碳納米管將取代硅晶體管

IBM研究人員發(fā)明了在碳納米管上移動(dòng)電子的技術(shù)。碳納米管直徑是人類頭發(fā)的萬(wàn)分之一，導(dǎo)電能力非常強(qiáng)。IBM周四公布的突破是，它發(fā)明了一種技術(shù)，能在原子量級(jí)上把特定類型金屬與碳納米管結(jié)合，創(chuàng)建一個(gè)在不影響芯片性能的情況下在碳納米管上移動(dòng)電子所需要的極其微小的觸點(diǎn)。這是一個(gè)關(guān)鍵的突破，未來(lái)研究人員可以利用碳納米管取代硅晶體管。

　　這一研究意味著，芯片廠商可能生產(chǎn)晶體管間距接近3納米的芯片。目前，最先進(jìn)芯片晶體管間距在11-14納米，但要縮短間距越來(lái)越困難。今年早些時(shí)候，IBM高調(diào)宣布已經(jīng)生產(chǎn)出晶體管間距為7納米的芯片。

　　信息經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)是，由于芯片廠商能推出集成度不斷提高的芯片，計(jì)算和存儲(chǔ)設(shè)備的價(jià)格越來(lái)越低。正是在這一被稱作摩爾定律的發(fā)展趨勢(shì)的推動(dòng)下，計(jì)算機(jī)的計(jì)算能力和存儲(chǔ)容量有了指數(shù)級(jí)的增長(zhǎng)。

　　但是，隨著目前芯片制造工藝物理極限的臨近，計(jì)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度面臨停擺的威脅。晶體管間距小到一定程度時(shí)，會(huì)發(fā)生電子泄露現(xiàn)象。解決電子泄露問(wèn)題需要復(fù)雜和昂貴的制造工藝。

　　英特爾首席執(zhí)行官科再奇(Brian Krzanich)今年早些時(shí)候在一次投資者電話會(huì)議上表示，該公司發(fā)布新芯片的節(jié)奏將落后于摩爾定律，因?yàn)榭s短芯片上晶體管間的間距越來(lái)越困難了。這正是IBM的研究希望解決的問(wèn)題。