半導(dǎo)體市況好熱鬧，就在臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶(hù)芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水平，此制程將幫助客戶(hù)開(kāi)拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。

聯(lián)電CEO顏博文表示，這次達(dá)成14nm量產(chǎn)的里程碑，象征聯(lián)電成功攜手客戶(hù)，將先進(jìn)技術(shù)導(dǎo)入市場(chǎng)，同時(shí)與其他客戶(hù)的合作也在順利進(jìn)行中，將持續(xù)優(yōu)化此制程，充分發(fā)揮14納米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優(yōu)勢(shì)，以驅(qū)動(dòng)次世代硅芯片于網(wǎng)絡(luò)、人工智能和各類(lèi)消費(fèi)產(chǎn)品等各領(lǐng)域的應(yīng)用。

聯(lián)電14納米 FinFET制程效能競(jìng)爭(zhēng)力已達(dá)業(yè)界領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)，速度較28nm增快55％，閘密度則達(dá)兩倍，此外，功耗亦較28nm減少約50％。 此14nm客戶(hù)芯片現(xiàn)正于聯(lián)華電子臺(tái)南的Fab 12A晶圓廠生產(chǎn)中，未來(lái)將因應(yīng)客戶(hù)需求，穩(wěn)步擴(kuò)充其14nm產(chǎn)能。

聯(lián)電宣布自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)， 也宣告聯(lián)電已決定將廈門(mén)聯(lián)芯的晶圓制程推進(jìn)到28nm量產(chǎn)，搶食在大陸制造最大一塊的手機(jī)和網(wǎng)通芯片代工商機(jī)。

顏博文強(qiáng)調(diào)，14納米FinFET制程效能競(jìng)爭(zhēng)力已達(dá)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，速度比28 nm增快55%，閘密度達(dá)兩倍，而且芯片功耗也較28nm減少約50%。

因聯(lián)電28nm制程良率相當(dāng)穩(wěn)定，也是目前市場(chǎng)中端手機(jī)芯片和高端網(wǎng)絡(luò)芯片需求最迫切的制程，預(yù)料聯(lián)電將會(huì)把重心集中沖刺聯(lián)芯將制程推升至28nm，挾大陸制造，擠下強(qiáng)敵中芯，在28nm拉升市占，讓聯(lián)電搶食大陸快速崛起的芯片大餅，打通任督二脈。

聯(lián)電目前與和艦共持有聯(lián)芯50%股權(quán)，聯(lián)芯去年11月開(kāi)幕，導(dǎo)入聯(lián)電的55nm及40nm制程技術(shù)生產(chǎn)。