隨著NAND Flash價格的連續(xù)走低,為了防止過量的NAND閃存供應導致市場崩潰,三大NAND生產廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀,具體來講就是全方位的減緩生產速度——少切點晶圓,慢建新產線。下半年開始NAND Flash價格明顯止跌,近期三星、SK海力士、美光等原廠又再次掀起了新一輪的軍備競賽,一些新的工廠開始正式納入規(guī)劃或者即將投入運營,這將給NAND Flash產業(yè)帶來什么變化?又是否是中國的機遇?
三星
2014年三星在西安建設工廠量產了第一代V-NAND ,2018年開始,三星在西安持續(xù)投資興建二期項目,根據(jù)建廠進度,該工廠預計在2019年底建設完工后,設備將搬入并開始量產。
如今有消息稱,三星西安二期工廠已安裝部分設備并開始試運行,以檢查量產前的情況,預計將在2020年2月開始批量生產。三星除了西安二期工廠,位于平澤工廠不遠處所新建的P2 Project建設也基本完成,已進行了少量的設備投資。
三星新工廠選擇在2020年投產,除了有助于緩解當前市場供過于求的市況外,2020年5G手機將掀起一波換機需求,而中國是重要的市場,同時對大容量NAND Flash需求也會增加,在貿易緊張的關系下,三星加大在中國新工廠的投資,將可更好的滿足中國市場需求。
SK海力士
SK海力士在清州興建的M15工廠已經(jīng)開始投產,M15工廠是為了生產堆疊72層與堆疊96層3D NAND,以提高SK海力士在NANDFlash市場主控權。在M15之后,M16工廠也被提上日程,該工廠于去年年底開建,計劃20202年完工,M16工廠將用上最先進的EUV光刻工藝。
在技術方面,6 月 26 日,SK 海力士宣布已成功開發(fā)世界上第一款“128 層1Tb 的 4D NAND 閃存”,即將投入量產。該技術的突破為 SK 海力士未來在企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)、5G 移動通信智能手機市場競爭提供了保障,能夠及時為客戶提供多種解決方案。
美光
美光自去年開始擴建新加坡的Fab 10工廠,旨在進行新的3D NAND工藝節(jié)點轉換,并且保持和現(xiàn)在一樣的晶圓產量,今年8月,美光新加坡Fab 10A新工廠完成。此前美光在新加坡已有兩座工廠,分別名為Fab 10N和Fab 10X,主要生產NANDFlash晶圓,這兩個工廠的Wafer產出大約占美光整體NANDFlash一半的產能。
在技術方面,根據(jù)最新消息,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構,將于明年開始小范圍量產。美光集團CEO表示,目前已經(jīng)成功完成替代柵極架構的3D NAND芯片的首次流片,這一里程碑的進展降低了產品技術向下一代技術過渡的風險,并且強調首代替代柵極架構將被應用在128層NAND產品上,先期會被應用到特定的產品線。
東芝
今年對于東芝來說是特殊的一年,從10月開始,東芝存儲將更名為“Kioxia”,中文名為“鎧俠”, 改名后的東芝近日宣布與西數(shù)共同投資的日本巖手縣K1工廠將于2020年上半年開始生產。
據(jù)了解,K1工廠將生產3D閃存,以支持數(shù)據(jù)中心、智能手機和自動駕駛汽車等應用不斷增長的存儲需求。東芝和西數(shù)兩家公司對K1工廠的設備進行聯(lián)合資本投資,使得該工廠可以在2020年開始進行96層3D閃存的初始生產。此外,東芝還打算在四日市投資興建Fab 7工廠,該工廠計劃2020年動工,2022年投入生產,新工廠建成后,東芝將會有8座工廠投入運營。
英特爾
英特爾作為最早做儲存器的企業(yè)之一,已經(jīng)連續(xù)多年是是全球半導體銷售額的首位, 如今時隔34年后它宣布要重返存儲器市場。發(fā)布新一代存儲器業(yè)務戰(zhàn)略,將炮火瞄準存儲器半導體大廠三星電子和SK海力士。
上個月,英特爾介紹了其在3D NAND閃存上的最新動態(tài)。英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3DNAND閃存產品,并且還率先在業(yè)內展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
英特爾采用3D Xpoint、是與美光聯(lián)合發(fā)布的新型閃存技術,號稱是25年來存儲技術的革命性突破,速度是目前NAND閃存的1000倍,耐用性也是目前閃存的1000倍,密度是NAND的10倍。不過英特爾能否如愿以償,決定于3D Xpoint產品能否取得眾多服務器客戶的青睞,目前尚為時過早。
國產追趕仍需時日
在NAND Flash市場中,三星、東芝、鎂光、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、英特爾這六家企業(yè)長期壟斷著全球99%以上的份額。國產儲存在全球市場中目前還影響力不足,東芝高管上個月曾表示:“中國內存廠商在二三年內趕上不容易,他認為市場供應過剩的局面已經(jīng)終結,此前的供應過剩已將利潤率擠壓至10年來的最低水平?!?/p>
作為后來者的長江存儲,其實早在2018年,就已經(jīng)量產了32層3D NAND閃存芯片。然而在2018年,各家的64層、72層3D NAND閃存已經(jīng)是主打產品,早已全面鋪貨,落后一代的差距使得當時長江存儲并沒有引起業(yè)界關注。9月初,長江存儲宣布開始量產基于Xtacking架構的64層256GB TLC 3D NAND閃存 ,而這也是中國首次實現(xiàn)64層3D NADA閃存芯片的量產,中國距離國際水平又近了一步。