據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，5G已經(jīng)到來(lái)，各主要智能手機(jī)OEM廠商近期宣布將推出支持5G蜂窩和連接的手機(jī)。5G將重新定義射頻（RF）前端在網(wǎng)絡(luò)和調(diào)制解調(diào)器之間的交互。新的RF頻段（如3GPP在R15中所定義的sub－6 GHz和毫米波（mm－wave））給產(chǎn)業(yè)界帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。
LTE的發(fā)展，尤其是載波聚合技術(shù)的應(yīng)用，導(dǎo)致當(dāng)今智能手機(jī)中的復(fù)雜架構(gòu)。同時(shí)，RF電路板和可用天線空間減少帶來(lái)的密集化趨勢(shì)，使越來(lái)越多的手持設(shè)備OEM廠商采用功率放大器模塊并應(yīng)用新技術(shù)，如LTE和WiFi之間的天線共享。
射頻（RF）器件封裝技術(shù)概覽
在低頻頻段，所包含的600 MHz頻段將為低頻段天線設(shè)計(jì)和天線調(diào)諧器帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。隨著新的超高頻率（N77、N78、N79）無(wú)線電頻段發(fā)布，5G將帶來(lái)更高的復(fù)雜性。具有雙連接的頻段重新分配（早期頻段包括N41、N71、N28和N66，未來(lái)還有更多），也將增加對(duì)前端的限制。毫米波頻譜中的5G NR無(wú)法提供5G關(guān)鍵USP的多千兆位速度，因此需要在前端模組中具有更高密度，以實(shí)現(xiàn)新頻段集成。
5G手機(jī)需要4X4 MIMO應(yīng)用，這將在手機(jī)中增加大量RF流。結(jié)合載波聚合要求，將導(dǎo)致更復(fù)雜的天線調(diào)諧器和多路復(fù)用器。
2018～2024年5G手機(jī)射頻前端結(jié)構(gòu)
5G將為外包半導(dǎo)體封測(cè)廠商（OSAT）帶來(lái)更多封裝業(yè)務(wù)
RF系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）市場(chǎng)可分為兩部分：各種RF器件的一級(jí)封裝，如芯片／晶圓級(jí)濾波器、開(kāi)關(guān)和放大器（包括RDL、RSV和／或凸點(diǎn)步驟）；在表面貼裝（SMT）階段進(jìn)行的二級(jí)SiP封裝，其中各種器件與無(wú)源器件一起組裝在SiP基板上。2018年，射頻前端模組SiP市場(chǎng)（包括一級(jí)和二級(jí)封裝）總規(guī)模為33億美元，預(yù)計(jì)2018～2023年期間的復(fù)合年均增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到11．3％，市場(chǎng)規(guī)模到2023年將增長(zhǎng)至53億美元。
2018年，晶圓級(jí)封裝大約占RF SiP組裝市場(chǎng)總量的9％。Yole在這份新的報(bào)告中詳細(xì)研究了移動(dòng)領(lǐng)域各種射頻前端模組的SiP市場(chǎng)，包括：PAMiD（帶集成雙工器的功率放大器模塊）、PAM（功率放大器模塊）、Rx DM（接收分集模塊）、ASM（開(kāi)關(guān)復(fù)用器、天線開(kāi)關(guān)模塊）、天線耦合器（多路復(fù)用器）、LMM（低噪聲放大器－多路復(fù)用器模塊）、MMMB PA（多模、多頻帶功率放大器）和毫米波前端模組。到2023年，PAMiD SiP組裝預(yù)計(jì)將占RF SiP市場(chǎng)總營(yíng)收的39％。
本報(bào)告包含了覆蓋蜂窩和連接的射頻前端模組，并提供了按各種通信標(biāo)準(zhǔn)和智能手機(jī)細(xì)分的SiP市場(chǎng)預(yù)測(cè)。到2023年，用于蜂窩和連接的射頻前端SiP市場(chǎng)將分別占SiP市場(chǎng)總量的82％和18％。按蜂窩通信標(biāo)準(zhǔn)，支持5G（sub－6GHz和毫米波）的前端模組將占到2023年RF SiP市場(chǎng)總量的28％。高端智能手機(jī)將貢獻(xiàn)射頻前端模組SiP組裝市場(chǎng)的43％，其次是低端智能手機(jī)（35％）和奢華智能手機(jī)（13％）。
