隨著技術(shù)的發(fā)展，終端設(shè)備對(duì)于半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。特別是隨著5G的即將到來，也進(jìn)一步推動(dòng)了以氮化鎵（GaN）第三代半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展。

　　一、什么是GaN？

　　GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。

　　2、GaN器件逐步步入成熟階段

　　氮化鎵技術(shù)可以追溯到1970年代，美國(guó)無線電公司（RCA）開發(fā)了一種氮化鎵工藝來制造LED。自上世紀(jì)90年代開始，基于GaN的LED大放異彩，目前已是LED的主流?，F(xiàn)在市場(chǎng)上銷售的很多LED就是使用藍(lán)寶石襯底的氮化鎵技術(shù)。

　　除了LED，氮化鎵也被使用到了功率半導(dǎo)體與射頻器件上?；诘壍墓β市酒谑袌?chǎng)站穩(wěn)腳跟。2010年，第一個(gè)GaN功率器件由IR投入市場(chǎng)，2014年以后，600V GaN HEMT已經(jīng)成為GaN器件主流。2014年，行業(yè)首次在8英寸SiC（碳化硅）上生長(zhǎng)GaN器件。

　　3、GaN在電力電子領(lǐng)域與微波射頻領(lǐng)域均有優(yōu)勢(shì)

　?、佟aN在電力電子領(lǐng)域：高效率、低損耗與高頻率

　　高轉(zhuǎn)換效率：GaN的禁帶寬度是Si的3倍，擊穿電場(chǎng)是Si的10倍。因此，同樣額定電壓的GaN開關(guān)功率器件的導(dǎo)通電阻比Si器件低3個(gè)數(shù)量級(jí)，大大降低了開關(guān)的導(dǎo)通損耗。

　　低導(dǎo)通損耗：GaN的禁帶寬度是Si的3倍，擊穿電場(chǎng)是Si的10倍。因此，同樣額定電壓的GaN開關(guān)功率器件的導(dǎo)通電阻比Si器件低3個(gè)數(shù)量級(jí)，大大降低了開關(guān)的導(dǎo)通損耗。

　　▲Si功率器件開關(guān)速度慢，能量損耗大（來源：太平洋證券）

　　▲GaN開關(guān)速度快，可大幅度提升效率（來源：太平洋證券整理）

　　高工作頻率：GaN開關(guān)器件寄生電容小，工作效率可以比Si器件提升至少20倍，大大減小了電路中儲(chǔ)能原件如電容、電感的體積，從而成倍地減少設(shè)備體積，減少銅等貴重原材料的消耗。

　?、凇aN在微波射頻領(lǐng)域：高效率、大帶寬與高功率

　　更高功率：GaN上的電子具有高飽和速度（在非常高的電場(chǎng)下的電子速度）。結(jié)合大電荷能力，這意味著GaN器件可以提供更高的電流密度。RF功率輸出是電壓和電流擺動(dòng)的乘積，因此更高的電壓和電流密度可以在實(shí)際尺寸的晶體管中產(chǎn)生更高的RF功率。在4GHz以上頻段，可以輸出比GaAs高得多的頻率，特別適合雷達(dá)、衛(wèi)星通信、中繼通信等領(lǐng)域。

　　更高效率：降低功耗，節(jié)省電能，降低散熱成本，降低總運(yùn)行成本。

　　更大的帶寬：提高信息攜帶量，用更少的器件實(shí)現(xiàn)多頻率覆蓋，降低客戶產(chǎn)品成本。也適用于擴(kuò)頻通信、電子對(duì)抗等領(lǐng)域。

　　另外值得一提的是，GaN－on－SiC器件具有出色的熱性能，這主要?dú)w功于SiC的高導(dǎo)熱性。實(shí)際上，這意味著GaN－on－SiC器件在耗散相同功率時(shí)不會(huì)像GaAs或Si器件那樣熱。“較冷”設(shè)備意味著更可靠的設(shè)備。

　　4、與第二代半導(dǎo)體材料GaAs相比優(yōu)勢(shì)明顯

　　GaN器件的功率密度是砷化鎵（GaAs）器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率，這是由于器件外圍更小。

