《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Nor Flash的這些問題該怎么解決?

2018-04-10
關(guān)鍵詞: NORFlash 編碼式存儲(chǔ)器 CHE

過去一年,Nor Flash的價(jià)格飛漲和前景看好,讓大家對(duì)編碼式存儲(chǔ)器重燃了信心,包括兆易創(chuàng)新和旺宏在內(nèi)的眾多廠商在去年也從中掙到盤滿缽滿。在很多人看來,這種略顯古老的產(chǎn)片沒啥技術(shù)含量,但從Nor Flash的發(fā)展看來,他們同樣面臨各種各樣的挑戰(zhàn)。


日前,北京大學(xué)微納電子學(xué)研究學(xué)院蔡一茂在一篇名為《NOR Flash:Scaling 的挑戰(zhàn)、可靠性及表征》的演講中,談到了Nor Flash的各種挑戰(zhàn),現(xiàn)將其摘錄如下,與廣大讀者分享。

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閃存的演變


根據(jù)Nor Flash的原理,它是使用CHE來編碼,然后使用FN Tunning 來擦除,而電荷注入機(jī)制對(duì)這兩個(gè)因素的印象很大,我們來分別看一下其考量和解決辦法:


首先看CEH。據(jù)了解,CHE的注入對(duì)編碼速度和lg有明顯的提升,同時(shí)能夠擴(kuò)大對(duì)離子化率的影響(高橫向電場(chǎng)),還能影響收集效率(高垂直電場(chǎng))。但對(duì)CHE來說,如下圖所示,影響他們的因素也有很多。

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為此,可以使用TCAD仿真來模擬CHE注入的影響,提高產(chǎn)品性能。

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TCAD仿真


介乎Flaoting Gate和Bulk之間的FN Tunning同樣也會(huì)受到各種因素的影響。

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FN Tuneling

這時(shí)候使用MLC方案則能完美解決相關(guān)問題。

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SLC和MLC的對(duì)比


對(duì)于Nor Flash來說,我們還需要考慮一下可靠性的問題。例如Over-Erase ,比如Nor Disturb,還有隧道氧化和可靠等問題。這就需要一些很好的解決方法。另外,在微縮的過程中,Nor Flash還會(huì)面臨Random Telegraph Signals Noise (RTN)等問題。


由上所述,Nor Flash從設(shè)計(jì)到生產(chǎn),再到交付到客戶手中,要考量其可靠性、合格性、保持性,同時(shí)還要經(jīng)過保持特性失效分析。經(jīng)過以上重重考驗(yàn)的NorFlash才能滿用戶對(duì)使用溫度(55度),斷電數(shù)據(jù)保持時(shí)間>10年,擦寫次數(shù)>10萬次等多方面的需求。


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希望我國(guó)的Nor Flash產(chǎn)業(yè)能夠快速發(fā)展,更上一層樓。

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