《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計 > 業(yè)界動態(tài) > 面向3nm!ASML將于2021年推下一代EUV光刻機

面向3nm!ASML將于2021年推下一代EUV光刻機

2020-02-19
來源:中國電子網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 EUV光刻機

  光刻機是目前世界上最復(fù)雜的精密設(shè)備之一,芯片制造的核心設(shè)備之一,除了可以用來生產(chǎn)芯片,還有用于封裝的光刻機、LED制造領(lǐng)域的投影光刻機。作為全球唯一能生產(chǎn)EUV光刻機的公司——荷蘭ASML公司。去年共銷售26臺EUV光刻機,用于臺積電、三星的7nm和5nm工藝制造。

  最近有報道指出,ASML正在研發(fā)新一代EUV光刻機EXE:5000系列,最快會于2021年面世。

  

9.jpg

  據(jù)了解,現(xiàn)在ASML銷售的光刻機主要為NXE:3400B和改進(jìn)型的NXE:3400C,結(jié)構(gòu)上相似。差別在于NXE:3400C采用模塊化設(shè)計,將平均維護時間從48小時縮短到8-10小時;NXE:3400C的產(chǎn)量也從125WPH提升到了175WPH。這兩款EUV光刻機屬于第一代,物鏡系統(tǒng)的NA(數(shù)值孔徑)為0.33。

  在光刻機的分辨率公式中,NA數(shù)字越大,代表光刻機精度更高。ASML現(xiàn)在在研發(fā)新一代EUV光刻機EXE:5000系列,NA為0.55。主要合作伙伴有Carl Zeiss AG和IMEC比利時微電子中心。

  據(jù)悉,EXE:5000系列EUV光刻機主要面向3nm時代,目前臺積電和三星的制程工藝路線圖已經(jīng)到了3nm,要想讓技術(shù)盡快落地到實際,EXE:5000系列EUV光刻機的研發(fā)極為重要。

  據(jù)ASML的爆料,EXE:5000系列EUV光刻機樣機最快會于2021年面世,最快可能會于2023年或者2024年上市。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。