　　GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件的工作電壓可以比同類GaAs器件高五倍。由于GaN FET器件可以在更高的電壓下工作，因此設(shè)計(jì)人員可以更輕松地在窄帶放大器設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。阻抗匹配是以這樣的方式設(shè)計(jì)電負(fù)載的輸入阻抗的實(shí)踐，其最大化從設(shè)備到負(fù)載的功率傳輸。

　　GaN FET器件的電流是GaAs FET器件的兩倍。由于GaN FET器件可提供的電流是GaAs FET器件的兩倍，因此GaN FET器件具有更高的帶寬能力。大部分的半導(dǎo)體器件對(duì)于溫度的變化都是非常敏感的，為了保證可靠性，半導(dǎo)體的溫度變化必須被控制在一定范圍內(nèi)。熱管理對(duì)于RF系統(tǒng)來說尤其重要，因?yàn)樗鼈儽旧砟芰繐p耗就比較高，會(huì)帶來比較嚴(yán)重的散熱問題。GaN在保持低溫方面有其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，另外即使在溫度較高的情況下，相比于硅其性能影響較小。例如100萬小時(shí)失效時(shí)間中位數(shù)MTTF顯示，GaN比GaAs的工作溫度可以高50攝氏度。

　　▲GaAs與GaN的可靠性比較（資料來源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

　　與其他半導(dǎo)體（如Si和GaAs）相比，GaN是一種相對(duì)較新的技術(shù)，但它已成為高射頻，高耗電應(yīng)用的首選技術(shù)，如長(zhǎng)距離或高端功率傳輸信號(hào)所需的應(yīng)用（如雷達(dá)，基站收發(fā)信臺(tái)［BTS］，衛(wèi)星通信，電子戰(zhàn)［EW］等）。

　　5、隨著成本降低，GaN市場(chǎng)空間巨大

　　隨著成本降低，GaN市場(chǎng)空間巨大。GaN與SiC、Si材料各有其優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域，但是也有重疊的地方。GaN材料電子飽和漂移速率最高，適合高頻率應(yīng)用場(chǎng)景，但是在高壓高功率場(chǎng)景不如SiC；隨著成本的下降，GaN有望在中低功率領(lǐng)域替代二極管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以電壓來分，0～300V是Si材料占據(jù)優(yōu)勢(shì)，600V以上是SiC占據(jù)優(yōu)勢(shì)，300V～600V之間則是GaN材料的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。

　　根據(jù)Yole估計(jì)，在0～900V的低壓市場(chǎng)，GaN都有較大的應(yīng)用潛力，這一塊占據(jù)整個(gè)功率市場(chǎng)約68％的比重，按照整體市場(chǎng)154億美元來看，GaN潛在市場(chǎng)超過100億美元。

　　GaN RF市場(chǎng)即將大放異彩。根于Yole的預(yù)測(cè)，在通信和國(guó)防應(yīng)用的推動(dòng)下RF GaN產(chǎn)業(yè)在2017年至2023年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率將會(huì)達(dá)到的23％。截至2017年底R(shí)F GaN市場(chǎng)總量接近3.8億美元，2023年將達(dá)到13億美元以上。基于RF的GaN技術(shù)也在不斷創(chuàng)新以滿足工業(yè)界需求。國(guó)防應(yīng)用是RF GaN的主要市場(chǎng)領(lǐng)域，這是因?yàn)镚aN產(chǎn)品具有專業(yè)的高性能要求和低價(jià)格優(yōu)勢(shì)。2017－2018年間，國(guó)防應(yīng)用占GaN射頻市場(chǎng)總量的35％以上，目前全球國(guó)防市場(chǎng)在GaN領(lǐng)域沒有放緩跡象。

　　二、GaN市場(chǎng)：射頻是主戰(zhàn)場(chǎng)，5G是重要機(jī)遇

　　1、GaN是射頻器件的合適材料

　　目前射頻市場(chǎng)主要有三種工藝：GaAs工藝，基于Si的LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝，以及GaN工藝。GaAs器件的缺點(diǎn)是器件功率較低，低于50W。

