文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2017.04.013
中文引用格式: 陳偉,黃啟俊,何進(jìn),等. 帶溫度補(bǔ)償和AGC功能的10 Gb/s跨阻放大器設(shè)計(jì)[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2017,43(4):51-54.
英文引用格式: Chen Wei,Huang Qijun,He Jin,et al. Design of 10 Gb/s transimpedance amplifier with temperature compensation and AGC circuit[J].Application of Electronic Technique,2017,43(4):51-54.
引言
光通信系統(tǒng)的光接收機(jī)中前置放大器的性能決定了接收端信號(hào)的通信質(zhì)量,一般要求高跨阻增益,低輸入?yún)⒖荚肼暎瑢挼膭?dòng)態(tài)范圍和高的電源噪聲抑制比等。隨著通信速率的升高,跨阻放大器以低的輸入噪聲和更寬的帶寬成為了設(shè)計(jì)首選。光接收機(jī)中前置跨阻放大器要求長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作,因此工作環(huán)境溫度的變化不可避免的對(duì)芯片性能造成影響。為此,必須對(duì)放大器進(jìn)行一定的溫度補(bǔ)償。在光接收機(jī)中,輸入光功率和PD二極管的響應(yīng)度決定了輸入電流,在輸入電流過(guò)大的時(shí)候,自動(dòng)使得跨阻增益減小,從而達(dá)到輸入范圍擴(kuò)大的目的。
雖然目前CMOS工藝的跨阻放大器能夠達(dá)到很高的工作速率[1],但是在通信速率為10 Gb/s的節(jié)點(diǎn)上,CMOS前置放大器芯片往往會(huì)消耗更大的功耗,有更高的噪聲[2],為提高帶寬而采用無(wú)源電感[3]或者變壓器[4]不僅占據(jù)更大的面積,甚至導(dǎo)致功耗進(jìn)一步增大。相比CMOS工藝而言,BiCMOS SiGe工藝器件有著更高的截止頻率和相對(duì)低的器件噪聲[5],這意味著穩(wěn)定良好的芯片性能和更小的芯片面積符合商用芯片的要求。
1 前置放大器電路設(shè)計(jì)
光接收機(jī)端一般由跨阻放大器、限幅放大器、時(shí)鐘恢復(fù)電路和解復(fù)用器電路組成[6],跨阻放大器位于接收機(jī)的最前端,其性能好壞對(duì)整個(gè)光接收機(jī)有決定性的影響。
本文設(shè)計(jì)的跨阻放大器如圖1所示。其中輸入級(jí)電路將PD輸入的光電流轉(zhuǎn)換成輸出電流,實(shí)現(xiàn)跨阻放大的作用;自動(dòng)增益控制電路在輸入光電流較大時(shí)將跨阻減小,從而擴(kuò)展輸入動(dòng)態(tài)范圍;溫度補(bǔ)償電路對(duì)輸入級(jí)電源電壓進(jìn)行補(bǔ)償,從而使得增益在帶內(nèi)保持平坦和足夠的帶寬;兩級(jí)差分放大電路將輸入級(jí)輸出的電壓信號(hào)進(jìn)一步放大的同時(shí),也進(jìn)行阻抗變換來(lái)驅(qū)動(dòng)輸出緩沖電路;輸出緩沖電路匹配外部負(fù)載50 Ω;帶隙偏置電路為核心電路提供穩(wěn)定的供電電壓,同時(shí)提供與溫度關(guān)聯(lián)的、用來(lái)進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)碾娏鳎?a class="innerlink" href="http://ihrv.cn/tags/溫度電流" title="溫度電流" target="_blank">溫度電流);PD偏置電壓為PD光電二極管提供穩(wěn)定的反偏電壓。
1.1 輸入級(jí)電路設(shè)計(jì)
本文采用的輸入級(jí)電路結(jié)構(gòu)如圖2(b)所示,相比于圖2(a)中一般的共射組態(tài)結(jié)構(gòu),放大器采用共射組態(tài)和射隨器級(jí)聯(lián)的方式,反饋電阻在射隨器N2管的發(fā)射級(jí)。其電路方便直流工作點(diǎn)的選取,Vout點(diǎn)的電壓為2Vbe,可以直接驅(qū)動(dòng)后級(jí)差分放大電路,而圖2(a)中,Vout約為Vbe1的電壓,很難驅(qū)動(dòng)后級(jí)電路,需要進(jìn)一步的共模電平轉(zhuǎn)換。圖2(b)的另一個(gè)很大的優(yōu)點(diǎn)在于其對(duì)于后級(jí)噪聲有很強(qiáng)的減弱作用,可以看出,后級(jí)輸入噪聲要經(jīng)過(guò)一個(gè)N1管等效到輸入,即減小了gm1R1倍,而圖2(a)中,后級(jí)輸入噪聲直接通過(guò)反饋電阻Rf等效到輸入,其噪聲將會(huì)很大,跨阻放大器的靈敏度將會(huì)很低。圖2(b)的小信號(hào)模型如圖2(c)所示。其中Vreg是由溫度補(bǔ)償模塊產(chǎn)生,來(lái)補(bǔ)償溫度對(duì)輸入級(jí)跨阻和帶寬的影響。
