2017年10月25日，在第90屆中國電子展期間， “第二屆（上海）電源半導(dǎo)體技術(shù)論壇”于開幕當(dāng)天下午成功舉辦。本次論壇由中電會(huì)展與信息傳播有限公司、《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志主辦，是IC China2017的重要活動(dòng)之一。逾百名電源半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)人士共聚一堂，就新半導(dǎo)體材料及器件、電源高功率密度設(shè)計(jì)、電源集成技術(shù)等作了深入交流。

英飛凌科技(中國)有限公司工業(yè)功率控制高級(jí)經(jīng)理陳子穎先生作了題為“SiC MOSFET ——技術(shù)、器件與應(yīng)用”的報(bào)告，分析了SiC器件的優(yōu)勢(shì)，對(duì)SiC與硅功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行了全面的比較，指出碳化硅做成單極性器件比IGBT雙極性器件的開關(guān)損耗大大降低，同時(shí)全面介紹了CoolSiC MOSFET的特性和產(chǎn)品計(jì)劃。陳子穎先生介紹：“CoolSiC MOSFET具備獨(dú)特的SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)，即：卓越的柵極氧化層可靠性，最低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，更高的跨導(dǎo)帶來簡單的柵極驅(qū)動(dòng)，4V的高閾值電壓，以及配合特定應(yīng)用要求的短路能力等?！?/p>

英飛凌科技(中國)有限公司工業(yè)功率控制高級(jí)經(jīng)理陳子穎先生

ROHM（深圳）有限公司主管蘇勇錦先生作了題為“ROHM SiC助力中國新能源發(fā)展”的報(bào)告，對(duì)SiC和SiC功率器件做了詳細(xì)介紹，分析了SiC功率器件的特性和注意點(diǎn)，介紹了SiC功率器件的使用方法以及活用工具。

ROHM（深圳）有限公司主管蘇勇錦先生

SiC器件的特性和注意點(diǎn)

華虹宏力分立器件科科長邢軍軍先生作了題為“深耕卓越功率技術(shù)，制造綠色‘芯’未來”的報(bào)告，對(duì)IGBT技術(shù)和超級(jí)結(jié)技術(shù)作了深入分析。邢軍軍先指出，第三代超級(jí)結(jié)MOSFET有著明顯優(yōu)勢(shì)，比如導(dǎo)通電阻小、尺寸小、從平面式工藝到垂直式的轉(zhuǎn)變等，會(huì)使得超級(jí)結(jié)MOSFET越來越受歡迎。

華虹宏力分立器件科科長邢軍軍先生

VICOR高級(jí)應(yīng)用工程師吳際先生則介紹了VICOR支持?jǐn)?shù)據(jù)中心的合封電源解決方案。吳際先生介紹，Vicor 合封電源方案解決了傳統(tǒng)“最后一英寸”給 XPU 性能帶來的障礙，不僅可提高性能，簡化主板設(shè)計(jì)，而且還可幫助 XPU 實(shí)現(xiàn)以前根本無法實(shí)現(xiàn)的性能，助力人工智能的發(fā)展。

上海市電源學(xué)會(huì)理事長、大連海事大學(xué)博導(dǎo)湯天浩教授作了題為“電力電子在節(jié)能減排與新能源的應(yīng)用與發(fā)展”的報(bào)告。湯天浩教授認(rèn)為，電力電子技術(shù)是新能源發(fā)電系統(tǒng)的電能變換、并網(wǎng)、電能質(zhì)量、儲(chǔ)能等裝置的關(guān)鍵技術(shù)，而電力電子器件是變流裝置的核心。新的器件雖然已經(jīng)取得了研究進(jìn)展，但實(shí)現(xiàn)其廣泛的商業(yè)應(yīng)用還有很多問題亟待解決，特別是需要在材料、制造和工業(yè)等技術(shù)領(lǐng)域的取得突破。

上海市電源學(xué)會(huì)理事長、大連海事大學(xué)博導(dǎo)湯天浩教授