　　LDMOS器件的缺點(diǎn)是工作頻率存在極限，最高有效頻率在3GHz以下。GaN彌補(bǔ)了GaAs和Si基LDMOS兩種老式技術(shù)之間的缺陷，在體現(xiàn)GaAs高頻性能的同時(shí)，結(jié)合了Si基LDMOS的功率處理能力。

　　在射頻PA市場(chǎng)，LDMOS PA帶寬會(huì)隨著頻率的增加而大幅減少，僅在不超過約3.5GHz的頻率范圍內(nèi)有效，采用0.25微米工藝的GaN器件頻率可以高達(dá)其4倍，帶寬可增加20％，功率密度可達(dá)6～8 W／mm（LDMOS為1～2W／mm），且無故障工作時(shí)間可達(dá)100萬小時(shí)，更耐用，綜合性能優(yōu)勢(shì)明顯。

GaN產(chǎn)業(yè)鏈梳理 　　典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括外延生長(zhǎng)－器件隔離－歐姆接觸（制作源極、漏極）－氮化物鈍化－柵極制作－場(chǎng)板制作－襯底減?。r底通孔等環(huán)節(jié)。 　　▲典型的GaN工藝流程（資料來源：Qorvo，中銀國(guó)際證券） 　　GaN與SiC產(chǎn)業(yè)鏈類似，GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)依次為：GaN單晶襯底（或SiC、藍(lán)寶石、Si）→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。目前產(chǎn)業(yè)以IDM企業(yè)為主，但是設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié)已經(jīng)開始出現(xiàn)分工，如傳統(tǒng)硅晶圓代工廠臺(tái)積電開始提供GaN制程代工服務(wù)，國(guó)內(nèi)的三安集成也有成熟的GaN制程代工服務(wù)。各環(huán)節(jié)相關(guān)企業(yè)來看，基本以歐美企業(yè)為主，中國(guó)企業(yè)已經(jīng)有所涉足。 　　GaN襯底：主流產(chǎn)品以2～3英寸為主，4英寸也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商用。GaN襯底主要由日本公司主導(dǎo)，日本住友電工的市場(chǎng)份額達(dá)到90％以上。我國(guó)目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)包括蘇州納米所的蘇州納維科技公司和北京大學(xué)的東莞市中鎵半導(dǎo)體科技公司。 　　GaN外延片：根據(jù)襯底的不同主要分為GaN－on－Si、GaN－on－SiC、GaN－on－sapphire、GaN－on－GaN四種。 　　GaN－on－Si：目前行業(yè)生產(chǎn)良率較低，但是在降低成本方面有著巨大的潛力：因?yàn)镾i是最成熟、無缺陷、成本最低的襯底材料；同時(shí)Si可以擴(kuò)展到8寸晶圓廠，降低單位生產(chǎn)成本，使其晶圓成本與SiC基相比只有其百分之一；Si的生長(zhǎng)速度是于SiC晶體材料的200至300倍，還有相應(yīng)的晶圓廠設(shè)備折舊以及能耗成本上的差別等。GaN－on－Si外延片主要用于制造電力電子器件，其技術(shù)趨勢(shì)是優(yōu)化大尺寸外延技術(shù)。 　　GaN－on－SiC：結(jié)合了SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性和的GaN高功率密度和低損耗的能力，是RF的合適材料。受限于SiC的襯底，目前尺寸仍然限制在4寸與6寸，8寸還沒有推廣。GaN－on－SiC外延片主要用于制造微波射頻器件。 　　GaN－on－ sapphire：主要應(yīng)用在LED市場(chǎng)，主流尺寸為4英寸，藍(lán)寶石襯底GaN LED芯片市場(chǎng)占有率達(dá)到90％以上。 　　GaN－ on－ GaN：采用同質(zhì)襯底的GaN主要應(yīng)用市場(chǎng)是藍(lán)／綠光激光器，應(yīng)用于激光顯示、激光存儲(chǔ)、激光照明等領(lǐng)域。 　　GaN外延片相關(guān)企業(yè)主要有比利時(shí)的EpiGaN、英國(guó)的IQE、日本的NTT－AT。中國(guó)廠商有蘇州晶湛、蘇州能華和世紀(jì)金光，蘇州晶湛2014年就已研發(fā)出8”硅基外延片，現(xiàn)階段已能批量生產(chǎn)。蘇州能華主要面向太陽能發(fā)電、電力傳輸?shù)入娏︻I(lǐng)域。世紀(jì)金光在SiC、GaN領(lǐng)域的粉料、單晶、外延、器件和模塊都有涉及。" height="NaN"/>

