2017年10月25日，在第90屆中國電子展期間， “第二屆（上海）電源半導體技術(shù)論壇”于開幕當天下午成功舉辦。本次論壇由中電會展與信息傳播有限公司、《電子技術(shù)應用》雜志主辦，是IC China2017的重要活動之一。逾百名電源半導體產(chǎn)業(yè)相關(guān)人士共聚一堂，就新半導體材料及器件、電源高功率密度設計、電源集成技術(shù)等作了深入交流。

英飛凌科技(中國)有限公司工業(yè)功率控制高級經(jīng)理陳子穎先生作了題為“SiC MOSFET ——技術(shù)、器件與應用”的報告，分析了SiC器件的優(yōu)勢，對SiC與硅功率半導體器件進行了全面的比較，指出碳化硅做成單極性器件比IGBT雙極性器件的開關(guān)損耗大大降低，同時全面介紹了CoolSiC MOSFET的特性和產(chǎn)品計劃。陳子穎先生介紹：“CoolSiC MOSFET具備獨特的SiC MOSFET優(yōu)勢，即：卓越的柵極氧化層可靠性，最低的開關(guān)和導通損耗，更高的跨導帶來簡單的柵極驅(qū)動，4V的高閾值電壓，以及配合特定應用要求的短路能力等?！?/p>

英飛凌科技(中國)有限公司工業(yè)功率控制高級經(jīng)理陳子穎先生

ROHM（深圳）有限公司主管蘇勇錦先生作了題為“ROHM SiC助力中國新能源發(fā)展”的報告，對SiC和SiC功率器件做了詳細介紹，分析了SiC功率器件的特性和注意點，介紹了SiC功率器件的使用方法以及活用工具。

ROHM（深圳）有限公司主管蘇勇錦先生

SiC器件的特性和注意點

華虹宏力分立器件科科長邢軍軍先生作了題為“深耕卓越功率技術(shù)，制造綠色‘芯’未來”的報告，對IGBT技術(shù)和超級結(jié)技術(shù)作了深入分析。邢軍軍先指出，第三代超級結(jié)MOSFET有著明顯優(yōu)勢，比如導通電阻小、尺寸小、從平面式工藝到垂直式的轉(zhuǎn)變等，會使得超級結(jié)MOSFET越來越受歡迎。

華虹宏力分立器件科科長邢軍軍先生

VICOR高級應用工程師吳際先生則介紹了VICOR支持數(shù)據(jù)中心的合封電源解決方案。吳際先生介紹，Vicor 合封電源方案解決了傳統(tǒng)“最后一英寸”給 XPU 性能帶來的障礙，不僅可提高性能，簡化主板設計，而且還可幫助 XPU 實現(xiàn)以前根本無法實現(xiàn)的性能，助力人工智能的發(fā)展。

上海市電源學會理事長、大連海事大學博導湯天浩教授作了題為“電力電子在節(jié)能減排與新能源的應用與發(fā)展”的報告。湯天浩教授認為，電力電子技術(shù)是新能源發(fā)電系統(tǒng)的電能變換、并網(wǎng)、電能質(zhì)量、儲能等裝置的關(guān)鍵技術(shù)，而電力電子器件是變流裝置的核心。新的器件雖然已經(jīng)取得了研究進展，但實現(xiàn)其廣泛的商業(yè)應用還有很多問題亟待解決，特別是需要在材料、制造和工業(yè)等技術(shù)領(lǐng)域的取得突破。

上海市電源學會理事長、大連海事大學博導湯天浩教授