中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC＋工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
梁孟松表示，28nm工藝在整個(gè)2018年將占據(jù)中芯國(guó)際出貨量的5－10％，其中新的28nm HKC占比將基本接近28nm Poly－SiON。
2017年第四季度，中芯國(guó)際深圳200毫米晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能為442750塊晶圓，2018年第一季度提升至447750塊，平均產(chǎn)能利用率也提高到88．3％。
同時(shí)，來(lái)自電源管理IC的需求也越來(lái)越高，200毫米晶圓廠(chǎng)正全力生產(chǎn)，高壓BCD工藝則轉(zhuǎn)向其300毫米晶圓廠(chǎng)。
2017年，中芯國(guó)際收入31．01億美元，同比增長(zhǎng)6．4％，毛利率23．9％，同比下降5．3個(gè)百分點(diǎn)，凈利潤(rùn)10．81億美元，同比增長(zhǎng)10．6％。
其中，28nm工藝貢獻(xiàn)的收入增長(zhǎng)4．4倍創(chuàng)造新高，總體占比為8．0％，
中芯國(guó)際聯(lián)系CEO趙海軍透露，2018年第一季度中芯國(guó)際收入8．31億美元，毛利率26．5％，研發(fā)投入1．23億美元，預(yù)計(jì)第二季度收入環(huán)比增長(zhǎng)7－9％，毛利率23－25％。
趙海軍表示，中芯國(guó)際40％的收入都來(lái)自中國(guó)內(nèi)地。
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