三星電子(Samsung Electronics)2014年5月領(lǐng)先全球，宣布量產(chǎn)堆疊32層3D NAND，日前業(yè)界傳出消息，指大陸長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望將于2018年10月，開始小量生產(chǎn)堆疊32層3D NAND，這表示大陸3D NAND與韓國(guó)的技術(shù)差距，恐怕僅剩4年左右！
過去三星3D NAND，是從堆疊24層、32層、48層，至目前堆疊64層，SK海力士(SK Hynix)2015年從堆疊32層開始，一路發(fā)展至目前的堆疊72層。反觀成立不到2年的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，3D NAND加速追趕韓廠，如以堆疊層數(shù)而言，恐怕僅落后韓廠3~4年。
韓媒首爾經(jīng)濟(jì)指出，LCD面板可視為韓國(guó)存儲(chǔ)體的前車之鑒。過去韓國(guó)LCD面板廠商三星顯示器(Samsung Display)及樂金顯示器(LG Display；LGD)，曾經(jīng)叱吒業(yè)界多年，如今隨著大陸產(chǎn)能不斷開出，韓國(guó)LCD面板也只能無奈，加速轉(zhuǎn)進(jìn)OLED面板。
韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人士表示，大陸半導(dǎo)體正快速崛起中，韓國(guó)目前恐怕僅剩3~5年黃金救援時(shí)間。以外銷結(jié)構(gòu)而言，韓國(guó)半導(dǎo)體的處境，恐怕更加不樂觀。
根據(jù)韓國(guó)貿(mào)協(xié)公布的資料，2018年截至5月止，韓國(guó)銷往大陸的半導(dǎo)體累積金額為209億美元，占全體半導(dǎo)體外銷金額的41.8%。目前大陸半導(dǎo)體自制率約14%，2025年政策目標(biāo)為70%。換句話說，大陸扶植半導(dǎo)體的政策目標(biāo)一旦達(dá)成，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將受到巨大沖擊。業(yè)界人士進(jìn)一步指出，就算韓國(guó)廠商沒有減產(chǎn)，大陸廠商一旦進(jìn)入存儲(chǔ)體產(chǎn)業(yè)，就會(huì)開始造成市占率重新洗牌，韓國(guó)恐無法避免市占率下滑。
除了看得到的市占率下滑威脅，韓國(guó)業(yè)界專家則是指出，當(dāng)大陸廠商投入量產(chǎn)后，就會(huì)以此為基礎(chǔ)，快速展開技術(shù)追趕，一旦經(jīng)過2~3年的技術(shù)潛伏期，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就可能出現(xiàn)跳躍式成長(zhǎng)。
為了達(dá)成半導(dǎo)體自制率70%的政策目標(biāo)，大陸半導(dǎo)體廠商大量挖角韓國(guó)、臺(tái)灣等地人才。紐約時(shí)報(bào)最近在一篇報(bào)導(dǎo)中就指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)與三星的芯片根本是同一種產(chǎn)品，推測(cè)成立近2年的長(zhǎng)江存儲(chǔ)之所以進(jìn)步神速，主因在于大量挖角三星半導(dǎo)體人才。
盡管沒有正式的統(tǒng)計(jì)資料，韓國(guó)業(yè)界粗估最近數(shù)年間，從韓國(guó)到大陸半導(dǎo)體業(yè)界工作的人數(shù)已超過1,000人，除了已在韓國(guó)企業(yè)工作一段時(shí)間的高端管理者，也包括剛從韓國(guó)大學(xué)畢業(yè)的新鮮人。
長(zhǎng)期而言，韓國(guó)存儲(chǔ)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力將面臨大陸崛起考驗(yàn)，扶植系統(tǒng)半導(dǎo)體的聲音，盡管總是不絕于耳，但韓國(guó)系統(tǒng)半導(dǎo)體的存在感仍顯低落。根據(jù)韓國(guó)業(yè)界人士的估算，韓國(guó)應(yīng)用處理器(AP)、影像傳感器等非存儲(chǔ)體半導(dǎo)體，市占率僅3%左右。
根據(jù)市調(diào)廠商的資料，系統(tǒng)半導(dǎo)體中的移動(dòng)AP，三星市占率為11%，落后高通(38%)、聯(lián)發(fā)科(26%)及蘋果(14%)。近來三星雖試圖強(qiáng)化晶圓代工，但仍然無法追趕臺(tái)積電過半市占率，排名仍居第四，SK海力士晶圓代工排名，更是落居10名之外。
相較歐美廠商積極尋求因應(yīng)對(duì)策，如發(fā)展次時(shí)代半導(dǎo)體技術(shù)，面對(duì)大陸的崛起，韓國(guó)似乎仍安于現(xiàn)狀。未來隨著大陸存儲(chǔ)體正式量產(chǎn)，韓國(guó)恐怕首先得迎接價(jià)格波動(dòng)與下滑的沖擊。
2017年的存儲(chǔ)體，可說是過了繁榮的一年。2018年受市場(chǎng)強(qiáng)勁需求支撐，價(jià)格起伏并不大。然而到了2019年，當(dāng)大陸存儲(chǔ)體正式進(jìn)入市場(chǎng)，情況或許截然不同。
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)的資料，2018年5月底的DDR4 8Gb現(xiàn)貨價(jià)格為8.6美元，相較2017年12月底的9.6美元，半年來價(jià)格逐漸下滑，但是相較2年多前的3美元，DRAM榮景其實(shí)已持續(xù)一段時(shí)間。
另外，2018年5月底256Gb NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)格為13.4美元，相較2017年12月底的14.1美元，6個(gè)月以來也是每月下滑。盡管半導(dǎo)體制造商與需求端，多采固定合約價(jià)格進(jìn)行交易，然現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)，仍可視為一種先行指標(biāo)，從中推測(cè)未來合約價(jià)格走勢(shì)。
其實(shí)相較2017年，近來DRAM及NAND Flash合約價(jià)格僅小幅升。例如，6月底PC DRAM DDR4 4G合約價(jià)格為3.94美元，這個(gè)價(jià)格已維持了3個(gè)月不變。另外，6月底NAND Flash 128Gb合約價(jià)格為5.6美元，這個(gè)價(jià)格也從2017年9月底之后，就沒有任何改變，2017年8月底合約價(jià)格5.78美元，成為近1年多來的最高點(diǎn)。
韓國(guó)業(yè)界預(yù)測(cè)，2018年下半受到市場(chǎng)強(qiáng)勁需求支撐，DRAM與NAND Flash價(jià)格不致于出現(xiàn)太大跌勢(shì)，然而2019年上半，當(dāng)大陸廠商正式進(jìn)入市場(chǎng)后，存儲(chǔ)體價(jià)格很可能會(huì)開始出現(xiàn)較明顯波動(dòng)。