據(jù)Digitimes報道，紫光投資的長江存儲傳來新動態(tài)。

CEO楊士寧博士透露，公司計劃在明年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片。

資料顯示，今年4月份，長江存儲在武漢的工廠開始設(shè)備安裝，今年晚些時候投產(chǎn)32層3D閃存。楊士寧表示，32層產(chǎn)品非常成熟，已經(jīng)開始少量接單。

不過，從成本和市場接納度來看，64層的競爭力更強，長江存儲也將投入更多的精力在這一代上。關(guān)鍵技術(shù)方面，長江將引入全新3D NAND架構(gòu)Xtacking，即在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)I／O及記憶單元操作的外圍電路，從而將I／O速度提升到3Gbps。

要知道，目前世界上最快的3D NAND I／O速度的目標值是1．4Gbps，而大多數(shù)NAND供應商僅能供應1．0 Gbps或更低的速度。

長江存儲希望在64層3D閃存量產(chǎn)后，公司的毛利率可以轉(zhuǎn)正，屆時月產(chǎn)能預計10萬片。