬遷的工藝設(shè)備搬入海辰半導(dǎo)體廠房。
2019 年 2 月 27 日，海辰半導(dǎo)體新建 8 英寸非存儲晶圓廠主廠房正式封頂。
2018 年 7 月 SK 海力士表示，旗下晶圓代工子公司 SK 海力士系統(tǒng) IC 公司與無錫市政府旗下的無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團有限公司組成的合資公司，2018 年下半年啟動工廠的建設(shè)。
海辰半導(dǎo)體項目將建設(shè) 200 毫米晶圓模擬生產(chǎn)線，項目總投資 67．9 億，規(guī)劃年產(chǎn)能 126 萬片 8 英寸晶圓，主要生產(chǎn)面板驅(qū)動 IC（DDI）、電源管理 IC（PMIC）、CMOS 影像感測器（CIS）。
SK 海力士系統(tǒng) IC 公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，而無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團則負(fù)責(zé)提供其他必要的基礎(chǔ)設(shè)施。據(jù)悉 SK 海力士位于韓國清州 M8 廠的設(shè)備將在 2021 年底前運至無錫。
濟南富能半導(dǎo)體有限公司
（富能半導(dǎo)體，8 英寸）
2019 年 12 月 4 日，富能半導(dǎo)體一期項目成功封頂。
2019 年 3 月 15 日，富能半導(dǎo)體一期項目舉行樁基工程。據(jù)悉一期項目投資 60 億元，建設(shè)月產(chǎn) 3 萬片 8 英寸硅基半導(dǎo)體功率芯片（MOSFET、IGBT）和月產(chǎn)一千片的 6 英寸碳化硅功率器件的產(chǎn)能，產(chǎn)品覆蓋消費、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車的應(yīng)用，計劃 2020 年底實現(xiàn)量產(chǎn)。
富能半導(dǎo)體成立于 2018 年 11 月 8 日，法人代表陳昱升，持股 40％，另 60％的持有人是濟南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金；富能半導(dǎo)體項目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn) 10 萬片的兩個 8 英寸廠及一個月產(chǎn) 5 萬片的 12 英寸廠。
濟南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金的股東包括濟南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團有限公司、思華（北京）投資管理有限公司、富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司、鴻富晉精密工業(yè)（太原）有限公司、訊芯電子科技（中山）有限公司。
富士邁半導(dǎo)體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團的關(guān)聯(lián)企業(yè)，這也說明該項目確實和富士康有一定的關(guān)系。
吉林華微電子股份有限公司
（華微電子，8 英寸）
華微電子 8 英寸生產(chǎn)線籌備將近十年，終于有望實現(xiàn)。目前購買設(shè)備和廠房建設(shè)同步進行。
2019 年 4 月 1 日，華微電子公告，擬配股募集資金不超過 10 億元（含發(fā)行費用），扣除發(fā)行費用后的凈額擬全部用于新型電力電子器件基地項目（二期）的建設(shè)。項目建成后，華微電子將具有年產(chǎn) 8 英寸芯片 24 萬片的加工能力。產(chǎn)品包括重點應(yīng)用于工業(yè)傳動、消費電子等領(lǐng)域，形成 600V－1700V 各種電壓、電流等級的 IGBT 芯片；同時包括應(yīng)用于各領(lǐng)域的具有成熟產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的 MOSFET 芯片，以及與公司主流產(chǎn)品配套的 IC 芯片。
華微電子是中國功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域首家主板 A 股上市公司，是飛利浦、松下、日立、海信、創(chuàng)維、長虹等國內(nèi)外知名企業(yè)的配套供應(yīng)商。
山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
（山東興華，6 英寸）
2019 年 6 月 15 日，據(jù)稱是由我國最早的半導(dǎo)體制造公司香港興華半導(dǎo)體工業(yè)有限公司投資的山東興華半導(dǎo)體項目在日照開工。運營主體是 5 月 17 日注冊成立的山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司。
項目計劃總投資 50 億元，分兩期建設(shè)，一期計劃建設(shè)一條年產(chǎn) 36 萬片的 5 英寸 ／6 英寸的晶圓制造線，二期建設(shè)一條 8 英寸集成電路晶圓制造線。
香港興華成立 1979 年，1982 年 5 英寸晶圓生產(chǎn)線開始運營，公司主要提供 1．5＆mu；m／2．0＆mu；m／3．0＆mu；m ／5．0＆mu；m 硅柵 CMOS、2．0＆mu；m 低壓金屬柵 CMOS、5．0＆mu；m 高壓金屬柵 CMOS 工藝制程。
興華半導(dǎo)體為我國培養(yǎng)了大批的半導(dǎo)體工藝制程人才，目前國內(nèi)很多晶圓生產(chǎn)線的高管都在此工作過。
規(guī)劃篇
華潤微電子（重慶）有限公司
（華潤重慶，12 英寸）
華潤重慶基地將利用現(xiàn)有廠房建設(shè) 12 英寸生產(chǎn)線。
2018 年 11 月 5 日，華潤微電子與西永微電園簽署協(xié)議，共同發(fā)展 12 英寸晶圓生產(chǎn)線項目，該項目投資約 100 億元，建設(shè) 12 英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，將主要生產(chǎn) MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
華潤微電子無錫項目
（華潤微電子，8 英寸）
根據(jù)華潤微電子招股說明書顯示，公司計劃在無錫基地擴建一條 8 英寸生產(chǎn)線。
上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，12 英寸）
12 英寸特色芯片工藝生產(chǎn)線計劃 2023 年投產(chǎn)。
積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項目總投資 359 億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能 6 萬片的 8 英寸生產(chǎn)線和 5 萬片 12 英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國內(nèi)首家實現(xiàn) 12 英寸 65 納米 BCD 工藝，建設(shè)一條汽車級 IGBT 專用生產(chǎn)線。
產(chǎn)品重點面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)模化生產(chǎn)能力。
紫光 DRAM 項目
（紫光 DRAM，12 英寸）
紫光國芯 DRAM 存儲芯片制造工廠原預(yù)計 2019 年底開工建設(shè)，預(yù)計 2021 年建成投產(chǎn)。但截止目前，紫光國芯集成電路股份有限公司還沒有注冊成立。
2019 年 8 月 27 日，紫光集團和重慶市人民政府簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議。
根據(jù)協(xié)議，紫光集團將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國芯集成電路股份有限公司，建設(shè)包括 DRAM 總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光 DRAM 事業(yè)群總部、DRAM 存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。
2019 年 6 月 30 日，紫光集團發(fā)布公告，成立 DRAM 事業(yè)部。
青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司
（城芯半導(dǎo)體，12 英寸）
但截止目前，城芯半導(dǎo)體沒有任何實質(zhì)性進展。
青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司計劃建設(shè)一條月產(chǎn) 4 萬片的 12 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線。
2018 年 7 月 5 日，矽力杰 12 英寸先進模擬芯片集成電路產(chǎn)業(yè)化項目簽約，項目共同投資約 180 億元人民幣，建設(shè)一條 12 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線，規(guī)劃產(chǎn)能每月可達 4 萬片。
據(jù)悉，矽力杰半導(dǎo)體項目未來規(guī)劃建設(shè) 2 條 12 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線，1 條 8 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線。
實際上，青島城芯要建設(shè)的 12 英寸生產(chǎn)線就是矽力杰半導(dǎo)體青島項目，令人疑惑的是，除青島項目外，目前有多個地方園區(qū)收到矽力杰晶圓廠的計劃書。
四川中科晶芯集成電路制造有限責(zé)任公司
（中科晶芯，8 英寸）
2019 年 5 月 15 日，中國華冶科工集團有限公司、中國電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司組成聯(lián)合體與中科晶芯集成電路制造有限公司在成都簽訂了 8 寸圓晶廠項目合作意向書，據(jù)悉，工廠將在綿陽設(shè)立。
但截止目前，中科晶芯沒有任何實質(zhì)性進展。
贛州名芯半導(dǎo)體項目
（贛州名芯，8 英寸）
2019 年 6 月 6 日，贛州經(jīng)開區(qū)與名芯有限公司、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院簽訂三方合作框架協(xié)議，總投資 200 億元的名芯半導(dǎo)體項目順利落戶。
據(jù)悉，項目分兩期建設(shè)：一期投資 60 億元，建設(shè)一條 8 英寸功率晶圓生產(chǎn)線；二期投資 120－140 億元，規(guī)劃建設(shè)第三代 6／8 英寸晶圓制造生產(chǎn)線或 12 英寸硅基晶圓制造生產(chǎn)線。
項目涉及的產(chǎn)品類型包括 IGBT、功率 MOS、功率 IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領(lǐng)域全部類別中 80％品種。
同時，項目規(guī)劃建設(shè)與晶圓關(guān)聯(lián)的封測工廠、IC 設(shè)計公司、微電子研究院等三個項目。
截止目前，公司都還沒有注冊。
停擺篇
南京紫光存儲科技控股有限公司
（紫光南京，12 英寸）
目前項目處于事實停工狀態(tài)，工地已經(jīng)是草長鶯飛。
2018 年 9 月 30 日，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目項目開工，總投資 300 億美元。據(jù)悉，南京基地原計劃生產(chǎn) 64 層 3D NAND 芯片。
項目一期投資約 105 億美元，月產(chǎn)芯片 10 萬片，主要產(chǎn)品為 3D NAND Flash、DRAM 存儲芯片等。預(yù)估項目全部建成將可形成月產(chǎn) 12 英寸 3D NAND 存儲器芯片 30 萬片。
格芯（成都）集成電路制造有限公司
（格芯成都，12 英寸）
2019 年初，格芯（成都）集成電路制造有限公司已經(jīng)事實停擺。
2018 年 10 月 26 日，格芯與成都合作伙伴簽署了投資合作協(xié)議修正案。基于市場條件變化、格芯于近期宣布的重新專注于差異化解決方案，以及與潛在客戶的商議，將取消對成熟工藝技術(shù)（180nm／130nm）的原項目一期投資。同時，將修訂項目時間表，以更好地調(diào)整產(chǎn)能，滿足基于中國的對差異化產(chǎn)品的需求包括格芯業(yè)界領(lǐng)先的 22FDX 技術(shù)。
2017 年 2 月 10 日，格芯宣布正式啟動建設(shè) 12 英寸晶圓成都制造基地，推動實施成都集成電路生態(tài)圈行動計劃，投資規(guī)模累計超過 100 億美元，其中基礎(chǔ)設(shè)施是 93 億美元，其余為基礎(chǔ)設(shè)施和生態(tài)鏈的建設(shè)，力爭打造中國大陸單一邏輯產(chǎn)品產(chǎn)能最大的 12 寸工廠。
格芯 12 寸晶圓代工廠分兩期建設(shè)，第一期 0．18um 和 0．13um，技術(shù)轉(zhuǎn)移來自 GF 新加坡，2018 底預(yù)計產(chǎn)能約 2 萬每月；第二期為重頭戲 22nm SOI 工藝，2018 年開始從德國 FAB 轉(zhuǎn)移，計劃 2019 年投產(chǎn)，預(yù)計 2019 年下半年產(chǎn)能達到約 6．5 萬每月。
德淮半導(dǎo)體有限公司
（德淮，12 英寸）
公司目前已經(jīng)處于停滯狀態(tài)。
2018 年 4 月 28 日生產(chǎn)線核心設(shè)備尼康（Nikon）光刻機（S308／S206）進廠安裝，其中 S308 可滿足 65 納米工藝生產(chǎn)，S206 可滿足 110 納米工藝生產(chǎn)。
德淮半導(dǎo)體有限公司是一家專注于 CMOS 影像傳感器的半導(dǎo)體公司，總投資預(yù)計約 500 億人民幣。規(guī)劃建設(shè)三個 12 英寸 CMOS 圖像傳感器專屬晶圓廠。項目首期預(yù)計投入 150 億元，為年產(chǎn) 24 萬片的 12 英寸晶圓廠。