　　在更高的頻段（以及低功率范圍），GaAs PA是目前市場(chǎng)主流，出貨占比占9成以上，與GaAs RF器件相比，GaN優(yōu)勢(shì)主要在于帶隙寬度與熱導(dǎo)率。帶隙寬度方面，GaN的帶隙電壓高于GaAs（3.4 eV VS1.42 eV），GaN器件具有更高的擊穿電壓，能滿足更高的功率需求。熱導(dǎo)率方面，GaN－on－SiC的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)高于GaAs，這意味著器件中的功耗可以更容易地轉(zhuǎn)移到周圍環(huán)境中，散熱性更好。

　　2、GaN是5G應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)

　　5G將帶來半導(dǎo)體材料革命性的變化，隨著通訊頻段向高頻遷移，基站和通信設(shè)備需要支持高頻性能的射頻器件，GaN的優(yōu)勢(shì)將逐步凸顯，這正是前一節(jié)討論的地方。正是這一優(yōu)勢(shì)，使得GaN成為5G的關(guān)鍵技術(shù)。

　　在Massive MIMO應(yīng)用中，基站收發(fā)信機(jī)上使用大數(shù)量（如32／64等）的陣列天線來實(shí)現(xiàn)了更大的無線數(shù)據(jù)流量和連接可靠性，這種架構(gòu)需要相應(yīng)的射頻收發(fā)單元陣列配套，因此射頻器件的數(shù)量將大為增加，使得器件的尺寸大小很關(guān)鍵，利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)高集化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。除了基站射頻收發(fā)單元陳列中所需的射頻器件數(shù)量大為增加，基站密度和基站數(shù)量也會(huì)大為增加，因此相比3G、4G時(shí)代，5G時(shí)代的射頻器件將會(huì)以幾十倍、甚至上百倍的數(shù)量增加。在5G毫米波應(yīng)用上，GaN的高功率密度特性在實(shí)現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸。

　　2018年12月，Qorvo發(fā)布行業(yè)首款28 Ghz GaN前端模塊QPF4001 FEM，在單個(gè)MMIC中集成了高線性度LNA、低損耗發(fā)射／接收開關(guān)和高增益、高效率多級(jí)PA。針對(duì)5G基站架構(gòu)中間隔28 GHz的相控陣元件，對(duì)緊湊對(duì)緊湊型5x4毫米氣腔層表貼封裝進(jìn)行了優(yōu)化。該模塊采用了Qorvo的高效率0.15微米GaN－on－SiC技術(shù)。

　　3、GaN電力電子器件典型應(yīng)用：快充電源

　　GaN電力電子器件方面典型應(yīng)用市場(chǎng)是電源設(shè)備。由于結(jié)構(gòu)中包含可以實(shí)現(xiàn)高速性能的異質(zhì)結(jié)二維電子氣，GaN器件相比于SiC器件擁有更高的工作頻率，加之可承受電壓要低于SiC器件，所以GaN電力電子器件更適合高頻率、小體積、成本敏感、功率要求低的電源領(lǐng)域，如輕量化的消費(fèi)電子電源適配器、無人機(jī)用超輕電源、無線充電設(shè)備等。

　　GaN電力電子器件增速最快的是快充市場(chǎng)。2018年，世界第一家GaN IC廠商N(yùn)avitas和Exagan推出了帶有集成GaN解決方案（GaNFast?）的45W快速充電電源適配器，此45W充電器與Apple USB－C充電器相比，兩者功率相差不大，但是體積上完全是不同的級(jí)別，內(nèi)置GaN充電器比蘋果充電器體積減少40％。目前來看，采用GaN材料的快速充電器已成星火燎原之勢(shì)，有望成為行業(yè)主流。

