存儲(chǔ)芯片被譽(yù)為工業(yè)的糧食，存儲(chǔ)芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用，無(wú)論是系統(tǒng)芯片還是存儲(chǔ)芯片，都是通過(guò)在單一芯片中嵌入軟件，實(shí)現(xiàn)多功能和高性能，以及對(duì)多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。

　　中國(guó)?年進(jìn)口的集成電·超過(guò)3000億美元，其中存儲(chǔ)芯片占了大約1/3的份額，但DRAM內(nèi)存及NAND閃存目前尚無(wú)國(guó)產(chǎn)廠商染指，國(guó)產(chǎn)率基本為0，其中高價(jià)值的內(nèi)存幾乎?斷在三星、SK Hynix及美光三家公司中。

　　Digitimes報(bào)道稱，合肥長(zhǎng)鑫(ChangXin Memory Technologies，簡(jiǎn)稱CXMT)公司計(jì)劃在今年底量產(chǎn)首款內(nèi)存芯片，是8GB LPDDR4顆粒，預(yù)計(jì)Q4季度產(chǎn)能約為2萬(wàn)片晶圓/月，不過(guò)產(chǎn)能最終會(huì)擴(kuò)大到12.5萬(wàn)片晶圓/月。

　　根據(jù)長(zhǎng)鑫之前的公告，其首批8Gb LPDDR4內(nèi)存應(yīng)該是19nm工藝的，預(yù)計(jì)在2020年建設(shè)第二座晶圓廠，將使用20nm以下的工藝生產(chǎn)內(nèi)存，該公司計(jì)劃在2021年量產(chǎn)17nm工藝的內(nèi)存芯片。

　　此外，國(guó)內(nèi)研發(fā)DRAM內(nèi)存的另一家公司福建晉華JHICC被美國(guó)制裁，業(yè)務(wù)幾乎停擺，長(zhǎng)鑫公司也擔(dān)心被美國(guó)盯上，促使他們?cè)谘邪l(fā)過(guò)程中非常注重知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

　　從長(zhǎng)鑫公司之前公布的消息來(lái)看，他們的內(nèi)存技術(shù)主要源于破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司，將一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中，這也是公司最初的技術(shù)來(lái)源之一。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在所接收技術(shù)和國(guó)際合作的基礎(chǔ)上，利用專用研發(fā)線，展開(kāi)世界速度的快速迭代研發(fā)，已持續(xù)投入晶圓超過(guò)15000片。