2016 年 1 月 19 日公司注冊成立；2016 年 3 月 27 日 12 英寸晶圓廠破土動工；2016 年 4 月 1 日在日本成立芯片設(shè)計公司；2016 年 12 月與意法半導(dǎo)體簽署工藝授權(quán)；2016 年 12 月與安森美半導(dǎo)體簽署 CIS 產(chǎn)品和技術(shù)授權(quán)；2017 年 6 月公司舉行封頂儀式。
德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司
（德科碼南京，8 英寸）
2019 年，工地現(xiàn)場已經(jīng)人去樓空，廠房已經(jīng)成為爛尾樓。
2015 年 10 月，德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司成立，服務(wù)于南京半導(dǎo)體項目籌建；并與南京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)簽署并執(zhí)行南京 8 英寸和 12 英寸晶圓廠項目。
2015 年 11 月 27 日項目簽約，總投資 25 億美元。項目將分期建設(shè)，一期項目為 8 英寸晶圓廠一座，規(guī)劃月產(chǎn)能 40000 片晶圓，以電源管理芯片、微機電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)為主。2017 年 8 月 21 日宣布獲得以色列 TowerJazz 技術(shù)支持。
一期建設(shè) 8 英寸晶圓廠，總投資 5 億美元，以自主設(shè)計的圖像傳感器芯片制造為主，預(yù)計投產(chǎn)后產(chǎn)能可達 4 萬片 ／ 月；二期項目為 12 英寸晶圓廠，總投資 20 億美元，投產(chǎn)后產(chǎn)能可達 2 萬片 ／ 月。
2016 年 6 月 8 日項目奠基，2017 年 2 月全面啟動廠區(qū)土木與機電建設(shè)工程。2018 年 2 月舉行上梁儀式。
據(jù)悉，地方政府已經(jīng)推出一系列優(yōu)惠政策，希望有公司可以接手該項目。
江蘇中璟航天半導(dǎo)體實業(yè)發(fā)展有限公司
（中璟航天，8 英寸）
目前暫時處于停滯狀態(tài)。
2019 年 4 月盱眙政府表示，現(xiàn)階段，中璟項目的推進工作有了一定的成效，但還未形成規(guī)模，盱眙會進一步落實項目主體責(zé)任，助推項目取得實質(zhì)性的發(fā)展。
2017 年，中璟航天半導(dǎo)體 8 英寸晶圓制造項目落戶小龍蝦之鄉(xiāng)淮安市盱眙縣，盱眙成為全國第三個引進 8 英寸生產(chǎn)線的縣城。
據(jù)悉，項目晶圓制造為核心，打造半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈全域化、國家級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，創(chuàng)建以產(chǎn)學(xué)研、創(chuàng)融投相結(jié)合的共融共生全生態(tài)循環(huán)經(jīng)濟發(fā)展模式，實現(xiàn)真正的“中國芯”。當(dāng)時項目方表示，項目總投資 120 億元，其中兩條年產(chǎn) 24 萬片 8 英寸 CIS 晶圓制造廠的投資為 60 億元，原預(yù)計將于 2018 年 12 月底前竣工投產(chǎn)。
2018 年 4 月在南京舉行的“2018 中國半導(dǎo)體市場年會暨第七屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”上，中璟航天獲得賽迪顧問頒發(fā)的“最具成長力企業(yè)獎”和“投資新銳獎”兩個獎項。
中璟航天實力如何，筆者不得而知。但是中璟航天確實是高調(diào)。
2017 年 3 月 11 日，中璟航天半導(dǎo)體宣布投資近 40 億美元的 12 英寸 CIS 晶圓廠落戶成都郫都區(qū)，沒有下文；2017 年 4 月 22 日宣布投資 60 億元半導(dǎo)體生產(chǎn)基地項目落戶廣東江門市開平翠山湖科技園，無疾而終；2018 年 4 月 28 日，江蘇發(fā)布了《2018 年省重大項目名單》，在第二部分“前期工作項目”中，我們也發(fā)現(xiàn)有“如皋中璟航天第三代化合物半導(dǎo)體”，沒有動靜了。
二、化合物項目
1、投產(chǎn)篇
廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
（士蘭明鎵，6／4 英寸，砷化鎵 ／ 氮化鎵）
士蘭化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目于 2019 年 12 月 23 日投產(chǎn)，計劃 7 款產(chǎn)品逐步投入量產(chǎn)，將于 2021 年達產(chǎn)。
士蘭化合物半導(dǎo)體項目由廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司負(fù)責(zé)實施運營，公司注冊資本為 8 億元，其中廈門半導(dǎo)體投資集團以貨幣出資 5．6 億元，占股 70％；士蘭微以貨幣出資 2．4 億元，占股 30％。
項目總投資 50 億元，建設(shè) 4／6 英寸兼容先進化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括下一代光模塊芯片、5G 與射頻相關(guān)模塊、高端 LED 芯片產(chǎn)品。分兩期實施，其中，項目一期投資 20 億元，2019 年底投產(chǎn)，2021 年投產(chǎn)；項目二期投資 30 億元，計劃 2021 年啟動，2024 年達產(chǎn)。
2018 年 10 月 18 日，項目舉行開工典禮；2019 年 4 月主廠房封頂；6 月進入設(shè)備安裝調(diào)試階段，砷化鎵與氮化鎵芯片產(chǎn)品已分別于 10 月 18 日、12 月 10 日正式通線點亮。
2、產(chǎn)能爬坡篇
英諾賽科（珠海）科技有限公司
（英諾賽科珠海，8 英寸，氮化鎵）
2019 年 8 英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線產(chǎn)能進一步提升，公司現(xiàn)有三臺世界領(lǐng)先的針對 8 英寸硅基氮化鎵外延的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備 G5＋ MOCVD 機臺。
2017 年 11 月 9 日，英諾賽科（珠海）科技有限公司 8 英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線通線投產(chǎn)。主要產(chǎn)品包括 8 英寸硅基氮化鎵晶圓及 100V－650V 氮化鎵功率器件。
株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司
（株洲中車，6 英寸，碳化硅）
株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司成立于 2019 年 1 月 18 日，承接株洲中車時代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部的現(xiàn)有資產(chǎn)、負(fù)債及業(yè)務(wù)。專業(yè)從事大功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與制造，是我國最早開發(fā)大功率半導(dǎo)體器件的單位之一，全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SiC（碳化硅）器件及功率組件全套技術(shù)。
2018 年 1 月，在中國科學(xué)院微電子研究所的技術(shù)支持和協(xié)助下，株洲中車 6 英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線順利完成技術(shù)調(diào)試，廠務(wù)、動力、工藝、測試條件均已完備，可實現(xiàn) 4 英寸及 6 英寸 SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發(fā)與制造。這是國內(nèi)首條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線。
生產(chǎn)廠房 2017 年 8 月交付使用，12 月 SiC 芯片生產(chǎn)線便完成了工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試，2018 年 1 月首批芯片試制成功。
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
（蘇州能詡，4 英寸，氮化鎵）
2019 年 5 月，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 4 英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 3 英寸氮化鎵器件生產(chǎn)線于 2011 年開始建設(shè)；2013 年試生產(chǎn)，2014 年投產(chǎn)，2015 年開始批量生產(chǎn)。2017 年開始轉(zhuǎn)換 4 英寸。
能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計與制造（IDM）的模式，自主開發(fā)了氮化鎵材料生長、芯片設(shè)計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)。目前完成了面向 5G 通信系統(tǒng)的技術(shù)與產(chǎn)品的積累，產(chǎn)品性能已通過國際一流通訊企業(yè)的測試與認(rèn)證。
江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
（江蘇能華，4／6 英寸，氮化鎵）
2017 年 11 月 15 日公司生產(chǎn)線正式投產(chǎn)后，產(chǎn)能一直在穩(wěn)定提升中。
江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司是專業(yè)設(shè)計、研發(fā)，生產(chǎn)、制造和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。
3、在建篇
英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司
（英諾賽科蘇州，8 英寸，氮化鎵 ／ 碳化硅）
2019 年 8 月 29 日主廠房封頂，預(yù)計 12 月底生產(chǎn)設(shè)備正式進廠，2020 年投產(chǎn)。
2018 年 6 月 23 日開工，計劃在 5 年內(nèi)完成投資 60 億，達產(chǎn)后，月產(chǎn)能達 6 萬片。項目將聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產(chǎn)品，目標(biāo)是打造一個包括理論研究、材料研發(fā)與制造、器件設(shè)計、芯片制造、封裝測試、失效分析和應(yīng)用驗證等全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體研發(fā)基地。為 5G 通信、新能源汽車、智能制造、人工智能、電子信息、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域提供更先進的、高效、節(jié)能和低成本的核心半導(dǎo)體芯片。
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司
（世紀(jì)金光，6 英寸，碳化硅）
2018 年 2 月 1 日，北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司 6 英寸碳化硅器件生產(chǎn)線成功通線。截止目前，工藝還在調(diào)試中。
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于 2010 年 12 月 24 日，其前身為中原半導(dǎo)體研究所。公司主營寬禁帶半導(dǎo)體晶體材料、外延和器件的研發(fā)與生產(chǎn)。
濟南富能半導(dǎo)體有限公司
（富能半導(dǎo)體，6 英寸，碳化硅）
2019 年 12 月 4 日，富能半導(dǎo)體一期項目成功封頂。
2019 年 3 月 15 日，富能半導(dǎo)體一期項目舉行樁基工程。據(jù)悉一期項目投資 60 億元，建設(shè)月產(chǎn) 3 萬片 8 英寸硅基半導(dǎo)體功率芯片（MOSFET、IGBT）和月產(chǎn)一千片的 6 英寸碳化硅功率器件的產(chǎn)能，產(chǎn)品覆蓋消費、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車的應(yīng)用，計劃 2020 年底實現(xiàn)量產(chǎn)。
富能半導(dǎo)體成立于 2018 年 11 月 8 日，法人代表陳昱升，持股 40％，另 60％的持有人是濟南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金；富能半導(dǎo)體項目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn) 10 萬片的兩個 8 英寸廠及一個月產(chǎn) 5 萬片的 12 英寸廠。
濟南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金的股東包括濟南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團有限公司、思華（北京）投資管理有限公司、富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司、鴻富晉精密工業(yè)（太原）有限公司、訊芯電子科技（中山）有限公司。
富士邁半導(dǎo)體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團的關(guān)聯(lián)企業(yè)，這也說明該項目確實和富士康有一定的關(guān)系。
4、規(guī)劃篇
上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，6 英寸，碳化硅）