4G射頻前端SiP供應(yīng)鏈由少數(shù)幾家集成器件制造商（IDM）領(lǐng)導(dǎo)，如Qorvo、博通（Broadcom（Avago））、Skyworks Solutions和村田（Murata），它們將部分SiP組裝外包給OSAT廠商。高通（Qualcomm）逐漸成為5G解決方案射頻前端的重要供應(yīng)商，尤其是5G毫米波（獲得了多家移動(dòng)OEM廠商的訂單），并有望在未來(lái)保持主導(dǎo)地位。事實(shí)上，高通是唯一一家能夠?yàn)?G提供完整解決方案的廠商，包括調(diào)制解調(diào)器、天線模塊和應(yīng)用處理器。高通作為一家無(wú)晶圓廠，外包了所有SiP組裝，這為OSAT廠商帶來(lái)了更多商機(jī)。
此外，IDM廠商更加關(guān)注5G sub－6Ghz的射頻前端解決方案，這些也需要封裝創(chuàng)新，如更緊密的元件布局、雙面貼裝、共形／劃區(qū)屏蔽、高精度／高速SMT等。這些都需要投資新的設(shè)備和工藝。Yole認(rèn)為，對(duì)組裝技術(shù)的高投入負(fù)擔(dān)，將促使廠商將業(yè)務(wù)更多地外包給OSAT廠商。
按蜂窩和連接標(biāo)準(zhǔn)細(xì)分的射頻前端模組SiP組裝市場(chǎng)
5G正在推動(dòng)射頻前端的封裝創(chuàng)新
智能手機(jī)中的4G LTE為前端模組以及濾波器組和分集接收模塊使用了多芯片SiP。SiP提供了所需要的小尺寸、更短的信號(hào)路徑和更低的損耗。4G LTE前端模組目前包括10－15顆芯片，利用倒裝芯片球焊或銅柱連接到有機(jī)基板（最多8個(gè)有機(jī)層或18個(gè)陶瓷層），一些功率放大器仍然使用引線鍵合。5G Sub－6GHz產(chǎn)品預(yù)計(jì)將利用改良的現(xiàn)有倒裝芯片SiP（如雙面FC封裝基板），采用相近的物料清單，實(shí)現(xiàn)漸進(jìn)式創(chuàng)新。隨著新架構(gòu)的引入，5G毫米波頻率帶來(lái)了突破性的封裝：扇出型晶圓級(jí)封裝（WLP）和玻璃基板中介層，與具有低損耗電介質(zhì)的先進(jìn)有機(jī)基板倒裝芯片封裝競(jìng)爭(zhēng)。
天線技術(shù)和布局是5G半導(dǎo)體系統(tǒng)最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)之一。在毫米波頻率，從半導(dǎo)體封裝到天線的長(zhǎng)路徑代表著高損耗，因此希望將天線集成到SiP中。更高的頻率需要更小的天線（mm而不是cm），從占位面積來(lái)看，這樣更容易集成到SiP中。不過(guò)，目前單個(gè)天線必須與多個(gè)頻帶一起工作，使得天線和附加電路變得更加復(fù)雜。
為將天線元件與射頻組件集成用于5G移動(dòng)通信，提出了具有不同架構(gòu)的多種封裝解決方案。由于成本和成熟的供應(yīng)鏈，基于層壓基板的倒裝芯片率先被用于封裝天線（antenna－in－package， AiP）。扇出型WLP／PLP封裝得益于較高的信號(hào)性能、低損耗和縮小的外形尺寸，是一種很有前景的AiP集成解決方案，但它需要雙面重布線層（RDL）。除少數(shù)廠商，大部分OSAT尚未準(zhǔn)備好利用該技術(shù)大規(guī)模制造。
此外，電路需要屏蔽免受天線輻射，同時(shí)還要確保天線不被阻擋，并且可以實(shí)現(xiàn)清晰的接收／傳輸。與層壓基板一樣，陶瓷和玻璃也成為封裝基板材料的新選擇。對(duì)于5G毫米波封裝基板材料的選擇，必須在電氣特性、成本、可加工性和供應(yīng)鏈準(zhǔn)備狀況等多方面做權(quán)衡。由于成本和材料／組件供應(yīng)鏈的就緒狀況，有機(jī)層壓基板將率先應(yīng)用（伴隨有限的陶瓷應(yīng)用），隨后是陶瓷和玻璃。
移動(dòng)射頻前端模組：2002～2022年及以后的封裝趨勢(shì)