從圖2(c)中可以得出輸入級(jí)電路的傳輸函數(shù),-3 dB帶寬,低頻輸入阻抗分別為:
式中g(shù)m1,gm2為N1管和N2的跨導(dǎo),Ro1和Ro2為N1管和N2管的發(fā)射極與集電極之間的電阻,Cin為輸入總電容,Cout為輸出端總電容。
1.2 溫度補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)
為了抑制溫度變化對(duì)電路性能的影響,需引入溫度補(bǔ)償電路,且要求電路結(jié)構(gòu)要盡量不影響輸入級(jí)的結(jié)構(gòu)和消耗太大的功耗。仿真結(jié)果表明,Vreg電壓可以很好地控制電路的增益和-3 dB帶寬,為此,可以產(chǎn)生一個(gè)與溫度有關(guān)系的Vreg電壓來(lái)補(bǔ)償輸入級(jí)結(jié)構(gòu)和后級(jí)電路的溫度特性。Vreg電壓的產(chǎn)生電路如圖3(a)所示,可以表示為ItempR+Vbe1+Vbe2。
從圖中可以看出,輸入是一個(gè)與溫度變化有關(guān)系的電流Itemp(Itemp由帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生),從而產(chǎn)生一個(gè)與溫度有關(guān)系的電壓Vreg,這個(gè)電壓經(jīng)過(guò)一個(gè)運(yùn)算放大器鎖存后供給輸入結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)帶負(fù)載能力。引入了與溫度有關(guān)系的Vreg電壓后,整個(gè)放大器的的-3 dB帶寬如圖3(b)所示。從對(duì)比中可以發(fā)現(xiàn),溫度補(bǔ)償可以很好地控制放大器的帶寬,使得帶寬隨溫度變化較小。
1.3 AGC電路設(shè)計(jì)
AGC電路的設(shè)計(jì)思路是在輸入級(jí)電路中電阻 Rf并聯(lián)了一個(gè)MOS管,當(dāng)輸入電流較大時(shí),Nf管開(kāi)啟,處于三極管區(qū),使得與 Rf并聯(lián)的整個(gè)跨阻減小。而當(dāng)輸入電流較小時(shí),Nf管關(guān)閉,處于截止區(qū),使得整個(gè)跨阻最大,如圖 4(a)所示, Vagc產(chǎn)生電路如圖 4(b)所示。
V2p和V2n電壓取自差分放大第二級(jí)的輸出,兩個(gè)電壓經(jīng)過(guò)低通濾波器之后輸入到放大器A0中,放大器的輸出電壓經(jīng)過(guò)低通濾波器之后控制后級(jí)MOS管中電流分配,從而產(chǎn)生AGC控制電壓Vagc。假設(shè)V2p電壓上升,經(jīng)過(guò)放大器A0之后,Voffset電壓上升,從而導(dǎo)致M1和M2中電流上升。M1中的電流經(jīng)過(guò)PM1鏡像到PM2中,也使得電阻上的電流增加,從而導(dǎo)致Vagc電壓上升,開(kāi)啟圖 4(a)中的Nf管,實(shí)現(xiàn)AGC的作用。值得注意的是,在AGC電路中,為了不使得Vagc電壓上升的過(guò)快,加入了M3管,當(dāng)Vagc電壓上升到一定電壓的時(shí)候,會(huì)導(dǎo)致M3管開(kāi)啟并處于三極管區(qū),與Rc2并聯(lián)后,會(huì)導(dǎo)致整個(gè)電阻減小,從而一定程度上減小了Vagc電壓。其對(duì)比結(jié)果如圖5所示。可以看出,M3的引入使得Vagc控制電壓上升的更加緩慢,對(duì)輸入電流的調(diào)控范圍更大,但是引入M3管并沒(méi)有改變AGC電壓?jiǎn)?dòng)點(diǎn)。
1.4 中間差分放大級(jí)電路和輸出緩沖電路設(shè)計(jì)
輸入級(jí)產(chǎn)生的跨阻增益是有限的,中間差分放大器進(jìn)一步將輸入信號(hào)進(jìn)行放大,其電路結(jié)構(gòu)采用共射放大器和射隨器相連的結(jié)構(gòu),如圖 6(a)所示。在共射放大器中,使用了電容簡(jiǎn)并來(lái)補(bǔ)償由前級(jí)產(chǎn)生的增益滾降。利用半邊等效電路概念,其等效結(jié)構(gòu)如圖6(b)所示。
其等效跨導(dǎo)為:
可以看出,Gm中包含一個(gè)零點(diǎn)和一個(gè)極點(diǎn),分別為1/(Rs1Cs1)和(1+gm1Rs1)/(Rs1Cs1),而在N1管的集電極又包含一個(gè)極點(diǎn)為1/(R1CL),如果集電極極點(diǎn)和等效跨導(dǎo)中的零點(diǎn)相抵消,則可以擴(kuò)展放大器的帶寬。但這是以降低低頻增益和引入電阻Rs1的熱噪聲為代價(jià)的,需要不斷優(yōu)化和折中選擇。
