據科技日報報道,電子科技大學徐開凱課題組借助標準硅IC工藝研制出單片集成的全硅發(fā)光器件,實現基于PN結級聯(lián)的高效多晶硅光源。
這項技術的意義在于,取得了全硅半導體光電器件與集成技術領域的新突破。
據電子科技大學全硅半導體光電器件與集成技術研究小組相關負責人介紹,依托電子薄膜與集成器件國家重點實驗室等,與中國電子科技集團重慶聲光電有限公司等單位合作,嘗試通過引入多晶硅材料全面替代單晶硅材料,載流子注入工程與器件結構設計實現優(yōu)勢互補,實現了一種相對高效的多晶硅光源,其PN結級聯(lián)之器件結構也為實現高頻調制奠定了技術基礎?;谏鲜鲅芯?,課題組趙建明及研究團隊同學還實現了基于PN結結構之載流子注入回路,這一基于硅傳感器的載流子注入之電光回路未來有望應用于包括激光雷達、毫米波雷達等在內的諸多感知設備中。
芯片級硅基光電子集成技術,具有體積小、功耗低、穩(wěn)定性高、成本低等特點,是當今半導體光電器件與集成技術中最有前景的主流技術之一。硅基光電子器件與CMOS工藝兼容也正令光電子器件的大規(guī)模集成成為可能。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。