積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項目總投資 359 億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能 6 萬片的 8 英寸生產(chǎn)線和 5 萬片 12 英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國內(nèi)首家實現(xiàn) 12 英寸 65 納米 BCD 工藝，建設(shè)一條汽車級 IGBT 專用生產(chǎn)線。
產(chǎn)品重點面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)模化生產(chǎn)能力。
5、停擺篇
北京雙儀微電子科技有限公司
（北京雙儀，6 英寸，砷化鎵）
目前項目終止。
2018 年 7 月 30 日，北京雙儀微電子科技有限公司宣布擬投資 10 億元，租賃北京燕東微電子科技有限公司的部分廠房建設(shè)具備規(guī)?；慨a(chǎn)能力的先進工藝技術(shù)生產(chǎn)線，進行 6 英寸砷化鎵微波集成電路（GaAs MMIC）芯片的代工服務(wù)，該項目預(yù)計于 2019 年初投產(chǎn)使用，規(guī)劃每月 2 萬片產(chǎn)能。
北京雙儀微電子科技有限公司是一家技術(shù)初創(chuàng)公司，旨在為 5G 和 IoT 毫米波市場領(lǐng)域所遇到的挑戰(zhàn)開發(fā)出新的解決方案，提供高性能的射頻組件。
2020 年特別關(guān)注項目
2020 年關(guān)注以下項目，看命運如何？
福建省晉華集成電路有限公司：2020 能否滿血復(fù)活
芯恩（青島）集成電路有限公司：鐵打的營盤流水的兵
江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司：花開花落終有期
武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司：熊心撞志當(dāng)老二
泉芯集成電路制造（濟南）有限公司：千金散盡還復(fù)來
紫光 DRAM 項目：猶抱琵笆半遮面
作者：趙元闖
多年來，芯思想研究院（ChipInsights）對國內(nèi) 12 英寸、8 英寸、6 英寸晶圓生產(chǎn)線的情況進行了長期深入的跟蹤調(diào)研。
根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計，截止 2019 年底我國 12 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 90 萬片，較 2018 年增長 50％；8 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 100 萬片，較 2018 年增長 10％；6 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 230 萬片，較 2018 年增長 15％；5 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 80 萬片，較 2018 年下降 11％；4 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 260 萬片，較 2018 年增長 30％；3 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 40 萬片，較 2018 年下降 20％。
為了讓大家對我國新的晶圓制造線的最新情況有個了解，本文對 2019 年度有關(guān)中國晶圓生產(chǎn)線的最新情況進行盤點，現(xiàn)將調(diào)研情況梳理如下。
共計 63 個項目，其中 6 個項目已經(jīng)停擺，刨除停擺項目外，其他 57 個項目宣布投資總額超過 15000 億人民幣，較 2018 年統(tǒng)計增長 7％。
本文分為兩大部分，一是硅基項目，二是化合物項目；每部分包括投產(chǎn)篇、產(chǎn)能爬坡篇、在建篇、規(guī)劃篇、停擺篇。
投產(chǎn)篇：2019 年度宣布投產(chǎn)的晶圓制造生線
產(chǎn)能爬坡篇：2019 年前投產(chǎn)的生產(chǎn)線，2019 年產(chǎn)能較 2018 年開始提升
在建篇：2019 年度還在建設(shè)的晶圓生產(chǎn)線
規(guī)劃篇：宣布建線計劃
停擺篇：2019 年度停止建設(shè)的項目
一、硅基項目（53）
投產(chǎn)篇（12）
中芯南方集成電路制造有限公司（12 英寸 14 納米）
華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司（12 英寸）
武漢新芯集成電路制造有限公司二期（12 英寸）
三星（中國）半導(dǎo)體有限公司二期一階段
廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（12 英寸）
重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司（12 英寸）
江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司（12 英寸）
SK 海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司（12 英寸）
福建省晉華集成電路有限公司（12 英寸）
中芯集成電路制造（紹興）有限公司（中芯紹興，8 英寸）
北京燕東微電子科技有限公司（8 英寸）
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司（6 英寸）
產(chǎn)能爬坡篇（14）
上海華力集成電路制造有限公司（12 英寸）
長江存儲科技有限責(zé)任公司（12 英寸）
長鑫存儲技術(shù)有限公司（12 英寸）
合肥晶合集成電路有限公司（12 英寸）
聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司（12 英寸）
臺積電（南京）有限公司（12 英寸）
英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司（12 英寸）
中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司（12 英寸）
中芯國際集成電路制造（天津）有限公司（8 英寸）
中芯集成電路（寧波）有限公司（N1，8 英寸）
杭州士蘭集昕微電子有限公司（士蘭集昕，8 英寸）
上海新進芯微電子有限公司（8 英寸）
四川廣義微電子股份有限公司（6 英寸）
河南芯睿電子科技有限公司（芯睿電子 6 英寸）
在建篇（15）
廈門士蘭集科微電子有限公司（12 英寸）
武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司（弘芯半導(dǎo)體，12 英寸）
三星（中國）半導(dǎo)體有限公司二期二階段（12 英寸）
成都紫光國芯存儲科技有限公司（12 英寸）
芯恩（青島）集成電路有限公司（芯恩，12 英寸）
泉芯集成電路制造（濟南）有限公司（泉芯集成，12 英寸）
芯恩（青島）集成電路有限公司（芯恩，8 英寸）
賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司（賽萊克斯，8 英寸）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，8 英寸）
中芯集成電路（寧波）有限公司二期（中芯寧波二期，8 英寸）
杭州士蘭集昕微電子有限公司（士蘭集昕二期，8 英寸）
海辰半導(dǎo)體（無錫）有限公司（無錫海辰，8 英寸）
濟南富能半導(dǎo)體有限公司（富能半導(dǎo)體，8 英寸）
吉林華微電子股份有限公司（華微電子，8 英寸）
山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（6 英寸）
規(guī)劃篇（7）
華潤微電子（重慶）有限公司（華潤重慶，12 英寸）
華潤微電子無錫項目（華潤微電子，8 英寸）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，12 英寸）
紫光 DRAM 項目（紫光 DRAM，12 英寸）
青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司（城芯半導(dǎo)體，12 英寸）
四川中科晶芯集成電路制造有限責(zé)任公司（中科晶芯，8 英寸）
贛州名芯半導(dǎo)體項目（贛州名芯，8 英寸）
停擺篇（5）
南京紫光存儲科技控股有限公司（12 英寸）
格芯（成都）集成電路制造有限公司（格芯成都，12 英寸）
德淮半導(dǎo)體有限公司（12 英寸）
德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司（德科碼南京，8 英寸）
江蘇中璟航天半導(dǎo)體實業(yè)發(fā)展有限公司（中璟航天，8 英寸）
二、化合物項目（10）
投產(chǎn)篇（1）
廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（6 英寸）
產(chǎn)能爬坡篇（4）
英諾賽科（珠海）科技有限公司（8 英寸）
株洲中車時代電氣股份有限公司（6 英寸碳化硅）
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（氮化鎵）
江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司（氮化鎵）
在建篇（3）
英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（8 英寸）
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（6 英寸碳化硅）
濟南富能半導(dǎo)體有限公司（6 英寸）
規(guī)劃篇（1）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，6 英寸）
停擺篇（1）
北京雙儀微電子科技有限公司（6 英寸砷化鎵）
一、硅基項目
投產(chǎn)篇
中芯南方集成電路制造有限公司
（中芯南方，12 英寸 14 納米）
2019 年中芯南方集成電路制造有限公司 12 英寸 14 納米生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，標(biāo)志著中國大陸集成電路生產(chǎn)工藝向前推進一步，順利完成《推進綱要》的目標(biāo)。。
2019 年第一季度，中芯南方 FinFET 工廠首臺光刻機搬入，開始產(chǎn)能布建。目前已經(jīng)具備月產(chǎn)能 3500 片規(guī)模，最終達到每月產(chǎn)能 35000 片的目標(biāo)。
中芯南方成立于 2016 年 12 月 1 日，是配合中芯國際 14 納米及以下先進制程研發(fā)和量產(chǎn)計劃而建設(shè)的具備先進制程產(chǎn)能的 12 英寸晶圓廠。
華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司一期
（華虹無錫，12 英寸）
2020 年 1 月 1 日舉行首批功率器件晶圓投片儀式，并和無錫新潔能簽約。華虹無錫的 IC＋Power 戰(zhàn)略，Logic、eFlash、BCD、SOI RF 和 Power 等工藝平臺陸續(xù)推出，可滿足無錫絕大多數(shù)設(shè)計公司。
2019 年 5 月 24 日首臺設(shè)備搬入，并舉行了 HHFAB7 廠授牌儀式。2019 年 6 月 6 日華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地 12 英寸生線一期 3 臺光刻機臺搬入；2019 年 9 月 17 日試投片生產(chǎn)，標(biāo)志著中國第一條 12 英寸 90 納米 ／55 納米工藝的功率器件生產(chǎn)線投產(chǎn)。
2017 年 8 月 2 日，華虹宏力與無錫市政府及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）簽訂了一份投資協(xié)議，三方將在無錫投資建設(shè)一座 12 英寸晶圓廠。據(jù)介紹，大基金向華虹注資 9．22 億美元，其中 4 億美元投給華虹半導(dǎo)體，持股 18．94％；5．22 億美元投給華虹無錫，持股 29％。
華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目占地約 700 畝，總投資 100 億美元，一期項目總投資約 25 億美元，新建一條工藝等級 90－65／55 納米、月產(chǎn)能約 4 萬片的 12 英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持 5G 和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。
武漢新芯集成電路制造有限公司二期
（新芯二期，12 英寸）
2019 年二期擴產(chǎn)項目已經(jīng)順利投產(chǎn)。
2018 年 8 月 28 日，武漢新芯集成電路制造有限公司召開二期擴產(chǎn)項目現(xiàn)場推進會在武漢召開。據(jù)悉武漢新芯二期擴產(chǎn)項目規(guī)劃總投資 17．8 億美元；2018 年 12 月開始進入設(shè)備安裝調(diào)試。
據(jù)悉，二期將緊抓物聯(lián)網(wǎng)和 5G 運用的市場機遇，建設(shè) NOR Flash（自主代碼型）閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務(wù)平臺，相當(dāng)于再造一個武漢新芯。
根據(jù)規(guī)劃，武漢新芯的 NOR Flash 閃存能力每個月擴充 8000 片，從月產(chǎn)能 1．2 萬片擴至月能 2 萬片，微控制器每個月擴充 5000 片，計劃用 5 年時間把武漢新芯建設(shè)成中國物聯(lián)網(wǎng)芯片領(lǐng)導(dǎo)型企業(yè)。
三星（中國）半導(dǎo)體有限公司二期一階段
（三星西安 X2－PH1，12 英寸）
2019 年 7 月開始設(shè)備安裝調(diào)試，目前已經(jīng)開始試運行生產(chǎn)，為量產(chǎn)做準(zhǔn)備，2020 年 3 月正式量產(chǎn)。
2018 年 3 月，三星宣布在西安舉行了 3D NAND 閃存芯片二期一階段項目奠基儀式。