　　三、GaN產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂?/p>

　　典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括外延生長(zhǎng)－器件隔離－歐姆接觸（制作源極、漏極）－氮化物鈍化－柵極制作－場(chǎng)板制作－襯底減?。r底通孔等環(huán)節(jié)。

　　▲典型的GaN工藝流程（資料來源：Qorvo，中銀國(guó)際證券）

　　GaN與SiC產(chǎn)業(yè)鏈類似，GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)依次為：GaN單晶襯底（或SiC、藍(lán)寶石、Si）→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。目前產(chǎn)業(yè)以IDM企業(yè)為主，但是設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié)已經(jīng)開始出現(xiàn)分工，如傳統(tǒng)硅晶圓代工廠臺(tái)積電開始提供GaN制程代工服務(wù)，國(guó)內(nèi)的三安集成也有成熟的GaN制程代工服務(wù)。各環(huán)節(jié)相關(guān)企業(yè)來看，基本以歐美企業(yè)為主，中國(guó)企業(yè)已經(jīng)有所涉足。

　　GaN襯底：主流產(chǎn)品以2～3英寸為主，4英寸也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商用。GaN襯底主要由日本公司主導(dǎo)，日本住友電工的市場(chǎng)份額達(dá)到90％以上。我國(guó)目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)包括蘇州納米所的蘇州納維科技公司和北京大學(xué)的東莞市中鎵半導(dǎo)體科技公司。

　　GaN外延片：根據(jù)襯底的不同主要分為GaN－on－Si、GaN－on－SiC、GaN－on－sapphire、GaN－on－GaN四種。

　　GaN－on－Si：目前行業(yè)生產(chǎn)良率較低，但是在降低成本方面有著巨大的潛力：因?yàn)镾i是最成熟、無缺陷、成本最低的襯底材料；同時(shí)Si可以擴(kuò)展到8寸晶圓廠，降低單位生產(chǎn)成本，使其晶圓成本與SiC基相比只有其百分之一；Si的生長(zhǎng)速度是于SiC晶體材料的200至300倍，還有相應(yīng)的晶圓廠設(shè)備折舊以及能耗成本上的差別等。GaN－on－Si外延片主要用于制造電力電子器件，其技術(shù)趨勢(shì)是優(yōu)化大尺寸外延技術(shù)。

　　GaN－on－SiC：結(jié)合了SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性和的GaN高功率密度和低損耗的能力，是RF的合適材料。受限于SiC的襯底，目前尺寸仍然限制在4寸與6寸，8寸還沒有推廣。GaN－on－SiC外延片主要用于制造微波射頻器件。

　　GaN－on－ sapphire：主要應(yīng)用在LED市場(chǎng)，主流尺寸為4英寸，藍(lán)寶石襯底GaN LED芯片市場(chǎng)占有率達(dá)到90％以上。

　　GaN－ on－ GaN：采用同質(zhì)襯底的GaN主要應(yīng)用市場(chǎng)是藍(lán)／綠光激光器，應(yīng)用于激光顯示、激光存儲(chǔ)、激光照明等領(lǐng)域。

　　GaN外延片相關(guān)企業(yè)主要有比利時(shí)的EpiGaN、英國(guó)的IQE、日本的NTT－AT。中國(guó)廠商有蘇州晶湛、蘇州能華和世紀(jì)金光，蘇州晶湛2014年就已研發(fā)出8”硅基外延片，現(xiàn)階段已能批量生產(chǎn)。蘇州能華主要面向太陽能發(fā)電、電力傳輸?shù)入娏︻I(lǐng)域。世紀(jì)金光在SiC、GaN領(lǐng)域的粉料、單晶、外延、器件和模塊都有涉及。

　　GaN器件設(shè)計(jì)與制造：GaN器件分為射頻器件和電力電子器件，射頻器件產(chǎn)品包括PA、LNA、開關(guān)器、MMIC等，面向基站衛(wèi)星、雷達(dá)等市場(chǎng)；電力電子器件產(chǎn)品包括SBD、常關(guān)型FET、常開型FET、級(jí)聯(lián)（Cascode）FET等產(chǎn)品，面向無線充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場(chǎng)。

