全球第二大晶圓代工廠商GlobalFoundries(GF)宣布無限期中斷7納米投資計劃后，牽動全球晶圓代工版圖變化。三星電子(Samsung Electronics)傳正加速7納米極紫外光(EUV)制程量產，是否能順利擴展晶圓代工事業(yè)版圖值得觀察。

　　綜合多家韓媒的報導，GF意外宣布退出7納米戰(zhàn)場后，預告10納米以下制程將成臺積電、三星兩強競爭態(tài)勢。盡管目前臺積電在7納米制程量產領先，但晶圓代工排名第四的三星，也計劃加速轉進7納米制程，期望在晶圓代工領域更上層樓。

　　臺積電已開始采7納米制程為蘋果(Apple)等廠商進行代工，韓國業(yè)界觀察，三星正在加速7納米制程量產，華城EUV產線預計2018年下半進入試產，力拚2019年盡快正式量產。

　　原先三星規(guī)劃華城EUV產線2020年正式量產，但在臺積電率先宣布挺進7納米的壓力下，三星不得不加速華城EUV產線量產時程。

　　根據(jù)IHS Markit的資料，2017年晶圓代工市占第一名為遙遙領先的臺積電(50.4%)，其余依序是GF(9.9%)、聯(lián)電(8.1%)及三星(6.7%)，但在臺積電之后的第二名至第四名廠商市占率差距相當小。三星盡管目前排名第四，正計劃透過強化研發(fā)與投資，瞄準全球晶圓代工二哥寶座。

　　市場目前多以10納米級產品為主，率先進入7納米制程，雖不代表市占率能夠快速上升，如從長遠技術發(fā)展層次而言，先進制程未來恐怕只剩臺積電與三星兩強競爭。稍早三星舉行晶圓代工論壇，表示2019年越過7納米后，2020年之后期望朝3納米左右階段邁進。

　　不同于臺積電7納米分階段導入EUV設備，三星則是直接采用EUV設備，風險相對較大。此外，三星規(guī)劃5納米制程將采Smart Scaling制程，相較7納米面積與耗電可望進一步減少。三星指出4納米將是采FinFET的最后階段，預計到了3納米，將采次世代晶體管結構多重橋接型通道(Multi-Bridge-Channel FET；MBCFET)。

　　身為全球存儲器龍頭的三星，其實對晶圓代工深具企圖心。2017年三星晶圓代工營收為46億美元，三星期望2018年能夠翻倍，達成營收100億美元目標，順利坐上晶圓代工二哥王座。因此，2017年三星先將晶圓代工組升格為事業(yè)部，之后大舉投資美國奧斯汀晶圓代工廠，2018年初宣布斥資6.5兆韓元(約58億美元)于韓國華城建立EUV產線。

　　韓國半導體業(yè)界相關人士指出，臺積電、三星及英特爾(Intel)等晶圓代工事業(yè)成敗系于EUV產線，三星身為整合元件制造商(IDM)，其實已累積相當多EUV產線實作技術訣竅，2019年三星7納米制程一旦確保穩(wěn)定良率之后，勢將與臺積電在高附加價值產品群展開激烈廝殺。