三星半導(dǎo)體西安存儲芯片基地進行了重新規(guī)劃，將二期項目分為兩個階段，目前在建的做為二期第一階段，投資 70 億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能 6 萬片，到 2020 年底，西安 3D NAND 月產(chǎn)能將由目前的 12 萬片增至 18 萬片，增幅約 50％。
廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
（廣州粵芯，12 英寸）
2019 年 9 月 20 日，粵芯半導(dǎo)體第一階段的生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。
2019 年 3 月 15 日，廣州粵芯半導(dǎo)體有限公司舉行了 12 英寸生產(chǎn)線設(shè)備搬入儀式，首批進入的設(shè)備來自全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，包括 ASML 的光刻機、AMAT 的晶圓缺陷檢測設(shè)備、LAM Research 的刻蝕設(shè)備、TEL 的涂膠顯影設(shè)備和 KLA 的檢測和量測設(shè)備。3 月 19 日，有多臺國產(chǎn)設(shè)備開始搬入并安裝調(diào)試；2019 年 6 月 29 日，粵芯半導(dǎo)體宣布，第一階段的生產(chǎn)線調(diào)試已經(jīng)完成，首批樣品已經(jīng)出貨，良率已達到預(yù)期目標(biāo)。
2018 年 3 月開始樁基工程，10 月 11 日舉行了 12 英寸集成電路生產(chǎn)線項目主廠房封頂；12 月 7 日潔凈室正壓送風(fēng)。
2017 年 12 月舉行開工儀式，這是國內(nèi)第一座以虛擬 IDM （Virtual IDM） 為營運策略的 12 英寸晶圓廠，也是廣州第一條 12 英寸晶圓生產(chǎn)線。
粵芯半導(dǎo)體項目投資 70 億元，新建廠房及配套設(shè)施共占地 14 萬平方米。建成達產(chǎn)后，粵芯半導(dǎo)體將實現(xiàn)月產(chǎn) 40000 片 12 英寸晶圓的生產(chǎn)能力，采用 130nm 到 180nm 工藝節(jié)點生產(chǎn)，產(chǎn)品包括微處理器、電源管理芯片、模擬芯片、功率分立器件等，滿足物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、5G 等創(chuàng)新應(yīng)用的模擬芯片需求。
重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司
（重慶萬國，12 英寸）
2019 年上半年，重慶萬國完成了 12 英寸生產(chǎn)線設(shè)備安裝，7 月開始小批量 12 英寸晶圓生產(chǎn)。
2015 年 9 月，兩江新區(qū)管委會與萬國半導(dǎo)體科技有限公司簽訂“12 英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地項目投資協(xié)議”，2016 年 4 月 22 日成立重慶萬國，將主要從事功率半導(dǎo)體器件（含功率 MOSFET、IGBT 等功率集成電路）的產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)制造。2017 年 2 月動工建設(shè)。2018 年 3 月開始搬入設(shè)備并裝機。
萬國半導(dǎo)體科技有限公司是全球技術(shù)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)，該項目總投資 10 億美元，將分二期建設(shè)。其中，項目一期投資約 5 億美元，建筑面積 93111 平方米，預(yù)計每月生產(chǎn) 2 萬片芯片、封裝測試 5 億顆芯片；二期投資約 5 億美元，預(yù)計每月生產(chǎn) 5 萬片芯片、封裝測試 12．5 億顆半導(dǎo)體芯片。
江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司
（時代芯存，12 英寸）
2019 年 8 月 26 日，時代全芯發(fā)布了基于相變材料的 2 兆位可編程只讀相變存儲器產(chǎn)品（EEPROM）“溥元 611”，標(biāo)志著中國首條 PCRAM 后道生產(chǎn)線投產(chǎn)，其前道生產(chǎn)還是選擇和華力微合作。
2019 年 4 月，KLA 和日立（Hitachi）的量測機臺，以及 Wet Etch、CVD 機臺陸續(xù)搬入。2018 年 4 月 10 日，生產(chǎn)線核心設(shè)備 ASML 1950Hi 光刻機進廠安裝，1950Hi 可滿足 38 納米工藝生產(chǎn)。
2018 年 12 月公司入選工信部存儲器“一條龍”應(yīng)用計劃“示范企業(yè)”，年產(chǎn) 10 萬片 12 英寸相變存儲器項目入選“示范項目”，是少數(shù)幾家入選“示范企業(yè)”和“示范項目”的公司 ，更是全國唯一一家相變存儲器（PCM）入選的公司。
2016 年 9 月 28 日，項目正式破土動工；2017 年 3 月 1 日，年產(chǎn) 10 萬片 12 英寸相變存儲器項目舉行動工儀式；2017 年 11 月 9 日主廠房封頂。
江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司正式致力于開發(fā)及生產(chǎn)搭載最新 PCM 技術(shù)的存儲產(chǎn)品。江蘇淮安 PCRAM 生產(chǎn)項目總投資 130 億元，一期投資 43 億元。公司宣稱擁有相變存儲器完整的技術(shù)和工藝的知識產(chǎn)權(quán)及產(chǎn)業(yè)化能力，已制定了未來十年的產(chǎn)品規(guī)劃。2017 年 6 月 16 日，與 IBM 公司就相變存儲知識產(chǎn)權(quán)移轉(zhuǎn)淮安簽約暨大容量存儲產(chǎn)品研發(fā)合作啟動儀式舉行。
SK 海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司
（SK 海力士，12 英寸）
2019 年 4 月 18 日 SK 海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司舉行了無錫工廠擴建（C2F）竣工儀式，不過海力士對于產(chǎn)能爬坡不是太積極。
2018 年 11 月 30 日，首臺生產(chǎn)裝備開始搬入廠房。
2016 年 11 月二工廠破土動工，2017 年 10 月 29 日，SK 海力士與無錫市政府就海力士新上二工廠項目簽約，總投資高達 86 億美元。擴建完成之后，到滿產(chǎn)時，無錫基地將形成月產(chǎn)能 20 萬片 10 納米制程等級的晶圓生產(chǎn)基地。
SK 海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司是由韓國 SK 海力士株式會社于 2005 年 4 月投資設(shè)立的半導(dǎo)體制造工廠，主要生產(chǎn) 12 英寸半導(dǎo)體集成電路芯片。
SK 海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司在錫進行了多次增資及技術(shù)升級，累計投資額約 200 億美元。
福建省晉華集成電路有限公司
（晉華集成，12 英寸）
2019 年以來，筆者在多個場合見到晉華集成副總，雖然并未透露任何有關(guān)晉華的信息，但其代表晉華公開現(xiàn)身，應(yīng)該表明“晉華仍在運轉(zhuǎn)當(dāng)中”。
2018 年 10 月 30 日，美國商務(wù)部以國家安全為由，宣布自 10 月 30 日起對晉華集成實施出口管制，被美國列入出口管制“實體清單”的中國企業(yè)。限制對其出口，原因是該公司新增的存儲芯片生產(chǎn)能力將威脅到為軍方提供此類芯片的美國供應(yīng)商的生存能力。目前項目陷入危機中。
2016 年 2 月 26 日，晉華集成在福建省晉江市成立；2016 年 4 月，臺灣經(jīng)濟部投審會通過聯(lián)電和晉華集成合作共同開發(fā) 32 納米 DRAM 制程；由聯(lián)電在南科研發(fā)，再移轉(zhuǎn)到晉華集成生產(chǎn)；2016 年 5 月，晉華集成與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)議，開發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)。由晉華支付技術(shù)報酬金，開發(fā)出的 DRAM 技術(shù)成果，將由雙方共同擁有；2016 年 6 月 9 日晉華集成首座 12 英寸晶圓廠項目立項備案；2016 年 7 月，晉華集成首座 12 英寸晶圓廠舉行施工典禮；2016 年 10 月 18 日，晉華集成首座 12 英寸晶圓廠正式開工建設(shè)；2017 年 11 月，晉華集成首座 12 英寸晶圓廠廠房封頂；2018 年 7 月晉華集成首座 12 英寸晶圓廠工藝設(shè)備進場安裝，計劃年底進行小規(guī)模投片試產(chǎn)。
晉華集成是由福建省電子信息集團、及泉州、晉江兩級政府共同出資設(shè)立，被納入我國“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。晉華集成電路與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，專注于 DRAM 產(chǎn)品領(lǐng)域。預(yù)估 2018 年 9 月正式投產(chǎn)，到 2019 年底一廠一期項目可實現(xiàn)月產(chǎn) 6 萬片 12 英寸晶圓的產(chǎn)能，到 2020 年底一廠二期也將達產(chǎn) 6 萬片。并適時啟動二廠的建設(shè)，到二廠達產(chǎn)時，總產(chǎn)能將達 24 萬片。
中芯集成電路制造（紹興）有限公司
（中芯紹興，8 英寸）
2109 年 11 月 16 日，中芯集成電路制造（紹興）有限公司宣布 8 英寸生產(chǎn)線通線投片，2020 年 3 月正式量產(chǎn)。
2019 年 6 月 19 日，主體工程結(jié)頂；9 月搬入工藝設(shè)備，10 月完成了 151 臺套設(shè)備的安裝調(diào)試。
2018 年 5 月 18 日，中芯紹興 8 英寸廠房項目舉行奠基儀式，標(biāo)志著中芯國際微機電和功率器件產(chǎn)業(yè)化項目正式落地紹興。
2018 年 3 月 1 日，中芯紹興項目舉行簽約儀式，項目首期投資 58．8 億元人民幣。
北京燕東微電子科技有限公司
（北京燕東，8 英寸）
2019 年 12 月燕東微電子 8 英寸生產(chǎn)線投片，經(jīng)過多次工藝試驗后，目前良率已經(jīng)達到預(yù)期。
2019 年 6 月 25 日，燕東微電子 8 英寸生產(chǎn)線首批設(shè)備正式搬入。首臺搬入的設(shè)備是北方華創(chuàng)的刻蝕機。
2018 年 12 月 31 日，燕東微電子 8 英寸 Mini－line 試驗線第一片晶圓正式下線，實現(xiàn)了 Trench MOSFET 30V 產(chǎn)品全流程貫通，器件功能良好，電性能測試單片良率超 80％。這是燕東微電子在 8 英寸晶圓制造的里程碑。
2018 年 4 月 15 日，燕東微電子 8 英寸集成電路項目舉行上梁儀式，6 月 29 日主廠房封頂。
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司
（江蘇英銳，6 英寸）
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司 6 英寸廠于 2019 年第四季度試生產(chǎn)運營。
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司是由深圳英銳集團子公司盈信通科技（香港）有限公司投資建設(shè)，于 2018 年 3 月正式啟動，項目總投資 1．5 億美元。項目達產(chǎn)后，可年產(chǎn)芯片 60 萬片，主要生產(chǎn)功率分立器件。
從日本、美國引進生產(chǎn)所需光刻機、離子注入機、刻蝕機、PECVD、濺射臺等共計 415 臺（套）。
產(chǎn)能爬坡篇
上海華力集成電路制造有限公司
（華力二期，12 英寸）
自投產(chǎn)以來，上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）的產(chǎn)能迅速爬坡，2019 年第二季度達月產(chǎn) 10000 片，到第四季度達月產(chǎn) 20000 片。
2018 年 10 月 18 日，上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）生產(chǎn)線正式投片，首批 12 英寸硅片進入機臺，開始 28 納米工藝芯片制造。
2016 年 12 月 30 日上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HHFAB6）12 英寸先進生產(chǎn)線開工建設(shè)；2017 年 5 月 20 日樁基工程完工，開始主廠房鋼結(jié)構(gòu)屋架吊裝，11 月 2 日廠房主體結(jié)構(gòu)完成；2018 年 5 月 21 日實現(xiàn)首臺工藝設(shè)備光刻機搬入。
上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）12 英寸先進生產(chǎn)線建設(shè)項目是上海市最大的集成電路產(chǎn)業(yè)投資項目，總投資 387 億元人民幣，建成月產(chǎn)能 4 萬片的 12 英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，工藝覆蓋 28－14 納米技術(shù)節(jié)點。項目計劃于 2022 年底達產(chǎn)。
長江存儲科技有限責(zé)任公司
（長江存儲，12 英寸）
2019 年長江存儲 32 層 3D NAND 閃存芯片實現(xiàn)全速量產(chǎn)；9 月 64 層 3D NAND 閃存芯片已經(jīng)開始生產(chǎn)。目前月產(chǎn)能約 2 萬片，2020 年將爬坡至 5 萬片。
2018 年第四季度，長江存儲一期工程正式投產(chǎn)，32 層 3D NAND 閃存芯片成功實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。