　　按工藝分，則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。

　　GaN器件設(shè)計(jì)廠商（Fabless）方面，有美國(guó)的EPC、MACOM、Transphom、Navitas，德國(guó)的Dialog，國(guó)內(nèi)有被中資收購(gòu)的安譜?。ˋmpleon）等。

　　全球GaN射頻器件獨(dú)立設(shè)計(jì)生產(chǎn)供應(yīng)商（IDM）中，住友電工和Cree是行業(yè)的龍頭企業(yè)，市場(chǎng)占有率均超過30％，其次為Qorvo和MACOM。住友電工在無線通信領(lǐng)域市場(chǎng)份額較大，其已成為華為核心供應(yīng)商，為華為GaN射頻器件最大供應(yīng)商。Cree收購(gòu)英飛凌RF部門后實(shí)力大增，LDMOS產(chǎn)品和GaN產(chǎn)品在全球都比較有競(jìng)爭(zhēng)力。Qorvo在國(guó)防和航天領(lǐng)域市場(chǎng)份額排名第一。此外，還有法國(guó)Exagan、荷蘭NXP、德國(guó)英飛凌、日本三菱電機(jī)、美國(guó)Ⅱ－Ⅵ等。

　　中國(guó)GaN器件IDM企業(yè)有蘇州能訊、英諾賽科、江蘇能華等，大連芯冠科技正在布局，海威華芯和三安集成可提供GaN器件代工服務(wù)，其中海威華芯主要為軍工服務(wù)。中電科13所、55所同樣擁有GaN器件制造能力。

　　GaN代工廠商主要有美國(guó)環(huán)宇通訊半導(dǎo)體（GCS）、穩(wěn)懋半導(dǎo)體、日本富士通、Cree、臺(tái)灣嘉晶電子、臺(tái)積電、歐洲聯(lián)合微波半導(dǎo)體公司（UMS），以及中國(guó)的三安集成和海威華芯。此前恩智浦RF部門（安譜隆前身）、英飛凌RF部門（已出售給Cree）、韓國(guó)RFHIC將GaN射頻器件委托Cree公司代工。MACOM收購(gòu)Nitronex在2011年就與環(huán)宇通訊半導(dǎo)體（GCS）公司合作生產(chǎn)Si基GaN器件，一直合作至今。2016年三安光電收購(gòu)GCS被美國(guó)否決，其后三安光電與GCS合資設(shè)立廈門三安環(huán)宇集成電路公司，前期主要生產(chǎn)6英寸GaAs晶圓。

　　總結(jié)來看，目前美日歐廠商在GaN等第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)上處于領(lǐng)先地位。相比之下，大陸在GaN領(lǐng)域還是較為弱勢(shì)，主要還是依賴于國(guó)外代工廠商。

　　四、專利分布

　　從專利角度看，住友電工是RF GaN器件的市場(chǎng)的領(lǐng)軍者，但是相比于Cree仍然有不小差距。住友電工在專利方面目前有所放緩，而其他日本公司如富士通，東芝和三菱電機(jī)正在增加其專利申請(qǐng)，目前也擁有強(qiáng)大的專利組合。英特爾和MACOM目前是RF GaN領(lǐng)域最活躍申請(qǐng)專利的兩家公司，尤其是GaN－on－Silicon技術(shù)，如今這兩家公司在RF GaN專利領(lǐng)域擁有重要IP。參與RF GaN市場(chǎng)的其他公司，如Qorvo，Raytheon，Northrop Grumman，恩智浦／飛思卡爾和英飛凌，擁有一些關(guān)鍵專利，但知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位仍然相對(duì)薄弱。

　　▲RF GaN方面關(guān)鍵IP玩家（資料來源：Yole，中銀國(guó)際證券）

　　中國(guó)電子科技集團(tuán)和西安電子科技大學(xué)在中國(guó)專利領(lǐng)域占主導(dǎo)地位，擁有針對(duì)微波和毫米波應(yīng)用的GaN射頻技術(shù)專利。中國(guó)公司HiWafer作為新興的代工廠，也逐漸在GaN專利方面占有一席之地。

　　總體來說，RF GaN領(lǐng)域方面，依然是被美國(guó)和日本公司主導(dǎo)。