臺積電已向竹科管理局提出土地需求申請獲準，啟動竹科新研發(fā)中心建設，最快明年下半年動工。據(jù)悉，臺積電竹科新研發(fā)中心總投資高達上千億元，再加上今年 1 月下旬動土的南科新建晶圓 18 廠、竹科總部 5 納米廠，以及后續(xù) 3 納米投入的資金，臺積電未來在高端制程將投入近萬億元人民幣。

臺積電最新申請的竹科新研發(fā)中心，緊鄰竹科總部，將是串連先進制程生產(chǎn)與研發(fā)的重要中樞。先前臺積電對董事長張忠謀預告，四年后將推動 3 納米制程量產(chǎn)。

而今年 1 月下旬動土的南科新建晶圓 18 廠有望成為全球第一個量產(chǎn) 5 納米的晶圓廠。據(jù)集微網(wǎng)了解，臺積電 5 納米總投資額超過 7000 億元新臺幣。根據(jù)規(guī)劃，18 廠的第 1 期工程，將在 2019 年完成裝機并進行風險試產(chǎn)，并且將于 2020 年開始正式量產(chǎn)。整體 5 納米的 3 期工程完工之后，預計在 2021 年達成滿載年產(chǎn)能高達 100 萬片 12 寸晶圓的目標。

除此之外，在 7 納米制程領域，臺積電已經(jīng)拿到百分之百的市場份額，預計將于今年第二季度投入量產(chǎn)，第四季度達到最大產(chǎn)能，收入貢獻比例也將達到 10％。據(jù)臺積電透露，7 納米工藝已經(jīng)獲得 50 多家客戶的訂單，涵蓋智能手機、游戲主機、處理器、AI應用、比特幣礦機等等。

相較之下，在高端制程技術的進展方面，臺積電的競爭對手三星、GlobalFoundries，以及英特爾也都緊追不舍。其中，三星近日已宣布與高通擴大晶圓代工業(yè)務合作，包含高通下一代 5G 移動芯片，將采用三星 7 納米LPP 極紫外光（EUV）制程。

據(jù)悉，高通在 MWC 2018 前夕發(fā)布了業(yè)界傳輸速率最高的 X24 基帶芯片，采用 7 納米制程生產(chǎn)，而整合 X24 的驍龍 855 手機芯片也將在今年底采用 7 納米制程投片。業(yè)界人士指出，高通今、明兩年 7 納米 LTE 芯片代工訂單已由臺積電拿下，明年下半年試產(chǎn)的 5G 芯片則選擇三星 7 納米極紫外光（EUV）制程生產(chǎn)。

同時，據(jù)韓媒透露，三星計劃將投入 6 兆韓元(相當于 56 億美元)升級晶圓產(chǎn)能。位于華城市的晶圓新廠將安裝超過 10 臺 EUV 光刻設備，由于每臺 EUV 設備要價皆多達 1,500 億韓元，因此僅采購機臺費用就達到 3～4 兆韓元。此外三星 6 納米晶圓廠的建設計劃，也將在近期公布。

而 GlobalFoundries 也緊跟臺積電 7 納米量產(chǎn)腳步，已宣布其位于美國紐約州 Fab 8 晶圓廠，計劃 2018 年稍晚將開始風險試產(chǎn) 7 納米芯片，2019 年導入量產(chǎn)。

相對而言，英特爾目前還處于 10 納米工藝的研發(fā)階段，但是英特爾宣稱其 10 納米制程跟其他晶圓代工廠的 7 納米制程處于同一等級。據(jù)路透社近日報道，2018 ～ 2020 年英特爾將在以色列投資 50 億美元。英特爾此前已表示，計劃把該工廠的制造工藝從22納米升級到10納米，生產(chǎn)更小、速度更快的芯片