2016 年 7 月 26 日，長江存儲有限責(zé)任公司成立；2016 年 12 月 30 日，國家存儲器基地項目正式開工建設(shè)；2017 年 7 月，32 層 3D NAND 芯片 T／O（設(shè)計完成）；2017 年 9 月，國家存儲器基地項目一期工程提前封頂；2017 年 11 月，耗資 10 億美元、1000 人團隊歷時 2 年研發(fā)的 32 層 3D NAND 芯片完成首次驗證；2018 年 4 月 11 日，一期工程生產(chǎn)機臺正式進場安裝。
國家存儲器基地項目規(guī)劃，預(yù)計 5 年投入 1600 億元（約合 240 億美元），到 2020 年形成月產(chǎn)能 30 萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到 2030 年建成每月 100 萬片的產(chǎn)能。
長鑫存儲技術(shù)有限公司
（長鑫存儲，12 英寸）
2019 年 9 月 20 日宣布正式量產(chǎn)，目前裝機月產(chǎn)能 20000 片。
2019 年 5 月 15 日的 GSA Memory＋論壇上，長鑫存儲董事長朱一明表示，公司 DRAM 項目計劃年內(nèi)大規(guī)模投產(chǎn)，產(chǎn)生正向現(xiàn)金流，實現(xiàn)商業(yè)可持續(xù)。長鑫存儲 DRAM 技術(shù)來源于奇夢達，持續(xù)投入研發(fā)超過 25 億美元，并不斷完善自身研發(fā)技術(shù)；長鑫存儲完成了第一座 12 英寸 DRAM 存儲器晶圓廠建設(shè)，技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)有序開展，已持續(xù)投入晶圓超 15000 片。
2016 年 5 月 6 日合肥 12 英寸存儲器“506 項目”啟動；2017 年 3 月廠房開工；2018 年 1 月開始設(shè)備安裝；2018 年 7 月 16 日，合肥 12 英寸存儲器“506 項目”正式投片；2018 年底 19 納米產(chǎn)品第一階段成果通過鑒定。
根據(jù)規(guī)劃，長鑫存儲合肥 12 英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產(chǎn)能為 12 萬片，預(yù)計分為三個階段執(zhí)行，第一階段要完成單月 4 萬片，目前為 2 萬片，2020 年第一季底達到 4 萬片。2020 年開始規(guī)劃建設(shè)二期項目，并于 2021 年完成 17 納米工藝的 DRAM 研發(fā)。
合肥晶合集成電路有限公司
（合肥晶合，12 英寸）
2019 年底月產(chǎn)能達到 20000 片規(guī)模，較 2018 年 12 月擴增 1 倍。
2018 年，晶合以 110 納米 －180 納米工藝制造 LCD 驅(qū)動芯片。由于因為股權(quán)問題，和力晶陷入冷凍期，此后不再從力晶進行技轉(zhuǎn)，而是自研 55 納米工藝技術(shù)邏輯工藝，原計劃 2019 年量產(chǎn)，目前看來較計劃有所落后。
2015 年 10 月 20 日，晶合總投資 128．1 億元人民幣的 12 英寸晶圓制造基地項目（一期）開工；2016 年 11 月 16 日晶合集成一期舉行封頂儀式；2017 年 4 月 20 日，晶合集成主機臺進駐；2017 年 6 月 28 日投產(chǎn)；2017 年 9 月 25 日達到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)；2017 年 10 月 1 日宣布正式量產(chǎn)。
公司計劃建置 4 座 12 英寸晶圓廠。其中一期投入資金超過百億元，目前已完成 N1、N2 兩個廠房主體的建設(shè)，N1 廠計劃 2020 年達到滿產(chǎn)每月 4 萬片規(guī)模。
聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司
（廈門聯(lián)芯，12 英寸）
2019 年聯(lián)芯集成一期滿載月產(chǎn)能約為 25000 萬片，實際產(chǎn)出每月 18000＋片。
聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司為臺灣聯(lián)華電子與廈門市人民政府及福建省電子信息集團合資成立之一流晶圓專工企業(yè)，于福建省廈門市從事集成電路制造，提供 12 英寸晶圓專工服務(wù)。聯(lián)芯集成電路制造公司于 2014 年底開始籌建，2015 年 3 月 26 日奠基動工，2016 年 11 月開始投產(chǎn)，可提供 40nm 及 28nm 的晶圓專工服務(wù)，一期月產(chǎn)能為 25000 片 12 英寸晶圓。
廈門聯(lián)芯廠在引進 28 納米制程后，2017 年第二季度投產(chǎn) 5000 片，第三季度投產(chǎn) 12000 片。2017 年 12 月 13 日通過 189．9 億元新臺幣（約合 6．3 億美元）資本預(yù)算執(zhí)行案，間接增資廈門聯(lián)芯集成電路制造有限公司，擴增晶圓廠產(chǎn)能。2018 年第一季度月產(chǎn)能將擴增至 16000 片規(guī)模，2018 年年底實現(xiàn)月產(chǎn) 25000 片的目標(biāo)。
臺積電（南京）有限公司
（臺積電南京，12 英寸）
2019 年月產(chǎn)能提升為 15000 片，2020 年第一季達到 20000 片的規(guī)劃產(chǎn)能。
2018 年 10 月 31 日，臺積電正式對外宣布南京 12 英寸晶圓廠 FAB16 量產(chǎn)，提供 12 寸 16nm FinFET 晶圓代工業(yè)務(wù)。
2015 年年底，臺積電宣布，已向臺灣“投審會”遞件申請赴大陸設(shè)立 12 英寸晶圓廠與設(shè)計服務(wù)中心，設(shè)立地點確定為江蘇省南京市江北新區(qū)，投資金額大約在 30 億美元；2016 年 3 月 28 日臺積電南京項目正式落戶南京，2016 年 7 月 7 日項目一期正式開工建設(shè)；2017 年 9 月 12 日，臺積電南京公司舉行了機臺 MOVE－IN 典禮；2018 年 5 月晶圓廠開始試投產(chǎn)。
這次臺積南京也打破了多項臺積的紀(jì)錄，第一是建廠最快，從動土到進機只花了 14 個月，第二是上線最快，進機到開始生產(chǎn)不到半年的時間；第三，這是最美、最宏偉、最有特色的臺積廠區(qū)。
英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司
（英特爾大連，12 英寸）
2019 年月產(chǎn)能為 85000 片。
2018 年第二季，英特爾宣布大連的 Fab 68 二期投產(chǎn)，主要生產(chǎn) 96 層的 3D NAND 閃存。
2015 年 10 月 19 日，英特爾與大連市舉行“大連？英特爾非易失性存儲制造”項目簽約。英特爾宣布，為了積極追趕競爭對手的市占率，F(xiàn)ab 68 二期改造工程總投資 55 億美元，該戰(zhàn)略性計劃是英特爾深化其非易失性存儲器業(yè)務(wù)發(fā)展戰(zhàn)略的一個重要舉措。
此項投資符合英特爾大連工廠的長期發(fā)展策略，也體現(xiàn)了英特爾與中國共成長的長期發(fā)展承諾。
中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司
（中芯深圳，12 英寸）
中芯國際深圳基地 12 英寸 MINI 晶圓生產(chǎn)線月產(chǎn)能 3000 片。
中芯國際深圳基地規(guī)劃一條月產(chǎn)能 4 萬片的 12 英寸產(chǎn)線，聚焦在 0．11 微米到 55 納米這些工藝的生產(chǎn)，2017 年第 4 季投產(chǎn)。
中芯國際集成電路制造（天津）有限公司二期
（中芯天津，8 英寸）
2019 年二期月產(chǎn)能維持 20000 片裝機規(guī)模。
根據(jù)公司財報，天津一期裝機產(chǎn)能為 45000 片，2018 年第四季天津基地產(chǎn)能達 60000 片，較 2018 年第二季增長了 20％。
2017 年 2 月擴產(chǎn)項目正式啟動。2018 年 7 月，中芯國際天津廠舉行了 P2 Full Flow 擴產(chǎn)計劃的首臺設(shè)備進駐儀式。公司在 2018 年持續(xù)對天津基地進行投資以擴充產(chǎn)能。
2016 年 10 月 18 日開始，正式啟動天津廠產(chǎn)能擴充計劃，該計劃預(yù)計投資金額為 15 億美金。在計劃完成后，產(chǎn)能將達到每月 15 萬片的規(guī)模，有望成為全球最大的單體 8 英寸晶圓的生產(chǎn)基地。
中芯集成電路（寧波）有限公司一期
（寧波中芯 N1，8 英寸）
一期規(guī)劃月產(chǎn)能 15000 萬。
2018 年第三季度，中芯寧波 8 英寸特種工藝 N1 產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備進廠，2018 年 11 月 2 日正式投產(chǎn)。
這是中芯支持建設(shè)的特色工藝生線。中芯集成電路（寧波）有限公司由中芯晶圓與寧波勝芯、華創(chuàng)投資等聯(lián)合成立。公司將通過對相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和技術(shù)的收購、吸收、提升和發(fā)展，在高壓模擬半導(dǎo)體以及包括射頻與光電特色器件在內(nèi)的模擬和特色工藝半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，開發(fā)、建立新的核心器件及技術(shù)平臺，以支持客戶面向智能家電、工業(yè)與汽車電子、新一代射頻通訊以及 AR／VR／MR 等專用系統(tǒng)應(yīng)用的芯片設(shè)計、產(chǎn)品開發(fā)。
中芯集成電路（寧波）有限公司分為 N1（租用小港安居路現(xiàn)有廠房）與 N2（柴橋）兩個項目，將建成為中國最大的模擬半導(dǎo)體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地，采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式，并提供相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計服務(wù)平臺。
杭州士蘭集昕微電子有限公司
（士蘭集昕，8 英寸）
一期 8 英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)能規(guī)劃 40000 片，目前已經(jīng)趨于飽和。
2015 年開工建設(shè)；2016 年 1 月主要生產(chǎn)廠房已結(jié)頂，部分生產(chǎn)設(shè)備運抵公司；2016 年 12 月底，主廠房建設(shè)、凈化裝修和機電動力設(shè)備安裝等均已完工，部分工藝設(shè)備也已安裝完畢并進入調(diào)試階段預(yù)計。
2017 年 3 月產(chǎn)出第一片合格芯片；2017 年 6 月正式投入量產(chǎn)；2017 年 12 月實現(xiàn)月產(chǎn) 15000 片；當(dāng)年共產(chǎn)出芯片 5．71 萬片。
2018 年公司進一步加快 8 英寸芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)進度，已有高壓集成電路、高壓 MOS 管、低壓 MOS 管、肖特基管、IGBT 等多個產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)。2018 年 6 月，月產(chǎn)能達 20000 片，全年總共產(chǎn)出芯片 30 萬片。
上海新進芯微電子有限公司
（上海新進，8 英寸）
2019 年年底增加到月產(chǎn) 15000 片晶圓。
自 2015 年啟動 6 英寸升級計劃，2016 年 8 英寸設(shè)備開始進廠安裝調(diào)試，2017 年第四季完成了對 8 英寸晶圓質(zhì)量評估。2018 年第一季度末每月產(chǎn)能達 3000 片 8 英寸晶圓，2018 年年底增加到月產(chǎn) 10000 片晶圓。
四川廣義微電子股份有限公司
（四川廣義，6 英寸）
2019 年 7 月 19 日《英飛凌技術(shù)轉(zhuǎn)移項目》全面啟動，按節(jié)點完成 IFXGEN5．0、GEN7．0 的產(chǎn)品量產(chǎn)。月產(chǎn)能爬坡順利，至 12 月，月產(chǎn)能達 60000 片。
2018 年 12 月，在北京燕東微電子的支持下，公司 6 英寸月產(chǎn)能順利達到 30000 片，較 2018 年 7 月的 12000 片，增長了 150％。
2017 年 8 月 18 日公司“0．25 微米 6 英寸 MOSFET”芯片項目一期生產(chǎn)線的正式投產(chǎn)；2018 年 6 月與英飛凌簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議；2018 年 8 月與北京燕東微電子公司簽訂增資入股協(xié)議。
四川廣義微電子股份有限公司是一家專業(yè)化的集成電路設(shè)計、制造、銷售于一體的 IDM 高科技企業(yè)，公司規(guī)劃月產(chǎn)能 15 萬片。
河南芯睿電子科技有限公司
（芯睿電子，6 英寸）
2019 年底，芯睿電子 6 英寸生產(chǎn)線月產(chǎn)能達 20000 片。
芯睿電子 6 英寸線于 2018 年 6 月 6 英寸開始全面投產(chǎn)，達產(chǎn)后，將形成年產(chǎn) 20 億只智能終端產(chǎn)品用超小型傳聲器。
芯睿電子與中科院固體物理所、西安電子科技大學(xué)等知名科研院所深度合作，組建的光電傳感與集成應(yīng)用河南省重點實驗室、聲電轉(zhuǎn)換專用集成電路河南省工程實驗室、微電子研究院成為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、保持技術(shù)領(lǐng)先的秘密所在。公司獨有的“0．33 微米厚度聲電轉(zhuǎn)換芯片技術(shù)”一些關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達到了國際先進水平。
在建篇
廈門士蘭集科微電子有限公司
（士蘭集科，12 英寸）
2019 年 5 月開始土建；8 月完成樁基工程，主體施工開始，2019 年 12 月 23 日主廠房封頂。預(yù)計 2020 年投產(chǎn)。
