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大陸半導(dǎo)體崛起,留給韓國的黃金時間只剩三五年?

2018-07-08
關(guān)鍵詞: 三星電子 3DNAND LCD面板

三星電子(Samsung Electronics)2014年5月領(lǐng)先全球,宣布量產(chǎn)堆疊32層3D NAND,日前業(yè)界傳出消息,指大陸長江存儲有望將于2018年10月,開始小量生產(chǎn)堆疊32層3D NAND,這表示大陸3D NAND與韓國的技術(shù)差距,恐怕僅剩4年左右!

 

過去三星3D NAND,是從堆疊24層、32層、48層,至目前堆疊64層,SK海力士(SK Hynix)2015年從堆疊32層開始,一路發(fā)展至目前的堆疊72層。反觀成立不到2年的長江存儲,3D NAND加速追趕韓廠,如以堆疊層數(shù)而言,恐怕僅落后韓廠3~4年。

 

韓媒首爾經(jīng)濟指出,LCD面板可視為韓國存儲體的前車之鑒。過去韓國LCD面板廠商三星顯示器(Samsung Display)及樂金顯示器(LG Display;LGD),曾經(jīng)叱吒業(yè)界多年,如今隨著大陸產(chǎn)能不斷開出,韓國LCD面板也只能無奈,加速轉(zhuǎn)進OLED面板。

 

韓國半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人士表示,大陸半導(dǎo)體正快速崛起中,韓國目前恐怕僅剩3~5年黃金救援時間。以外銷結(jié)構(gòu)而言,韓國半導(dǎo)體的處境,恐怕更加不樂觀。

 

根據(jù)韓國貿(mào)協(xié)公布的資料,2018年截至5月止,韓國銷往大陸的半導(dǎo)體累積金額為209億美元,占全體半導(dǎo)體外銷金額的41.8%。目前大陸半導(dǎo)體自制率約14%,2025年政策目標(biāo)為70%。換句話說,大陸扶植半導(dǎo)體的政策目標(biāo)一旦達成,韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將受到巨大沖擊。業(yè)界人士進一步指出,就算韓國廠商沒有減產(chǎn),大陸廠商一旦進入存儲體產(chǎn)業(yè),就會開始造成市占率重新洗牌,韓國恐無法避免市占率下滑。

 

除了看得到的市占率下滑威脅,韓國業(yè)界專家則是指出,當(dāng)大陸廠商投入量產(chǎn)后,就會以此為基礎(chǔ),快速展開技術(shù)追趕,一旦經(jīng)過2~3年的技術(shù)潛伏期,大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就可能出現(xiàn)跳躍式成長。

 

為了達成半導(dǎo)體自制率70%的政策目標(biāo),大陸半導(dǎo)體廠商大量挖角韓國、臺灣等地人才。紐約時報最近在一篇報導(dǎo)中就指出,長江存儲與三星的芯片根本是同一種產(chǎn)品,推測成立近2年的長江存儲之所以進步神速,主因在于大量挖角三星半導(dǎo)體人才。

 

盡管沒有正式的統(tǒng)計資料,韓國業(yè)界粗估最近數(shù)年間,從韓國到大陸半導(dǎo)體業(yè)界工作的人數(shù)已超過1,000人,除了已在韓國企業(yè)工作一段時間的高端管理者,也包括剛從韓國大學(xué)畢業(yè)的新鮮人。

 

長期而言,韓國存儲體產(chǎn)業(yè)的競爭力將面臨大陸崛起考驗,扶植系統(tǒng)半導(dǎo)體的聲音,盡管總是不絕于耳,但韓國系統(tǒng)半導(dǎo)體的存在感仍顯低落。根據(jù)韓國業(yè)界人士的估算,韓國應(yīng)用處理器(AP)、影像傳感器等非存儲體半導(dǎo)體,市占率僅3%左右。

 

根據(jù)市調(diào)廠商的資料,系統(tǒng)半導(dǎo)體中的移動AP,三星市占率為11%,落后高通(38%)、聯(lián)發(fā)科(26%)及蘋果(14%)。近來三星雖試圖強化晶圓代工,但仍然無法追趕臺積電過半市占率,排名仍居第四,SK海力士晶圓代工排名,更是落居10名之外。

 

相較歐美廠商積極尋求因應(yīng)對策,如發(fā)展次時代半導(dǎo)體技術(shù),面對大陸的崛起,韓國似乎仍安于現(xiàn)狀。未來隨著大陸存儲體正式量產(chǎn),韓國恐怕首先得迎接價格波動與下滑的沖擊。

 

2017年的存儲體,可說是過了繁榮的一年。2018年受市場強勁需求支撐,價格起伏并不大。然而到了2019年,當(dāng)大陸存儲體正式進入市場,情況或許截然不同。

 

根據(jù)市調(diào)機構(gòu)的資料,2018年5月底的DDR4 8Gb現(xiàn)貨價格為8.6美元,相較2017年12月底的9.6美元,半年來價格逐漸下滑,但是相較2年多前的3美元,DRAM榮景其實已持續(xù)一段時間。

 

另外,2018年5月底256Gb NAND Flash現(xiàn)貨價格為13.4美元,相較2017年12月底的14.1美元,6個月以來也是每月下滑。盡管半導(dǎo)體制造商與需求端,多采固定合約價格進行交易,然現(xiàn)貨價格走勢,仍可視為一種先行指標(biāo),從中推測未來合約價格走勢。

 

其實相較2017年,近來DRAM及NAND Flash合約價格僅小幅升。例如,6月底PC DRAM DDR4 4G合約價格為3.94美元,這個價格已維持了3個月不變。另外,6月底NAND Flash 128Gb合約價格為5.6美元,這個價格也從2017年9月底之后,就沒有任何改變,2017年8月底合約價格5.78美元,成為近1年多來的最高點。

 

韓國業(yè)界預(yù)測,2018年下半受到市場強勁需求支撐,DRAM與NAND Flash價格不致于出現(xiàn)太大跌勢,然而2019年上半,當(dāng)大陸廠商正式進入市場后,存儲體價格很可能會開始出現(xiàn)較明顯波動。


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