速成像技術(shù)是太赫茲(THz)技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域的重要研究方向之一，它在材料分析、高能物理過程分析、生物醫(yī)學(xué)成像、人體安檢等方面具有重要的應(yīng)用價值。然而低溫匹配讀出電路的缺乏，使得快速響應(yīng)光子型焦平面陣列探測器的設(shè)計十分困難，進而造成THz高速與實時成像技術(shù)的研究進展緩慢。

為解決這一難題，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員曹俊誠領(lǐng)銜的研究團隊采用分子束外延技術(shù)堆疊生長THz量子阱探測器(THzQWP)和發(fā)光二極管(LED)的方法，制備了可無像素成像的THz頻率上轉(zhuǎn)換成像芯片(THzQWP-LED，如圖1)。該芯片的峰值探測頻率為5.2 THz，等效噪聲功率達5.2pW/Hz0.5，等效成像像素為240×240。目前已完成該芯片與THz量子級聯(lián)激光器(THzQCL)聯(lián)動成像實驗，實現(xiàn)了對THzQCL光斑幾十微米量級衍射條紋的實時成像(如圖2)，并在500 ns內(nèi)完成了對THz QCL光斑的單幀高速成像(等同于兩百萬幀/s的成像速度)。相關(guān)研究成果發(fā)表在《科學(xué)報告》(Scientific Reports 6， 25383， 2016)上。

上述成像芯片的成功研制是THz高速成像技術(shù)的重要進展，對該頻段內(nèi)高速、高能物理過程、材料分析以及生物醫(yī)學(xué)成像等技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。