2018 年 10 月 18 日，士蘭微廈門 12 英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線舉行開工典禮。
12 英寸特色工藝芯片項目總投資 170 億元，建設(shè)兩條以 MEMS、功率器件為主要產(chǎn)品的 12 英寸集成電路制造生產(chǎn)線。第一條 12 英寸產(chǎn)線，總投資 70 億元，工藝線寬 90nm，計劃月產(chǎn) 8 萬片，分兩期實施：其中一期總投資 50 億元，實現(xiàn)月產(chǎn)能 4 萬片，將于 2020 年投產(chǎn)；項目二期總投資 20 億元，新增月產(chǎn)能 4 萬片。而第二條 12 英寸產(chǎn)線為項目三期，預(yù)計總投資 100 億元，工藝線寬 65nm－－90nm。
項目由廈門士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)，公司注冊資本為 20 億元，其中廈門半導(dǎo)體投資集團以貨幣出資 17 億元，占股 85％；士蘭微以貨幣出資 3 億元，占股 15％。
武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司
（弘芯半導(dǎo)體，12 英寸）
2019 年 12 月 22 日，首臺 ASML 光刻機搬入。
2019 年 7 月 3 日，蔣爸尚義正式加盟弘芯；7 月 4 日，主廠房封頂。目前有消息說公司正在商談 14 納米光掩模制版事宜。
2018 年 9 月 11 日弘芯半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)園項目舉行開工儀式。公司宣稱立志成為全球第二大 CIDM 晶圓廠。（筆者實在不知全球第一大 CIDM 晶圓廠是哪家公司？）
項目總投資 1280 億元，主要從事 12 英寸晶圓的集成電路制造代工業(yè)務(wù)。項目計劃于 2019 年上半年完成主廠房工程施工，2019 年下半年正式投產(chǎn)。項目一期設(shè)計產(chǎn)能月產(chǎn) 4．5 萬片，預(yù)計 2019 年底投產(chǎn)；二期采用最新的制程工藝技術(shù)，設(shè)計月產(chǎn)能 4．5 萬片，預(yù) 2021 年第四季度投產(chǎn)。
公司表示，主要運營邏輯先進工藝、成熟主流工藝、以及射頻特種工藝，并持續(xù)研發(fā)世界先進的制程工藝。
三星（中國）半導(dǎo)體有限公司二期二階段
（三星西安 X2－PH2，12 英寸）
2019 年 12 月 25 日三星西安基地二期二階段正式開工建設(shè)。預(yù)計 2021 年投產(chǎn)。
2019 年 12 月 10 日，三星西安基地二期二階段投資正式啟動，預(yù)計投資達 80 億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能 7 萬片。
三星西安基地二期一階段月產(chǎn)能 6 萬片，已經(jīng)日前開始投片試產(chǎn)，將于 2020 年 3 月正式量產(chǎn)。
二期整體完工后，西安總產(chǎn)能將高達 25 萬片。
成都紫光國芯存儲科技有限公司
（紫光成都，12 英寸）
目前正在澆土建筏板，整體進度相對遲緩！原預(yù)計 2020 年第三季投產(chǎn)的時間表應(yīng)該要推后。
2018 年 10 月 12 日，紫光成都存儲器制造基地項目開工。
據(jù)介紹，紫光成都存儲器制造基地項目占地面積約 1200 畝，總投資達 240 億美元，將建設(shè) 12 英寸 3D NAND 存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，旨在打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。據(jù)悉，項目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片 30 萬片。
芯恩（青島）集成電路有限公司
（芯恩，12 英寸）
目前 12 英寸廠房還在建設(shè)中。
芯恩（青島）集成電路項目正在建設(shè)特色型工藝的 8 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內(nèi)最先進數(shù)模混合工藝的 40 納米 12 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內(nèi)最先進 14 納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片 32 位 MCU 集成電路設(shè)計團隊。
2018 年 3 月 30 日，寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司和青島西海岸新區(qū)管委、青島國際經(jīng)濟合作區(qū)管委、青島澳柯瑪控股集團有限公司簽署框架協(xié)議，打造中國首個 CIDM 集成電路項目；2018 年 4 月 6 日完成項目立項備案，4 月 18 日項目公司完成注冊，注冊名稱為芯恩（青島）集成電路有限公司（注冊資本 12．5 億元，實繳資本 2．231 億元），4 月 25 日完成首筆資金注入；2018 年 5 月 18 日芯恩集成電路項目舉行開工典禮；2018 年 12 月 13 日，簽署投資合作協(xié)議。
芯恩（青島）集成電路項目分兩期建設(shè)，總投資約 188 億元。項目開工日期為 2018 年 8 月 12 日，工程接收日為 2019 年 12 月 26 日，工期總?cè)諝v天數(shù)為 501 日歷天。
泉芯集成電路制造（濟南）有限公司
（泉芯集成，12 英寸）
泉芯集成 12 英寸晶圓制造線于 2019 年第一季度開工建設(shè)。目前到位資金約 50 億。
泉芯集成 12 英寸晶圓制造線計劃采用 12nm／7nm 的工藝節(jié)點。
股東包括逸芯集成技術(shù)（珠海）有限公司 80％、濟南高新控股集團有限公司 10％、濟南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團有限公司 10％。
逸芯集成技術(shù)（珠海）有限公司 2018 年 11 月 28 日成立，注冊資本 1 億元人民幣。注冊地是珠海市橫琴新區(qū)寶華路 6 號 105 室 －64419（集中辦公區(qū)）。法定代表人是曹山。高管信息包括：夏勁秋總經(jīng)理。
芯恩（青島）集成電路有限公司
（芯恩，8 英寸）
2019 年 10 月 28 日宣布 8 英寸項目廠房封頂，12 月 27 日高調(diào)宣布首臺設(shè)備 Olympus AL3120 搬入。經(jīng)咨詢，Olympus AL3120 是一臺顯微鏡。
芯恩（青島）集成電路項目正在建設(shè)特色型工藝的 8 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內(nèi)最先進數(shù)?；旌瞎に嚨?40 納米 12 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國內(nèi)最先進 14 納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片 32 位 MCU 集成電路設(shè)計團隊。
2018 年 3 月 30 日，寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司和青島西海岸新區(qū)管委、青島國際經(jīng)濟合作區(qū)管委、青島澳柯瑪控股集團有限公司簽署框架協(xié)議，打造中國首個 CIDM 集成電路項目；2018 年 4 月 6 日完成項目立項備案，4 月 18 日項目公司完成注冊，注冊名稱為芯恩（青島）集成電路有限公司（注冊資本 12．5 億元，實繳資本 2．231 億元），4 月 25 日完成首筆資金注入；2018 年 5 月 18 日芯恩集成電路項目舉行開工典禮；2018 年 12 月 13 日，簽署投資合作協(xié)議。
芯恩（青島）集成電路項目分兩期建設(shè)，總投資約 188 億元。項目開工日期為 2018 年 8 月 12 日，工程接收日為 2019 年 12 月 26 日，工期總?cè)諝v天數(shù)為 501 日歷天。
賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
（賽萊克斯，8 英寸）
2019 年 12 月 25 日，賽萊克斯北京 8 英寸項目一期開始設(shè)備搬入，較原計劃有所遲緩。
2018 年賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司繼續(xù)完善核心管理及人才團隊，推進 8 英寸 MEMS 國際代工線建設(shè)項目的建設(shè)，2018 年 11 月基礎(chǔ)工程建設(shè)已部分封頂。項目規(guī)劃分三期建設(shè)。
原 2019 年第 3 季度一期達到試生產(chǎn)狀態(tài)，2020 年形成新增產(chǎn)能；二期預(yù)計 2012 年投產(chǎn)；三期預(yù)計在 2023 年投產(chǎn)，2024 年力爭實現(xiàn)滿載，形成年產(chǎn)能 38 萬片 8 英寸 MEMS 硅晶圓。
上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，8 英寸）
2019 年 12 月 28 日 8 英寸廠房開始設(shè)備搬入。
2019 年 5 月 21 日，上海積塔半導(dǎo)體有限公司 8 英寸特色工藝生產(chǎn)線項目廠房舉行了結(jié)構(gòu)封頂儀式。
積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項目總投資 359 億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能 6 萬片的 8 英寸生產(chǎn)線和 5 萬片 12 英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國內(nèi)首家實現(xiàn) 12 英寸 65 納米 BCD 工藝，建設(shè)一條汽車級 IGBT 專用生產(chǎn)線。
產(chǎn)品重點面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)模化生產(chǎn)能力。
2018 年 8 月 16 日，積塔半導(dǎo)體有限公司特色工藝生產(chǎn)線項目正式開工。
中芯集成電路（寧波）有限公司二期
（寧波中芯 N2，8 英寸）
2019 年 2 月 28 日，中芯寧波特種工藝 N2 項目正式開工。規(guī)劃月產(chǎn)能 45000 萬。
N2 項目位于寧波市北侖區(qū)柴橋，項目用地面積 192 畝，建筑面積 20 萬平方米，項目總投資 39．9 億元，建設(shè)工期 2019 年 －2021 年，2019 年計劃投資 5 億元。
根據(jù)規(guī)劃，N2 項目建成后將形成年產(chǎn) 33 萬片 8 英寸特種工藝芯片產(chǎn)能，同期開發(fā)高壓模擬、射頻前端、特種半導(dǎo)體技術(shù)制造和設(shè)計服務(wù)。
這是中芯支持建設(shè)的特色工藝生線。中芯寧波分為 N1（小港）與 N2（柴橋）兩個項目，將建成為中國最大的模擬半導(dǎo)體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地，采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式，并提供相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計服務(wù)平臺。
杭州士蘭集昕微電子有限公司
（士蘭集昕二期，8 英寸）
士蘭集昕擬對 8 英寸線進行技術(shù)改造。本項目利用士蘭集昕現(xiàn)有的公用設(shè)施，在現(xiàn)有生產(chǎn)線的基礎(chǔ)上，通過增加生產(chǎn)設(shè)備及配套設(shè)備設(shè)施，形成新增年產(chǎn) 43．2 萬片 8 英寸芯片制造能力。
本項目總投資 15 億元，建設(shè)周期約為五年，分兩期進行。其中，一期計劃投資 6 億元，形成年產(chǎn) 18 萬片 8 英寸芯片的產(chǎn)能。二期計劃投資 9 億元，形成年產(chǎn) 25．2 萬片 8 英寸芯片的產(chǎn)能。
海辰半導(dǎo)體（無錫）有限公司
（無錫海辰，8 英寸）
2019 年 12 月 12 日，首批從韓國搬遷的工藝設(shè)備搬入海辰半導(dǎo)體廠房。
2019 年 2 月 27 日，海辰半導(dǎo)體新建 8 英寸非存儲晶圓廠主廠房正式封頂。
2018 年 7 月 SK 海力士表示，旗下晶圓代工子公司 SK 海力士系統(tǒng) IC 公司與無錫市政府旗下的無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團有限公司組成的合資公司，2018 年下半年啟動工廠的建設(shè)。
海辰半導(dǎo)體項目將建設(shè) 200 毫米晶圓模擬生產(chǎn)線，項目總投資 67．9 億，規(guī)劃年產(chǎn)能 126 萬片 8 英寸晶圓，主要生產(chǎn)面板驅(qū)動 IC（DDI）、電源管理 IC（PMIC）、CMOS 影像感測器（CIS）。
SK 海力士系統(tǒng) IC 公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，而無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團則負(fù)責(zé)提供其他必要的基礎(chǔ)設(shè)施。據(jù)悉 SK 海力士位于韓國清州 M8 廠的設(shè)備將在 2021 年底前運至無錫。
濟南富能半導(dǎo)體有限公司
（富能半導(dǎo)體，8 英寸）
2019 年 12 月 4 日，富能半導(dǎo)體一期項目成功封頂。
2019 年 3 月 15 日，富能半導(dǎo)體一期項目舉行樁基工程。據(jù)悉一期項目投資 60 億元，建設(shè)月產(chǎn) 3 萬片 8 英寸硅基半導(dǎo)體功率芯片（MOSFET、IGBT）和月產(chǎn)一千片的 6 英寸碳化硅功率器件的產(chǎn)能，產(chǎn)品覆蓋消費、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車的應(yīng)用，計劃 2020 年底實現(xiàn)量產(chǎn)。
