事件
2018年3月6日，科銳（Cree）宣布將斥資約3.45億歐元（約4.25億美元）收購英飛凌（Infineon）的射頻功率（Radio Frequency Power）事業(yè)。
科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，此次收購英飛凌的RF POWER部門是科銳公司發(fā)展戰(zhàn)略的一個關鍵步驟，它加強了子公司疾狼（(Wolfspeed）在射頻氮化鎵技術領域的領導地位，并提供了更多市場，客戶和封裝專業(yè)知識，可以幫助疾狼加快的由4G網(wǎng)絡向革命性的5G網(wǎng)絡轉(zhuǎn)型。
英飛凌首席執(zhí)行官 Reinhard Ploss則指出，科銳及疾狼將會是英飛凌杰出射頻業(yè)務的優(yōu)質(zhì)買家，將會傳承英飛凌在射頻領域的優(yōu)越表現(xiàn)。我們對這單交易的前景非?？春谩７植鹆诉@個業(yè)務之后，英飛凌將會繼續(xù)推動關鍵增長領域，如電動汽車、自動駕駛、可再生能源，并將為無線市場保留強大的技術組合。
英飛凌為促成此交易，在位于德國雷根斯堡的8寸晶圓制造工廠內(nèi)建立LDMOS晶圓及相關組件的長期供應協(xié)議，在位于馬來西亞馬六甲的封測工廠內(nèi)提供組裝和測試服務。
英飛凌射頻功率產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Gerhard Wolf說：“憑借我們高超的技術和敬業(yè)的團隊，先進的技術和對卓越商業(yè)的承諾，我們期待著隨著5G移動標準的不斷發(fā)展，為我們的客戶提供無縫服務?！?/p>
按照英飛凌官方發(fā)布的新聞稿中可以知道，出售給科銳的資產(chǎn)包括：
1、英飛凌位于美國加州Morgan Hill 的資產(chǎn)，當中包括了LDMOS 和碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）的封裝和運營；
2、擁有良好客戶基礎和領先無線基站制造設備經(jīng)驗的工廠、員工和駐點的支持人員；
3、在美國Morgan Hill、Chandler，芬蘭、瑞典、中國和韓國等地的約260名員工；
4、一個過渡服務協(xié)議，以保證業(yè)務平穩(wěn)過渡；期限約為90天。
收購完成后，疾狼將成為業(yè)界擁有產(chǎn)品線最廣的射頻功率組件供應商，包括LDMOS、GaN產(chǎn)品。
而就在2018年2月26日，也就是該起交易達成前10天，科銳與英飛凌達成一項碳化硅晶圓供應協(xié)議，科銳向英飛凌供應先進的6寸碳化硅晶圓，金額總計將超過1億美元，這將擴大英飛凌的產(chǎn)品供應范圍，以應對當今高速增長的市場。
相信這次收購交易，美國CFIUS不會再阻止了。因為在2017年2月CFIUS曾阻止英飛凌收購疾狼。
英飛凌收購疾狼受阻
在2016年7月14日，英飛凌發(fā)布公告，公司將斥資7.4億歐元（約8.5億美元）收購科銳旗下子公司疾狼，包括和電源、射頻及相關的SiC芯片基板業(yè)務。
疾狼原是科銳公司的功率和射頻業(yè)務部門，于2015分拆成立，原計劃單獨上市，2015年9月曾經(jīng)在股市上公開募股。但由于引起了科銳股價的大幅下滑，于是這次上市計劃被迫擱淺。
科銳公司董事長兼首席執(zhí)行官Chuck Swoboda當初指出：“經(jīng)過慎重考慮和盡職調(diào)查，我們認為將疾狼出售給英飛凌，對我們的股東、員工和客戶而言是最明智的決定。我們相信，被英飛凌收購之后，疾狼能夠更好地讓其獨具特色的碳化硅和氮化鎵技術實現(xiàn)商業(yè)化?！?/p>
英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Reinhard Ploss博士在當時也表示：“并購疾狼，將為我們帶來一個獨特的增長機會。疾狼和英飛凌的業(yè)務和技術專長高度互補，我們可以融匯兩家企業(yè)在化合物半導體領域領先業(yè)界的專業(yè)特長。這可以讓我們依托當今市場上最廣博和最先進的創(chuàng)新化合物半導體技術和產(chǎn)品，為我們的客戶創(chuàng)造附加值。收購疾狼后，我們將成為全球排名第一的碳化硅功率器件供應商。我們還希望成為排名第一的射頻功率器件供應商。這可以加快這些創(chuàng)新技術的市場化步伐，滿足現(xiàn)代社會的需要，特別是對于能源效率、聯(lián)接和交通的需要。”他預期疾狼一直到2020年，每年的銷售成長可望在20%這樣的水準。
正當業(yè)界關注此交易時，2017年1月8日，英飛凌發(fā)布聲明表示，美國外來投資審查委員會（CFIUS）已告知英飛凌收購科銳旗下疾狼對美國國家安全構(gòu)成威脅。 聲明中提到，CFIUS并未說明有何補救措施可以讓交易案過關。
盡管英飛凌和科銳雙方努力尋求替代方案（修改現(xiàn)有交易條件）可以降低或解決監(jiān)管疑慮，但川普政府未松口。
DLA Piper LLP監(jiān)管律師Brian Chilton指出，英飛凌收購疾狼案被阻說明美國政府將保護國防工業(yè)高度重視的技術，美國不想喪失優(yōu)勢、因此不管收購方是德國廠商或中國廠商都會予以回絕。
美國佬為何棒打鴛鴦？擔心軍事機密泄露
