《電子技術(shù)應(yīng)用》
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我國大功率半導(dǎo)體急需突破

2018-03-20
關(guān)鍵詞: 英飛凌 富士 功率 半導(dǎo)體

支持我國自主大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展,給予國產(chǎn)品牌更多市場推廣和應(yīng)用機(jī)會(huì)。

大功率半導(dǎo)體主要包括IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、雙極器件、寬禁帶器件等產(chǎn)品,主要應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、艦船驅(qū)動(dòng)、重型工業(yè)設(shè)備等多個(gè)涉及國計(jì)民生的領(lǐng)域。隨著世界各國對節(jié)能減排、智能制造、國防軍工優(yōu)化升級等的迫切需求,大功率半導(dǎo)體器件將成為以上諸多領(lǐng)域發(fā)展的核心之一,并將影響國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展質(zhì)量和安全。
當(dāng)前,我國大功率半導(dǎo)體市場主要被英飛凌、三菱、富士等外國公司占據(jù),這嚴(yán)重制約了核心國產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展。

全國人大代表周清和建議,國家有關(guān)部門在重大工程招標(biāo)中加大對自主IGBT產(chǎn)品的支持力度?;谧灾鱅GBT產(chǎn)品應(yīng)用市場拓展、終端用戶信任度培育考慮,在重大工程招標(biāo)過程中,招標(biāo)文件里明確關(guān)鍵裝備中自主IGBT器件國產(chǎn)化率不低于50%;同時(shí)在政府示范應(yīng)用工程中為自主IGBT產(chǎn)品提供應(yīng)用機(jī)會(huì)。


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