富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出型號為 MB85RS2MTY的 SPI 2Mbit FRAM（注一）。此款容量最高的FRAM產品能在高達攝氏125度的高溫下正常運作，其評測樣品（evaluation sample）現已開始供應。

此款FRAM非易失性內存在運作溫度范圍內能保證10兆次讀／寫次數，并支持實時記錄像駕駛數據或定位數據等，這類需要持續(xù)且頻繁的數據記錄。由于該內存屬于非易失性，并且具有高速寫入特點，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的數據也能完整保留不會遺失。因此，這款產品適用于需在高溫環(huán)境下運作的應用，像是具有會產生大量熱能的引擎或馬達的汽車設備與工業(yè)機器人。

富士通電子在過去約20年量產各種FRAM非易失性內存產品，具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來，這些產品被廣泛應用于可穿戴裝置、工業(yè)機器人與無人機。

這款擁有2Mbit密度的產品采用SPI接口，支持從1．8v至3．6v的寬電壓范圍，且運作耐熱度可高達攝氏125度；即使在這樣的高溫環(huán)境也能保證10兆次的讀∕寫次數，相當于EEPROM的一千萬倍；最高運作頻率則達到50 MHz，比現有產品快1．5倍。此外，這些產品的可靠性測試符合AEC－Q100 Grade 1標準，達到被稱為“汽車級”產品的認證標準。

此款FRAM采用業(yè)界標準8－pin SOP封裝，使其能輕松取代現有類似腳位的EEPROM產品。此外，也提供擁有8－pin DFN（Dual Flatpack Non－leaded）的封裝。

（富士通供圖）

富士通電子持續(xù)為IC卡、工業(yè)機械與消費性裝置提供數據寫入效能高于EEPROM的FRAM產品。能在最高攝氏125度環(huán)境下運作的FRAM產品自2017年起就已經量產，因此這類FRAM逐漸被廣泛應用在需要在高溫下維持運作與高可靠性的汽車及工業(yè)機械市場。此次富士通電子研發(fā)并推出最大容量的2 Mbit產品，借此強化可運作于高達125度的FRAM產品陣容。

富士通電子將持續(xù)提供各種FRAM產品與解決方案，協(xié)助客戶提升各類應用的價值與便利性。

關鍵規(guī)格

組件型號：MB85RS2MTY

容量（組態(tài)）：2 Mbit（256K x 8位）

接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

運作頻率：最高50 MHz

運作電壓：1．8伏特 － 3．6伏特

運作溫度范圍：攝氏零下40度 － 攝氏125度

讀∕寫耐用度：10兆次 （1013次）

封裝規(guī)格：8－pin SOP與8－pin DFN

認證標準：符合AEC－Q100 Grade 1

詞匯與備注

FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀／寫周期的優(yōu)點。富士通自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。