日本科學技術振興機構（JST）宣布，開發(fā)出了使用生產效率高的鑄造生長爐來制造單晶硅的新方法，并且，使用基于該方法制造的單晶硅錠的太陽能電池的轉換效率達到了19.14％。通過采用使用鑄造生長爐制造的單晶硅，實現了與利用直拉單晶制造法（CZ法）制造的單晶太陽能電池為同等水平的高效率和高成品率。

　　太陽能電池用硅晶圓方面，使用鑄造生長爐制造的多晶硅與使用CZ生長爐制造的單晶硅相比，生產效率高且價格便宜，因此太陽能電池市場有60％被多晶硅占據。但多晶硅存在兩方面的問題，一是形成優(yōu)良的多晶結構時，結晶品質會變差，因此轉換效率比單晶硅低1～1.5％；二是存在殘留變形，因此結晶品質的不均勻性較大，成品率低。

　　此次開發(fā)的非接觸坩堝法（NOC法）使用用于制造多晶硅錠的鑄造生長爐，并在熔液內獨創(chuàng)性地設置了低溫區(qū)域，可在不接觸坩堝壁的情況下使單晶生長（用來形成低溫區(qū)域的獨創(chuàng)經驗并未公開）。作為生長爐內容物的石墨夾具全部在真空中長時間高溫空燒，去除了雜質。另外還通過極力減慢單晶在生長中的上升速度和旋轉速度，降低了晶體位錯及氧濃度，減少了結晶缺陷。

　　此次利用由上述方法獲得的p型單晶硅錠，從全部區(qū)域均等切割出晶圓，使用該晶圓試制了Al-BSF（鋁背場）構造的太陽能電池，結果以極高的成品率實現了最大轉換效率達到19.14％、平均轉換效率達到19.0％的高效率太陽能電池。另外還成功試制出了直徑比達到坩堝直徑90％的單晶硅錠。今后，如果能使用更大的坩堝制造大容量單晶硅錠，這項技術便有望成為太陽能電池市場的主流。