射隨器電路除了完成了直流電平轉(zhuǎn)換之外,也將輸出電阻減小到了1/gm,提高了放大器的帶負(fù)載能力;輸出緩沖電路一般要求CML電平輸出,同時(shí)要匹配和驅(qū)動(dòng)外部50 Ω電阻,其結(jié)構(gòu)如圖7所示,在設(shè)計(jì)中R1和R2為50 Ω。為了滿足一定的輸出幅度以驅(qū)動(dòng)下一級(jí)限幅放大器,輸出緩沖電路的電流一般比較大,在本次設(shè)計(jì)中輸出緩沖電路尾電流源設(shè)計(jì)為8 mA,這樣可以產(chǎn)生400 mV的差分輸出電壓。
2 版圖和后仿真結(jié)果
整體電路版圖采用0.18 μm BiCMOS SiGe工藝設(shè)計(jì),其供電電壓為3.3 V,芯片面積為937 mm×828 mm。交流仿真建立在合適的直流工作點(diǎn)之上,本文設(shè)計(jì)的跨阻放大器的跨阻增益和等效輸入噪聲仿真結(jié)果如圖8所示。從仿真結(jié)果中可以看出,放大器的單端跨阻增益為73 dBΩ,-3 dB帶寬在8.7 GHz,在10 G處等效輸入噪聲為17 pA/√Hz,從而得到跨阻放大器的靈敏度為-20 dBm。
當(dāng)輸入電流較大的時(shí)候,AGC控制電壓就會(huì)上升,使得跨阻增益減小,其變化曲線如圖9所示??梢?jiàn),當(dāng)輸入電流為40 μA的時(shí)候,AGC電壓開(kāi)始開(kāi)啟輸入級(jí)跨阻上的可變MOS管電阻,減小跨阻增益。
在高速通信系統(tǒng)中,眼圖是觀察通信質(zhì)量最直觀的方法。本設(shè)計(jì)版圖后仿真的瞬態(tài)眼圖如圖 10所示。
從仿真眼圖中可以看出,“眼睛”張開(kāi)較大,上升和下降沿有一定的過(guò)沖,說(shuō)明帶寬足夠,且輸出關(guān)于零電平對(duì)稱。“眼皮”厚度較小,說(shuō)明放大器有比好的抗噪聲性能??缱璺糯笃鞯闹饕阅軈R總?cè)绫?所示。
3 結(jié)論
本文采用0.18 μm BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)了10 Gb/s跨阻放大器設(shè)計(jì)。為了獲得帶內(nèi)平坦的增益和較大的輸入動(dòng)態(tài)范圍,引入了溫度電流和AGC模塊。整個(gè)放大器的差分跨阻增益為9 kΩ,帶寬為8.7 GHz,靈敏度為-20 dBm,芯片正在流片中,從版圖后仿真結(jié)果來(lái)看,其芯片性能指標(biāo)完全可以使用在10 Gb/s的光通信領(lǐng)域。
參考文獻(xiàn)
[1] GALAL S,RAZAVI B.40-Gb/s amplifier and ESD protection circuit in 0.18-μm CMOS technology[J].Solid-State Circuits,IEEE Journal of,2004,39(12):2389-2396.
[2] RAZAVI B.Design of analog CMOS integrated circuits[M].McGraw-Hill,Inc.2001.
[3] 孫洋,黃啟俊,王豪,等.用于平衡探測(cè)器的5 Gb/s前置放大器設(shè)計(jì)[J].半導(dǎo)體光電,2014(6):1062-1066.
[4] HAN J,CHOI B,SEO M,et al.A 20-Gb/s transformer-based current-mode optical receiver in 0.13-μm CMOS[J].IEEE Transactions on Circuits & Systems II Express Briefs,2010,57(5):348-352.
[5] MAXIM A.A 10 Gb/s SiGe transimpedance amplifier using a pseudo-differential input stage and a modified Cherry-Hooper amplifier[C].Symposium on VLSI Circuits.2003:404-407.
[6] RAZAVI B.Design of integrated circuits for optical communications[M].Asia:McGraw-Hill Education,2005.
作者信息:
陳 偉1,黃啟俊1,何 進(jìn)1,王 豪1,常 勝1,童志強(qiáng)2
(1.武漢大學(xué) 物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,湖北 武漢430072;2.武漢烽火通信科技股份有限公司微電子部,湖北 武漢430074)