過去一年，Nor Flash的價格飛漲和前景看好，讓大家對編碼式存儲器重燃了信心，包括兆易創(chuàng)新和旺宏在內(nèi)的眾多廠商在去年也從中掙到盤滿缽滿。在很多人看來，這種略顯古老的產(chǎn)片沒啥技術(shù)含量，但從Nor Flash的發(fā)展看來，他們同樣面臨各種各樣的挑戰(zhàn)。

日前，北京大學(xué)微納電子學(xué)研究學(xué)院蔡一茂在一篇名為《NOR Flash:Scaling 的挑戰(zhàn)、可靠性及表征》的演講中，談到了Nor Flash的各種挑戰(zhàn)，現(xiàn)將其摘錄如下，與廣大讀者分享。

閃存的演變

根據(jù)Nor Flash的原理，它是使用CHE來編碼，然后使用FN Tunning 來擦除，而電荷注入機制對這兩個因素的印象很大，我們來分別看一下其考量和解決辦法：

首先看CEH。據(jù)了解，CHE的注入對編碼速度和lg有明顯的提升，同時能夠擴大對離子化率的影響（高橫向電場），還能影響收集效率（高垂直電場）。但對CHE來說，如下圖所示，影響他們的因素也有很多。

為此，可以使用TCAD仿真來模擬CHE注入的影響，提高產(chǎn)品性能。

TCAD仿真

介乎Flaoting Gate和Bulk之間的FN Tunning同樣也會受到各種因素的影響。

FN Tuneling

這時候使用MLC方案則能完美解決相關(guān)問題。

SLC和MLC的對比

對于Nor Flash來說，我們還需要考慮一下可靠性的問題。例如Over-Erase ，比如Nor Disturb，還有隧道氧化和可靠等問題。這就需要一些很好的解決方法。另外，在微縮的過程中，Nor Flash還會面臨Random Telegraph Signals Noise (RTN)等問題。

由上所述，Nor Flash從設(shè)計到生產(chǎn)，再到交付到客戶手中，要考量其可靠性、合格性、保持性，同時還要經(jīng)過保持特性失效分析。經(jīng)過以上重重考驗的NorFlash才能滿用戶對使用溫度（55度），斷電數(shù)據(jù)保持時間>10年，擦寫次數(shù)>10萬次等多方面的需求。

為了幫助讀者更好的了解Nor Flash的相關(guān)技術(shù)挑戰(zhàn)和解決方案，我們提供了蔡教授的完整PPT下載，點擊“閱讀原文”，注冊后即可下載，前30名用戶還可獲贈泰克官方整理的完整印刷版《半導(dǎo)體器件的表征及可靠性研究交流會匯編》！

希望我國的Nor Flash產(chǎn)業(yè)能夠快速發(fā)展，更上一層樓。