7月至9月的這個季度，三星電子營業(yè)利潤為17.5萬億韓元（154億美元），高于去年同期的14.53萬億韓元。營收同比增長4.75%，至65萬億韓元（572億美元）。

三星第三季度的高利潤來源于其內存芯片的銷量和三星顯示器的較高盈利率。今年三星的季度收益再創(chuàng)歷史新高，還得感謝蘋果公司的支持。目前來說，蘋果公司和三星電子之間的競爭還是處于相愛相殺階段非常復雜，一方面是全球手機市場的第一和第二的出貨量競爭，另一方面蘋果公司的部分配件仍然由三星公司供給。

三星為何在內存芯片市場稱霸？

目前全球內存芯片市場是三星、海力士、美光、東芝、西部數(shù)據(jù)等巨頭稱霸，三星市場份額最大。因為三星擁有全球最先進的半導體制造工藝，在工藝方面它與全球最大的芯片代工廠臺積電處于同一水平，同時，三星在該領域起步早、研發(fā)實力強、重視度高，造就了如今的霸主地位。

三星在內存芯片的代表事件一覽：

1986 年7 月 成功開發(fā)出1M DRAM

1990 年11 月 成功開發(fā)出16M DRAM

1992 年9 月 世界上首次成功開發(fā)出64M DRAM

1994 年8 月 世界上首次成功開發(fā)出256M DRAM

1996 年10 月 成功開發(fā)出1G DRAM

1998 年2 月 世界上首次成功開發(fā)出128M SDRAM

1998 年4 月 世界上首次成功開發(fā)出256M SDRAM

1998 年7 月 成功開發(fā)出64M Rambus DRAM

1998 年9 月 界上首次成功開發(fā)出1G SDRAM

1999 年6 月 世界率先進行256-MB SDRAM 芯片量產

1999 年6 月 世界上首次成功開發(fā)出1Gb DDR SDRAM

2000 年2 月 開發(fā)出圖形卡用高速SDRAM，3 月開發(fā)出世界最小的SRAM 封裝

2000 年4 月 世界上首次成功開發(fā)出512M DRAM

2001 年2 月 開發(fā)出4Gb DRAM 安全技術

2001 年5 月 開發(fā)出300MHz DDR SDRAM

2001 年7 月 開始512MB 閃存設備的大規(guī)模生產

2002 年1 月 世界上首次成功開發(fā)出4GB DDR 模塊，Rambus DRAM 的總銷售額突破1 億人民幣

2002 年2 月 首次量產12"晶片制作的256M DRAM

2002 年3 月 世界上首次成功開發(fā)出512M DDR DRAM，業(yè)內首次獲得英特爾公司認證

2002 年9 月 在世界上率先進行90 納米內存商業(yè)化

2002 年11 月 1GHz Rambus DRAM 業(yè)內首次實現(xiàn)了批量生產

2002 年1 月 率先推出4 GB DDR 模塊

2003 年7 月 開發(fā)出用于下一代內存的PRAM 技術，成為業(yè)界第一個開始300 mm 晶片1GB DDR DRAM 量產的公司

2003 年9 月 推出應用芯片疊層CCP 技術制備的最小1GB DRAM 芯片

2004 年4 月 業(yè)內首先開始圖形DDR3 DRAM 大規(guī)模生產

2004 年8 月 開發(fā)出世界第一款64MB PRAM

2004 年9 月 在世界上首次開始以90 納米DRAM 量產

2005 年6 月 90納米處理1 GB DDR2 DRAM 開始大規(guī)模生產

2005 年10 月 世界首次開發(fā)成功70nm DRAM，開發(fā)出世界上速度最快的圖形DRAM（GDDR4）

2006 年 研發(fā)出50 納米DDR,2008 年4 月量產

2009 年2 月 研發(fā)出世界首款40 納米1GB DDR2 內存

2010 年7 月 成功研發(fā)出世界首款30 納米級2GB DDR3 DRAM

雖然國內對內存芯片越來越重視，也出現(xiàn)了長江存儲、紫光國微等企業(yè)，但國內廠商仍處于起步階段，存儲器的研發(fā)能否成功，未來幾年將是關鍵期；研發(fā)成功后，良率能否提升到較高水平，成本控制是否能夠達到預期，知識產權能否做到有效保護等，仍然有一定的不確定性。