富能半導(dǎo)體成立于 2018 年 11 月 8 日，法人代表陳昱升，持股 40％，另 60％的持有人是濟南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金；富能半導(dǎo)體項目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn) 10 萬片的兩個 8 英寸廠及一個月產(chǎn) 5 萬片的 12 英寸廠。
濟南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金的股東包括濟南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團有限公司、思華（北京）投資管理有限公司、富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司、鴻富晉精密工業(yè)（太原）有限公司、訊芯電子科技（中山）有限公司。
富士邁半導(dǎo)體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團的關(guān)聯(lián)企業(yè)，這也說明該項目確實和富士康有一定的關(guān)系。
吉林華微電子股份有限公司
（華微電子，8 英寸）
華微電子 8 英寸生產(chǎn)線籌備將近十年，終于有望實現(xiàn)。目前購買設(shè)備和廠房建設(shè)同步進行。
2019 年 4 月 1 日，華微電子公告，擬配股募集資金不超過 10 億元（含發(fā)行費用），扣除發(fā)行費用后的凈額擬全部用于新型電力電子器件基地項目（二期）的建設(shè)。項目建成后，華微電子將具有年產(chǎn) 8 英寸芯片 24 萬片的加工能力。產(chǎn)品包括重點應(yīng)用于工業(yè)傳動、消費電子等領(lǐng)域，形成 600V－1700V 各種電壓、電流等級的 IGBT 芯片；同時包括應(yīng)用于各領(lǐng)域的具有成熟產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的 MOSFET 芯片，以及與公司主流產(chǎn)品配套的 IC 芯片。
華微電子是中國功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域首家主板 A 股上市公司，是飛利浦、松下、日立、海信、創(chuàng)維、長虹等國內(nèi)外知名企業(yè)的配套供應(yīng)商。
山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
（山東興華，6 英寸）
2019 年 6 月 15 日，據(jù)稱是由我國最早的半導(dǎo)體制造公司香港興華半導(dǎo)體工業(yè)有限公司投資的山東興華半導(dǎo)體項目在日照開工。運營主體是 5 月 17 日注冊成立的山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司。
項目計劃總投資 50 億元，分兩期建設(shè)，一期計劃建設(shè)一條年產(chǎn) 36 萬片的 5 英寸 ／6 英寸的晶圓制造線，二期建設(shè)一條 8 英寸集成電路晶圓制造線。
香港興華成立 1979 年，1982 年 5 英寸晶圓生產(chǎn)線開始運營，公司主要提供 1．5＆mu；m／2．0＆mu；m／3．0＆mu；m ／5．0＆mu；m 硅柵 CMOS、2．0＆mu；m 低壓金屬柵 CMOS、5．0＆mu；m 高壓金屬柵 CMOS 工藝制程。
興華半導(dǎo)體為我國培養(yǎng)了大批的半導(dǎo)體工藝制程人才，目前國內(nèi)很多晶圓生產(chǎn)線的高管都在此工作過。
規(guī)劃篇
華潤微電子（重慶）有限公司
（華潤重慶，12 英寸）
華潤重慶基地將利用現(xiàn)有廠房建設(shè) 12 英寸生產(chǎn)線。
2018 年 11 月 5 日，華潤微電子與西永微電園簽署協(xié)議，共同發(fā)展 12 英寸晶圓生產(chǎn)線項目，該項目投資約 100 億元，建設(shè) 12 英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，將主要生產(chǎn) MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
華潤微電子無錫項目
（華潤微電子，8 英寸）
根據(jù)華潤微電子招股說明書顯示，公司計劃在無錫基地擴建一條 8 英寸生產(chǎn)線。
上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，12 英寸）
12 英寸特色芯片工藝生產(chǎn)線計劃 2023 年投產(chǎn)。
積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項目總投資 359 億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能 6 萬片的 8 英寸生產(chǎn)線和 5 萬片 12 英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國內(nèi)首家實現(xiàn) 12 英寸 65 納米 BCD 工藝，建設(shè)一條汽車級 IGBT 專用生產(chǎn)線。
產(chǎn)品重點面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)?；a(chǎn)能力。
紫光 DRAM 項目
（紫光 DRAM，12 英寸）
紫光國芯 DRAM 存儲芯片制造工廠原預(yù)計 2019 年底開工建設(shè)，預(yù)計 2021 年建成投產(chǎn)。但截止目前，紫光國芯集成電路股份有限公司還沒有注冊成立。
2019 年 8 月 27 日，紫光集團和重慶市人民政府簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議。
根據(jù)協(xié)議，紫光集團將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國芯集成電路股份有限公司，建設(shè)包括 DRAM 總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光 DRAM 事業(yè)群總部、DRAM 存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。
2019 年 6 月 30 日，紫光集團發(fā)布公告，成立 DRAM 事業(yè)部。
青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司
（城芯半導(dǎo)體，12 英寸）
但截止目前，城芯半導(dǎo)體沒有任何實質(zhì)性進展。
青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司計劃建設(shè)一條月產(chǎn) 4 萬片的 12 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線。
2018 年 7 月 5 日，矽力杰 12 英寸先進模擬芯片集成電路產(chǎn)業(yè)化項目簽約，項目共同投資約 180 億元人民幣，建設(shè)一條 12 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線，規(guī)劃產(chǎn)能每月可達 4 萬片。
據(jù)悉，矽力杰半導(dǎo)體項目未來規(guī)劃建設(shè) 2 條 12 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線，1 條 8 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線。
實際上，青島城芯要建設(shè)的 12 英寸生產(chǎn)線就是矽力杰半導(dǎo)體青島項目，令人疑惑的是，除青島項目外，目前有多個地方園區(qū)收到矽力杰晶圓廠的計劃書。
四川中科晶芯集成電路制造有限責(zé)任公司
（中科晶芯，8 英寸）
2019 年 5 月 15 日，中國華冶科工集團有限公司、中國電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司組成聯(lián)合體與中科晶芯集成電路制造有限公司在成都簽訂了 8 寸圓晶廠項目合作意向書，據(jù)悉，工廠將在綿陽設(shè)立。
但截止目前，中科晶芯沒有任何實質(zhì)性進展。
贛州名芯半導(dǎo)體項目
（贛州名芯，8 英寸）
2019 年 6 月 6 日，贛州經(jīng)開區(qū)與名芯有限公司、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院簽訂三方合作框架協(xié)議，總投資 200 億元的名芯半導(dǎo)體項目順利落戶。
據(jù)悉，項目分兩期建設(shè)：一期投資 60 億元，建設(shè)一條 8 英寸功率晶圓生產(chǎn)線；二期投資 120－140 億元，規(guī)劃建設(shè)第三代 6／8 英寸晶圓制造生產(chǎn)線或 12 英寸硅基晶圓制造生產(chǎn)線。
項目涉及的產(chǎn)品類型包括 IGBT、功率 MOS、功率 IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領(lǐng)域全部類別中 80％品種。
同時，項目規(guī)劃建設(shè)與晶圓關(guān)聯(lián)的封測工廠、IC 設(shè)計公司、微電子研究院等三個項目。
截止目前，公司都還沒有注冊。
停擺篇
南京紫光存儲科技控股有限公司
（紫光南京，12 英寸）
目前項目處于事實停工狀態(tài)，工地已經(jīng)是草長鶯飛。
2018 年 9 月 30 日，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目項目開工，總投資 300 億美元。據(jù)悉，南京基地原計劃生產(chǎn) 64 層 3D NAND 芯片。
項目一期投資約 105 億美元，月產(chǎn)芯片 10 萬片，主要產(chǎn)品為 3D NAND Flash、DRAM 存儲芯片等。預(yù)估項目全部建成將可形成月產(chǎn) 12 英寸 3D NAND 存儲器芯片 30 萬片。
格芯（成都）集成電路制造有限公司
（格芯成都，12 英寸）
2019 年初，格芯（成都）集成電路制造有限公司已經(jīng)事實停擺。
2018 年 10 月 26 日，格芯與成都合作伙伴簽署了投資合作協(xié)議修正案?；谑袌鰲l件變化、格芯于近期宣布的重新專注于差異化解決方案，以及與潛在客戶的商議，將取消對成熟工藝技術(shù)（180nm／130nm）的原項目一期投資。同時，將修訂項目時間表，以更好地調(diào)整產(chǎn)能，滿足基于中國的對差異化產(chǎn)品的需求包括格芯業(yè)界領(lǐng)先的 22FDX 技術(shù)。
2017 年 2 月 10 日，格芯宣布正式啟動建設(shè) 12 英寸晶圓成都制造基地，推動實施成都集成電路生態(tài)圈行動計劃，投資規(guī)模累計超過 100 億美元，其中基礎(chǔ)設(shè)施是 93 億美元，其余為基礎(chǔ)設(shè)施和生態(tài)鏈的建設(shè)，力爭打造中國大陸單一邏輯產(chǎn)品產(chǎn)能最大的 12 寸工廠。
格芯 12 寸晶圓代工廠分兩期建設(shè)，第一期 0．18um 和 0．13um，技術(shù)轉(zhuǎn)移來自 GF 新加坡，2018 底預(yù)計產(chǎn)能約 2 萬每月；第二期為重頭戲 22nm SOI 工藝，2018 年開始從德國 FAB 轉(zhuǎn)移，計劃 2019 年投產(chǎn)，預(yù)計 2019 年下半年產(chǎn)能達到約 6．5 萬每月。
德淮半導(dǎo)體有限公司
（德淮，12 英寸）
公司目前已經(jīng)處于停滯狀態(tài)。
2018 年 4 月 28 日生產(chǎn)線核心設(shè)備尼康（Nikon）光刻機（S308／S206）進廠安裝，其中 S308 可滿足 65 納米工藝生產(chǎn)，S206 可滿足 110 納米工藝生產(chǎn)。
德淮半導(dǎo)體有限公司是一家專注于 CMOS 影像傳感器的半導(dǎo)體公司，總投資預(yù)計約 500 億人民幣。規(guī)劃建設(shè)三個 12 英寸 CMOS 圖像傳感器專屬晶圓廠。項目首期預(yù)計投入 150 億元，為年產(chǎn) 24 萬片的 12 英寸晶圓廠。
2016 年 1 月 19 日公司注冊成立；2016 年 3 月 27 日 12 英寸晶圓廠破土動工；2016 年 4 月 1 日在日本成立芯片設(shè)計公司；2016 年 12 月與意法半導(dǎo)體簽署工藝授權(quán)；2016 年 12 月與安森美半導(dǎo)體簽署 CIS 產(chǎn)品和技術(shù)授權(quán)；2017 年 6 月公司舉行封頂儀式。
德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司
（德科碼南京，8 英寸）
2019 年，工地現(xiàn)場已經(jīng)人去樓空，廠房已經(jīng)成為爛尾樓。
2015 年 10 月，德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司成立，服務(wù)于南京半導(dǎo)體項目籌建；并與南京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)簽署并執(zhí)行南京 8 英寸和 12 英寸晶圓廠項目。
2015 年 11 月 27 日項目簽約，總投資 25 億美元。項目將分期建設(shè)，一期項目為 8 英寸晶圓廠一座，規(guī)劃月產(chǎn)能 40000 片晶圓，以電源管理芯片、微機電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)為主。2017 年 8 月 21 日宣布獲得以色列 TowerJazz 技術(shù)支持。
一期建設(shè) 8 英寸晶圓廠，總投資 5 億美元，以自主設(shè)計的圖像傳感器芯片制造為主，預(yù)計投產(chǎn)后產(chǎn)能可達 4 萬片 ／ 月；二期項目為 12 英寸晶圓廠，總投資 20 億美元，投產(chǎn)后產(chǎn)能可達 2 萬片 ／ 月。
2016 年 6 月 8 日項目奠基，2017 年 2 月全面啟動廠區(qū)土木與機電建設(shè)工程。2018 年 2 月舉行上梁儀式。
