根據(jù) SEMI (國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)) 的最新研究數(shù)據(jù)表示，當(dāng)前中國(guó)正掀起興建晶圓廠的熱潮，預(yù)估 2017 年時(shí)，中國(guó)興建晶圓廠的支出金額將超過(guò) 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來(lái)到2018年，中國(guó)建造晶圓廠相關(guān)支出更將成長(zhǎng)至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。

SEMI 中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可望達(dá)到 7.2% 的年成長(zhǎng)率。其中，存儲(chǔ)為其中成長(zhǎng)的關(guān)鍵。而未來(lái) 5 年之內(nèi)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長(zhǎng)，到了 2020 年將逼近 4,000 億美元市場(chǎng)規(guī)模，每年的復(fù)合成長(zhǎng)率都將維持一定的水準(zhǔn)。

而以 2017 年來(lái)說(shuō)，晶圓廠的相關(guān)支出將會(huì)以晶圓代工與 3D NAND 閃存為大宗。其中，存儲(chǔ)支出達(dá) 227 億美元，晶圓代工的支出則是來(lái)到的 145 億美元。至于，在 DRAM 方面，因?yàn)榻趶S商多轉(zhuǎn)入 2X 納米制程上，并無(wú)明顯新增產(chǎn)能。預(yù)計(jì)必須來(lái)到 2018 年之后，技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn) 1X 納米制程，屆時(shí)才會(huì)有比較多的產(chǎn)能開(kāi)出。

另外，近期大家所關(guān)心的中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，曾瑞榆也指出，中國(guó)大陸地區(qū)目前是僅次于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)與日本的前 3 大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。2016 年中國(guó)大陸的晶圓廠建廠支出金額約 20 億美元，2017 年則將持續(xù)興建新晶圓廠的動(dòng)作，統(tǒng)計(jì)將有 20 座晶圓廠先后啟動(dòng)建廠，使得 2017 年中國(guó)大陸晶圓廠的建廠支出將一舉超過(guò) 40 億美元的紀(jì)錄，占全球 70% 的比例。

曾瑞榆進(jìn)一步指出，就個(gè)別廠商來(lái)觀察，2018 年之前，中國(guó)大陸企業(yè)的投資金額都將少于來(lái)自中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)及韓國(guó)等半導(dǎo)體企業(yè)的支出。但是自 2019 年之后，中國(guó)本土廠商投資金額將呈現(xiàn)跳躍式成長(zhǎng)，首度超越外商的支出金額。時(shí)至 2019 年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)能在全球占有率將由 2016 年的 12% 提升提高至 17% 的規(guī)模，逐漸提升其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地位。