華為的一舉一動總是備受矚目，因為這或許預(yù)示一個重要機(jī)遇或風(fēng)口即將來臨。最新消息顯示，華為正開始研發(fā)IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管），目前正在從某國內(nèi)領(lǐng)先的IBGT廠商中挖人。

　　據(jù)悉，目前，全球IGBT市場主要由國際巨頭壟斷，我國作為最大的IGBT市場長期依賴進(jìn)口，機(jī)構(gòu)預(yù)計到2022年全球IGBT市場規(guī)模將達(dá)60億美元。值得一提的是，工信部10月8日也表示，將持續(xù)推進(jìn)芯片、IGBT模塊等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，另外11月21日，國內(nèi)IGBT龍頭斯達(dá)股份IPO剛獲證監(jiān)會通過，將于上交所上市。

　　60億美元市場待啟

　　IGBT是電力領(lǐng)域的核心器件，相當(dāng)于電力電子領(lǐng)域的CPU，其應(yīng)用廣泛，按不同電壓等級，高壓IGBT應(yīng)用于電網(wǎng)、軌交、風(fēng)電，中壓應(yīng)用于工控、新能源汽車、光伏、家電，低壓應(yīng)用于汽車零部件、3C等諸多領(lǐng)域。同時，IGBT作為一種新型電力電子器件，是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件，既屬于戰(zhàn)略高新技術(shù)又屬于核心關(guān)鍵技術(shù)。

　　天風(fēng)證券研報顯示，2022年全球IGBT市場規(guī)模將達(dá)到60億美元。全球IGBT市場的主要競爭者包括英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)、安森美，以及ABB等企業(yè)，前五大企業(yè)的市場份額就已經(jīng)超過了70%，前十大IGBT企業(yè)中，僅有一家中國企業(yè)，即嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱斯達(dá)股份），市場占有率2%。

　　另一方面，我國功率半導(dǎo)體市場占世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場，這意味著我國IGBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，而在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴進(jìn)口，IGBT國產(chǎn)化需求已是刻不容緩。因此，中國IGBT企業(yè)將迎來快速發(fā)展及進(jìn)口替代的良好機(jī)遇。

　　日前，有華為內(nèi)部人士透露，華為正開始研發(fā)IGBT，目前正在從某國內(nèi)領(lǐng)先的IBGT廠商中挖人。在此之前，華為早已成為UPS電源的領(lǐng)軍企業(yè)，占據(jù)全球數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域第一的市場份額，而IGBT作為能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，也是華為UPS電源的核心器件。另外，華為被被卷入中美貿(mào)易戰(zhàn)之前，華為所需的IGBT產(chǎn)品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購，華為被列入實體清單后，有消息稱英飛凌在美國政府的施壓下曾暫停供貨，盡管英飛凌很快澄清了該傳聞，但這件事顯然給了華為一個重要警醒。

　　天眼查信息顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司在今年8月份投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%。據(jù)悉，山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。相對于傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍，特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。

　　在此之前，任正非也曾說過，華為不做股權(quán)投資，如果投資一定是戰(zhàn)略投資。不難看出，華為正在對高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行戰(zhàn)略投入，在其強(qiáng)有力的資金支持和技術(shù)優(yōu)勢下，華為在IGBT領(lǐng)域定能有所突破。

　　不過，針對上述華為正在布局IGBT的消息，華為方面11月29日向證券時報·e公司記者表示，“這個暫無回應(yīng)，如有進(jìn)一步消息后續(xù)提供”。

　　這些上市公司已涉足

　　值得一的是，10月8日，工信部網(wǎng)站發(fā)文稱，將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展。工信部表示，為解決工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問題，工信部等相關(guān)部門積極支持前述幾大領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。一是2017年工信部推出“工業(yè)強(qiáng)基IGBT器件一條龍應(yīng)用計劃”，針對新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領(lǐng)域，重點支持IGBT設(shè)計、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設(shè)備制造等環(huán)節(jié)，促進(jìn)IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。二是指導(dǎo)湖南省建立功率半導(dǎo)體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵共性技術(shù)。三是指導(dǎo)中國寬禁帶半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2018-2030）》，引導(dǎo)我國IGBT行業(yè)技術(shù)升級，推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　另外，10月17日，國電南瑞發(fā)布公告，擬與國網(wǎng)下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司共同投資設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限公司，國電南瑞以“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目”部分募資5.59億元出資，占比69.8%。

　　國電南端表示，IGBT是國家產(chǎn)業(yè)政策重點支持發(fā)展的功率半導(dǎo)體器件，技術(shù)難度大、研發(fā)及產(chǎn)線建設(shè)周期長、資金投入大,核心技術(shù)一直被國外企業(yè)壟斷，目前國內(nèi)高端人才缺乏，國內(nèi)僅有少量廠商開展高壓IGBT研制業(yè)務(wù)。

　　此外，證券時報·e公司梳理發(fā)現(xiàn)，目前上市公司中，比亞迪、臺基股份、士蘭微、中車時代電氣、揚杰科技、同方股份、中芯國際等公司均有涉足IGBT產(chǎn)業(yè)鏈。其中比亞迪已成為中國銷售額前三的IGBT供應(yīng)商，累計申請IGBT相關(guān)專利約180件，其中授權(quán)專利約114件。