據(jù)悉，地方政府已經(jīng)推出一系列優(yōu)惠政策，希望有公司可以接手該項目。
江蘇中璟航天半導(dǎo)體實業(yè)發(fā)展有限公司
（中璟航天，8 英寸）
目前暫時處于停滯狀態(tài)。
2019 年 4 月盱眙政府表示，現(xiàn)階段，中璟項目的推進工作有了一定的成效，但還未形成規(guī)模，盱眙會進一步落實項目主體責(zé)任，助推項目取得實質(zhì)性的發(fā)展。
2017 年，中璟航天半導(dǎo)體 8 英寸晶圓制造項目落戶小龍蝦之鄉(xiāng)淮安市盱眙縣，盱眙成為全國第三個引進 8 英寸生產(chǎn)線的縣城。
據(jù)悉，項目晶圓制造為核心，打造半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈全域化、國家級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，創(chuàng)建以產(chǎn)學(xué)研、創(chuàng)融投相結(jié)合的共融共生全生態(tài)循環(huán)經(jīng)濟發(fā)展模式，實現(xiàn)真正的“中國芯”。當(dāng)時項目方表示，項目總投資 120 億元，其中兩條年產(chǎn) 24 萬片 8 英寸 CIS 晶圓制造廠的投資為 60 億元，原預(yù)計將于 2018 年 12 月底前竣工投產(chǎn)。
2018 年 4 月在南京舉行的“2018 中國半導(dǎo)體市場年會暨第七屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”上，中璟航天獲得賽迪顧問頒發(fā)的“最具成長力企業(yè)獎”和“投資新銳獎”兩個獎項。
中璟航天實力如何，筆者不得而知。但是中璟航天確實是高調(diào)。
2017 年 3 月 11 日，中璟航天半導(dǎo)體宣布投資近 40 億美元的 12 英寸 CIS 晶圓廠落戶成都郫都區(qū)，沒有下文；2017 年 4 月 22 日宣布投資 60 億元半導(dǎo)體生產(chǎn)基地項目落戶廣東江門市開平翠山湖科技園，無疾而終；2018 年 4 月 28 日，江蘇發(fā)布了《2018 年省重大項目名單》，在第二部分“前期工作項目”中，我們也發(fā)現(xiàn)有“如皋中璟航天第三代化合物半導(dǎo)體”，沒有動靜了。
二、化合物項目
1、投產(chǎn)篇
廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
（士蘭明鎵，6／4 英寸，砷化鎵 ／ 氮化鎵）
士蘭化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目于 2019 年 12 月 23 日投產(chǎn)，計劃 7 款產(chǎn)品逐步投入量產(chǎn)，將于 2021 年達產(chǎn)。
士蘭化合物半導(dǎo)體項目由廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司負(fù)責(zé)實施運營，公司注冊資本為 8 億元，其中廈門半導(dǎo)體投資集團以貨幣出資 5．6 億元，占股 70％；士蘭微以貨幣出資 2．4 億元，占股 30％。
項目總投資 50 億元，建設(shè) 4／6 英寸兼容先進化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括下一代光模塊芯片、5G 與射頻相關(guān)模塊、高端 LED 芯片產(chǎn)品。分兩期實施，其中，項目一期投資 20 億元，2019 年底投產(chǎn)，2021 年投產(chǎn)；項目二期投資 30 億元，計劃 2021 年啟動，2024 年達產(chǎn)。
2018 年 10 月 18 日，項目舉行開工典禮；2019 年 4 月主廠房封頂；6 月進入設(shè)備安裝調(diào)試階段，砷化鎵與氮化鎵芯片產(chǎn)品已分別于 10 月 18 日、12 月 10 日正式通線點亮。
2、產(chǎn)能爬坡篇
英諾賽科（珠海）科技有限公司
（英諾賽科珠海，8 英寸，氮化鎵）
2019 年 8 英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線產(chǎn)能進一步提升，公司現(xiàn)有三臺世界領(lǐng)先的針對 8 英寸硅基氮化鎵外延的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備 G5＋ MOCVD 機臺。
2017 年 11 月 9 日，英諾賽科（珠海）科技有限公司 8 英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線通線投產(chǎn)。主要產(chǎn)品包括 8 英寸硅基氮化鎵晶圓及 100V－650V 氮化鎵功率器件。
株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司
（株洲中車，6 英寸，碳化硅）
株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司成立于 2019 年 1 月 18 日，承接株洲中車時代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部的現(xiàn)有資產(chǎn)、負(fù)債及業(yè)務(wù)。專業(yè)從事大功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與制造，是我國最早開發(fā)大功率半導(dǎo)體器件的單位之一，全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SiC（碳化硅）器件及功率組件全套技術(shù)。
2018 年 1 月，在中國科學(xué)院微電子研究所的技術(shù)支持和協(xié)助下，株洲中車 6 英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線順利完成技術(shù)調(diào)試，廠務(wù)、動力、工藝、測試條件均已完備，可實現(xiàn) 4 英寸及 6 英寸 SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發(fā)與制造。這是國內(nèi)首條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線。
生產(chǎn)廠房 2017 年 8 月交付使用，12 月 SiC 芯片生產(chǎn)線便完成了工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試，2018 年 1 月首批芯片試制成功。
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
（蘇州能詡，4 英寸，氮化鎵）
2019 年 5 月，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 4 英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 3 英寸氮化鎵器件生產(chǎn)線于 2011 年開始建設(shè)；2013 年試生產(chǎn)，2014 年投產(chǎn)，2015 年開始批量生產(chǎn)。2017 年開始轉(zhuǎn)換 4 英寸。
能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計與制造（IDM）的模式，自主開發(fā)了氮化鎵材料生長、芯片設(shè)計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)。目前完成了面向 5G 通信系統(tǒng)的技術(shù)與產(chǎn)品的積累，產(chǎn)品性能已通過國際一流通訊企業(yè)的測試與認(rèn)證。
江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
（江蘇能華，4／6 英寸，氮化鎵）
2017 年 11 月 15 日公司生產(chǎn)線正式投產(chǎn)后，產(chǎn)能一直在穩(wěn)定提升中。
江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司是專業(yè)設(shè)計、研發(fā)，生產(chǎn)、制造和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。
3、在建篇
英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司
（英諾賽科蘇州，8 英寸，氮化鎵 ／ 碳化硅）
2019 年 8 月 29 日主廠房封頂，預(yù)計 12 月底生產(chǎn)設(shè)備正式進廠，2020 年投產(chǎn)。
2018 年 6 月 23 日開工，計劃在 5 年內(nèi)完成投資 60 億，達產(chǎn)后，月產(chǎn)能達 6 萬片。項目將聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產(chǎn)品，目標(biāo)是打造一個包括理論研究、材料研發(fā)與制造、器件設(shè)計、芯片制造、封裝測試、失效分析和應(yīng)用驗證等全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體研發(fā)基地。為 5G 通信、新能源汽車、智能制造、人工智能、電子信息、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域提供更先進的、高效、節(jié)能和低成本的核心半導(dǎo)體芯片。
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司
（世紀(jì)金光，6 英寸，碳化硅）
2018 年 2 月 1 日，北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司 6 英寸碳化硅器件生產(chǎn)線成功通線。截止目前，工藝還在調(diào)試中。
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于 2010 年 12 月 24 日，其前身為中原半導(dǎo)體研究所。公司主營寬禁帶半導(dǎo)體晶體材料、外延和器件的研發(fā)與生產(chǎn)。
濟南富能半導(dǎo)體有限公司
（富能半導(dǎo)體，6 英寸，碳化硅）
2019 年 12 月 4 日，富能半導(dǎo)體一期項目成功封頂。
2019 年 3 月 15 日，富能半導(dǎo)體一期項目舉行樁基工程。據(jù)悉一期項目投資 60 億元，建設(shè)月產(chǎn) 3 萬片 8 英寸硅基半導(dǎo)體功率芯片（MOSFET、IGBT）和月產(chǎn)一千片的 6 英寸碳化硅功率器件的產(chǎn)能，產(chǎn)品覆蓋消費、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車的應(yīng)用，計劃 2020 年底實現(xiàn)量產(chǎn)。
富能半導(dǎo)體成立于 2018 年 11 月 8 日，法人代表陳昱升，持股 40％，另 60％的持有人是濟南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金；富能半導(dǎo)體項目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn) 10 萬片的兩個 8 英寸廠及一個月產(chǎn) 5 萬片的 12 英寸廠。
濟南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金的股東包括濟南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團有限公司、思華（北京）投資管理有限公司、富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司、鴻富晉精密工業(yè)（太原）有限公司、訊芯電子科技（中山）有限公司。
富士邁半導(dǎo)體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團的關(guān)聯(lián)企業(yè)，這也說明該項目確實和富士康有一定的關(guān)系。
4、規(guī)劃篇
上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，6 英寸，碳化硅）
積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項目總投資 359 億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能 6 萬片的 8 英寸生產(chǎn)線和 5 萬片 12 英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國內(nèi)首家實現(xiàn) 12 英寸 65 納米 BCD 工藝，建設(shè)一條汽車級 IGBT 專用生產(chǎn)線。
產(chǎn)品重點面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)?；a(chǎn)能力。
5、停擺篇
北京雙儀微電子科技有限公司
（北京雙儀，6 英寸，砷化鎵）
目前項目終止。
2018 年 7 月 30 日，北京雙儀微電子科技有限公司宣布擬投資 10 億元，租賃北京燕東微電子科技有限公司的部分廠房建設(shè)具備規(guī)模化量產(chǎn)能力的先進工藝技術(shù)生產(chǎn)線，進行 6 英寸砷化鎵微波集成電路（GaAs MMIC）芯片的代工服務(wù)，該項目預(yù)計于 2019 年初投產(chǎn)使用，規(guī)劃每月 2 萬片產(chǎn)能。
北京雙儀微電子科技有限公司是一家技術(shù)初創(chuàng)公司，旨在為 5G 和 IoT 毫米波市場領(lǐng)域所遇到的挑戰(zhàn)開發(fā)出新的解決方案，提供高性能的射頻組件。
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武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司：熊心撞志當(dāng)老二
泉芯集成電路制造（濟南）有限公司：千金散盡還復(fù)來
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作者：趙元闖