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臺(tái)積電擴(kuò)大封測(cè)產(chǎn)能,威脅矽品日月光

2018-04-02
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 矽品 日月光

  臺(tái)積電因應(yīng)蘋(píng)果新世代處理器制程推動(dòng)至7納米,決定同步擴(kuò)大后段扇出型封裝(InFO)產(chǎn)能,并且從龍?zhí)堆由熘林锌疲a(chǎn)能將再擴(kuò)增一倍,恐對(duì)后段封測(cè)廠日月光、矽品營(yíng)運(yùn)相對(duì)不利。

  臺(tái)積電供應(yīng)鏈指出,臺(tái)積電原位于中科的臺(tái)積太陽(yáng)能廠,兩年多前結(jié)束營(yíng)運(yùn)后,臺(tái)積電決定利用原廠址發(fā)展InFO封測(cè)業(yè)務(wù),相關(guān)投資計(jì)劃已獲科技部科學(xué)園區(qū)投資審議委員會(huì)審核通過(guò),正全力展開(kāi)裝機(jī)作業(yè),臺(tái)積電也證實(shí),確實(shí)打算再擴(kuò)充后段封測(cè)產(chǎn)能,相關(guān)投資金額已列入今年資本支出,實(shí)際投資金額不便透露,但會(huì)比去年多。

  臺(tái)積電近年來(lái)挾高超的晶圓代工技術(shù)和龐大產(chǎn)能,和蘋(píng)果建立緊密合合作,相繼在廿納米、十納米及七納米三個(gè)世代制程,獨(dú)攬?zhí)O果處理器大單。

  三星為了分食蘋(píng)果大單,包括計(jì)劃在七納米制程率先導(dǎo)入最先進(jìn)的極紫外光曝光顯影像設(shè)備,取代原有利用浸潤(rùn)機(jī)的多重曝光等繁復(fù)的制程,希望在制程進(jìn)展超越臺(tái)積電,甚至曾打算向生產(chǎn)EUV設(shè)備的艾司摩爾(ASML),包下幾乎一整年產(chǎn)量的EUV產(chǎn)量。

  外界認(rèn)為,三星買斷EUV機(jī)臺(tái),可強(qiáng)化七納米以下制程的競(jìng)爭(zhēng)力,并可拖延臺(tái)積電推進(jìn)EUV制程進(jìn)度,并讓格羅方德、英特爾都很難買到設(shè)備,不易發(fā)展次世代的微縮制程。不過(guò),三星不僅七納米導(dǎo)入EUV制程進(jìn)度落后,要包下艾司摩爾多數(shù)EUV機(jī)臺(tái),也遭艾司摩爾打回票。

  據(jù)了解,臺(tái)積電在竹科建立的七納米強(qiáng)化版小型試產(chǎn)線,在導(dǎo)入EUV的晶圓輸出率已經(jīng)大幅提升,內(nèi)部正打算在下半年建立試產(chǎn)線,預(yù)料年底即可在中科進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),明年正式量產(chǎn),進(jìn)度與三星相近,甚至有機(jī)會(huì)超前。

  與此同時(shí),臺(tái)積電的InFO高階封裝,完全是配合主要客戶蘋(píng)果。2016年臺(tái)積電買下高通龍?zhí)稄S,就是提供整體晶圓服務(wù),從制造到后段晶圓封裝,隨臺(tái)積電獨(dú)家承攬?zhí)O果A10及A11處理器,臺(tái)積電位于龍?zhí)兜姆庋b廠已全數(shù)滿載,臺(tái)積電又完封裝三星,獨(dú)攬?zhí)O果次世代A12或稱A11x處理器,在晶圓數(shù)需求大增下,臺(tái)積除擴(kuò)充龍?zhí)稄S外,也決定于中科再擴(kuò)增InFO后段高階封測(cè)產(chǎn)能。

  臺(tái)積電供應(yīng)鏈傳出,臺(tái)積電近期已大舉購(gòu)買后段封裝機(jī)臺(tái)設(shè)備,預(yù)計(jì)增加龍?zhí)稄S月產(chǎn)能從10萬(wàn)片到13萬(wàn)片,并于上季量產(chǎn)。

  臺(tái)積電在后段先進(jìn)封裝的擴(kuò)產(chǎn),也從龍?zhí)堆由斓街锌?,目前正就緊鄰量產(chǎn)10納米重鎮(zhèn)15廠區(qū)旁的原臺(tái)積太陽(yáng)能廠增加InFO新廠,整體產(chǎn)能可望倍增,龍?zhí)抖谟玫乜赏桥_(tái)積電未來(lái)擴(kuò)廠的新選擇。

  業(yè)界表示,臺(tái)積電大擴(kuò)產(chǎn)InFO的動(dòng)作,顯示InFO將不會(huì)委外,全部自己生產(chǎn),客戶預(yù)期將會(huì)增加,營(yíng)收貢獻(xiàn)也可望提高,對(duì)日月光等封測(cè)廠恐有不利影響;相對(duì)的,相關(guān)設(shè)備與材料等供應(yīng)商受惠。

  臺(tái)積電去年第4季已開(kāi)始進(jìn)行7納米試產(chǎn),上季正式量產(chǎn),部光罩制程采用極紫外光(EUV)技術(shù)的7+(7納米強(qiáng)化版)預(yù)定明年進(jìn)入量產(chǎn)。至于5納米部份,目前規(guī)劃2019年下半年開(kāi)始試產(chǎn),2020年進(jìn)入量產(chǎn)。


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