2019年4月9日，華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）在CITE 2019上，公司的“高壓大功率雙溝槽型超級結(jié)工藝平臺”獲得中國電子信息博覽會創(chuàng)新應(yīng)用金獎。

2019年4月18日，在“2019中國國際新能源汽車功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)論壇”上，華虹宏力憑借其在絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）代工領(lǐng)域的技術(shù)底蘊(yùn)與創(chuàng)新能力，獲得了PSIC2019中國新能源汽車用IGBT“最具發(fā)展?jié)摿ζ髽I(yè)”獎。

10天內(nèi)，華虹宏力憑借在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域深耕20年的經(jīng)驗(yàn)，獲得兩項(xiàng)大獎，這表明業(yè)界對華虹宏力的功率器件工藝的肯定。

華虹宏力從2002年開始自主創(chuàng)“芯”路，是全球第一家提供功率器件代工服務(wù)的8英寸純晶圓代工廠。2002年到2010年，陸續(xù)完成先進(jìn)的溝槽型中低壓MOSFET/SGT/TBO等功率器件技術(shù)開發(fā)；2010年，高壓600V ~700V溝槽型、平面型MOSFET工藝進(jìn)入量產(chǎn)階段；2011年第一代深溝槽超級結(jié)工藝進(jìn)入量產(chǎn)階段，同年1200V溝槽型NPT IGBT工藝也完成研發(fā)進(jìn)入量產(chǎn)階段；2013年，第2代深溝槽超級結(jié)工藝推向市場，同時600V~1200V溝槽型場截止型IGBT（FDB工藝）也成功量產(chǎn)。

2018年，功率器件在各終端市場的應(yīng)用場景更加多樣，公司功率器件營收同比增長41%。作為全球首家提供場截止型FS-IGBT量產(chǎn)技術(shù)的8英寸純晶圓代工廠，華虹宏力擁有領(lǐng)先技術(shù)，支持并推動綠色能源、新能源汽車、工業(yè)自動化等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

華虹宏力具備多年成功量產(chǎn)汽車電子芯片的經(jīng)驗(yàn)和獨(dú)具特色的工藝能力，建立了零缺陷管理系統(tǒng)，并通過了IATF 16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證和多家客戶的VDA 6.3（德國汽車質(zhì)量流程審計(jì)標(biāo)準(zhǔn)）過程質(zhì)量審核的A級標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。

華虹宏力戰(zhàn)略、市場與發(fā)展部李健日前在深圳參加論壇時表示，以IGBT為例，對電動汽車中功率器件的規(guī)模進(jìn)行了介紹，他說一臺電動車總共需要48顆IGBT芯片，其中前后雙電機(jī)共需要36顆，車載充電機(jī)需要4顆，電動空調(diào)8顆。同時后裝維修零配件市場按1：1配套。如果2020年國內(nèi)電動汽車銷量達(dá)到200萬臺，國內(nèi)市場大約需要每月10萬片8英寸車規(guī)級IGBT晶圓產(chǎn)能（按每片晶圓容納120顆IGBT芯片折算）?；趪鴥?nèi)電動車市場占全球市場的1/3，2020年全球汽車市場可能需要超過每月30萬片8英寸IGBT晶圓產(chǎn)能！

華虹宏力正在實(shí)行“8+12”的戰(zhàn)略布局。8英寸的戰(zhàn)略定位是“廣積糧”，重點(diǎn)是“積”。華虹宏力有近20年的特色工藝技術(shù)積累，是業(yè)內(nèi)首個擁有深溝槽超級結(jié)(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及場截止型IGBT(Field Stop，F(xiàn)S IGBT)工藝平臺的8英寸代工廠，公司現(xiàn)已推出第三代DT-SJ工藝平臺。在IGBT方面讓客戶產(chǎn)品能夠比肩業(yè)界主流的國際IDM產(chǎn)品。12英寸的戰(zhàn)略定位是“高筑墻”，重點(diǎn)是“高”。華虹宏力將通過建設(shè)12英寸生產(chǎn)線，延伸8英寸特色工藝優(yōu)勢，拓寬護(hù)城河，提高技術(shù)壁壘，拉開與身后競爭者的差距。

我們也祝福華虹宏力未來更輝煌！