疾狼是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT）和單片微波集成電路（MMIC）的全球領先供應商。作為美國最大的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）射頻晶圓處理技術生產(chǎn)商，疾狼的GaN HEMT和MMIC能夠為廣泛的射頻和微波應用提供創(chuàng)新，性能和效率，適用于商業(yè)和軍事領域。而疾狼曾多次參與美國軍用事項目的研發(fā)，所以被美國政府認定為有威脅到其國防安全的可能。
與美國軍火巨頭洛克希德·馬?。↙ockheed Martin）公司合作，針對美國空軍新一代的“太空籬笆（SPace Fence）”項目，共同攜手開發(fā)一款氮化鎵高功率放大器。疾狼承擔了該款產(chǎn)品的晶圓制造任務。
疾狼的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）產(chǎn)品通過了KCB Solution嚴格測試，確保其產(chǎn)品符合基于美國軍用標準S級和K級要求的NASA EEE-INST-002 1級標準。由于在KCB Solutions通過測試，多家公司已經(jīng)指定疾狼的氮化鎵器件應用于他們的太空產(chǎn)品。
但科銳2月16日發(fā)布的交易終止新聞稿中，當時科銳的董事長兼首席執(zhí)行官Chuck Swoboda表示，盡管我們對疾狼向英飛凌的銷售無法完成感到失望，但是鑒于這一發(fā)展，我們將把重點轉(zhuǎn)移到發(fā)展疾狼的業(yè)務。今年疾狼的營運表現(xiàn)良好，因為我們的客戶已經(jīng)進一步認識到我們獨特技術的價值，并且作為科銳的一部分已經(jīng)走在了一條偉大的道路。公司的報表理定步說明我們有足夠的現(xiàn)金流使我們有能力投資疾狼，同時繼續(xù)追求我們的LED和照明增長計劃。我們相信投資發(fā)展這三項業(yè)務將為我們的股東創(chuàng)造最大的價值。
一年前Chuck Swoboda的這番話透露，未來科銳在疾狼的業(yè)務上勢必會有大動作。果不其然，反向收購英飛凌的RF POWER業(yè)務，表明科銳邁出了前行的一大步。
科銳的財報表明，2017年疾狼的業(yè)務收入是2.21億美元，較2016年的1.76億美元成長超過25%。財報還指出，主要是銷售數(shù)量增長了29%，而平均單價下降了2%。
GaN市場
有專家稱，目前GaN不會完全的取代任何一項技術，但它也會繼續(xù)的滲透進這些市場，使自己更具價格競爭力。LDMOS每年也會進一步研發(fā)提高性能，所以這些市場上兩者將會繼續(xù)競爭下去，在未來，GaN必將出現(xiàn)亮眼的表現(xiàn)。
英國宇航系統(tǒng)公司（BAE）認為在一段很長的時間內(nèi)，GaN的微波應用將持續(xù)繁榮。主要在高功率領域，頻率從1到100GHz。盡管如此，GaN也不會完全的替代GaAs和Si，畢竟GaAs和Si都有獨特的性能，而且其相關的經(jīng)濟體也會確保這些材料的持續(xù)生存。GaN的爆發(fā)是要在其高產(chǎn)技術成熟而且晶圓尺寸擴大，成本降低的時候。
GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應用中站穩(wěn)了腳跟，并且還抓住了有線電視、移動基礎設施的部分市場。GaN的主要競爭對手在射頻領域的是LDMOS，在高頻領域是GaAs。LDMOS依然主宰著高功率器件市場。
由于GaN性能與LDMOS基本相當甚至更勝一籌，隨著全球各公司開始向大尺寸晶圓邁進，GaN的價格將開始對LDMOS形成壓力：Qorvo建立了新的6寸碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC），并已經(jīng)量產(chǎn)；而更多的公司如OMMIC、MACOM都開始生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si），以便在標準工藝上處理更大尺寸的晶圓。
法國調(diào)研機構(gòu)Yole認為國防市場是過去幾十年來RF GaN技術發(fā)展的主要動力。源自美國國防部的消息，GaN器件已經(jīng)在新一代天線和地面雷達中得到實施。其高功率能力提高了雷達的檢測范圍和分辨率，設計人員也越來越熟悉這項新技術。不過，這個軍事技術是非常敏感的。而且隨著GaN器件在國防技術的應用中的逐漸普及，其在非軍事領域的發(fā)展將受到影響。
同時Yole認為電信和國防市場將成為非軍事領域行業(yè)的主流。而且隨著5G網(wǎng)絡發(fā)展步伐的加快，電信市場將從2018年開始為GaN器件帶來巨大的機遇。眾所周知，諸如5G等新一代蜂窩基礎設施制式將采用高達80 GHz的頻率。只有化合物半導體器件能夠在如此之高的頻率下實現(xiàn)所需的效率。硅基氮化鎵器件支持更高的組件集成度，在高達10 GHz的工作頻率下具備明顯優(yōu)勢。碳化硅基氮化鎵器件可以在高達80 GHz的頻率下實現(xiàn)最大效率。兩種技術對于新一代蜂窩基礎設施制式均十分重要。與現(xiàn)有的硅LDMOS和GaAs解決方案相比，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡所需的高功率/效率水平。而且，GaN器件的寬帶能力是實現(xiàn)重要新技術（如多頻帶載波聚合）的關鍵技術因素之一。