《電子技術(shù)應(yīng)用》
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窄帶HPM強電磁環(huán)境中控制系統(tǒng)的EMC分析和設(shè)計
2016年電子技術(shù)應(yīng)用第6期
金 暉,羅 敏,劉 忠
中國工程物理研究院應(yīng)用電子學研究所 高功率微波技術(shù)重點實驗室,四川 綿陽621900
摘要: 針對窄帶高功率微波(HPM)強電磁環(huán)境對控制系統(tǒng)的性能影響,采用理論分析和實驗測試等方法對電磁干擾(EMI)的干擾源和耦合途徑進行研究,提出控制系統(tǒng)電磁兼容性的設(shè)計方法,從電磁屏蔽、濾波和接地等方面進行分析并采取措施。實驗結(jié)果驗證了控制系統(tǒng)在屏蔽、濾波和接地等方面采取的措施,對抑制窄帶HPM源強電磁環(huán)境下的電磁干擾有效可行,控制系統(tǒng)的設(shè)計滿足HPM源的工作要求。同時窄帶HPM控制系統(tǒng)的電磁兼容性(EMC)分析和設(shè)計也為強電磁環(huán)境下儀器設(shè)備防護加固提供技術(shù)支撐。
中圖分類號: TM89
文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2016.06.021
中文引用格式: 金暉,羅敏,劉忠. 窄帶HPM強電磁環(huán)境中控制系統(tǒng)的EMC分析和設(shè)計[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2016,42(6):77-80.
英文引用格式: Jin Hui,Luo Min,Liu Zong. EMC analysis and design for control system based on narrow-band HPM source of high-power electromagnetic environment[J].Application of Electronic Technique,2016,42(6):77-80.
EMC analysis and design for control system based on narrow-band HPM source of high-power electromagnetic environment
Jin Hui,Luo Min,Liu Zong
Science and Technology on High Power Microwave Laboratory,Institute of Applied Electronics,CAEP,Mianyang 621900,China
Abstract: In allusion to the influence of narrow-band high power microwave(HPM) source electromagnetic environment on performance of control system, the interference source and coupling paths of electro magnetic interference(EMI) are researched through theoretical analysis and experimental measurements. Electro magnetic compatibility(EMC) design of the control system,electromagnetic shielding, filter and grounding are analyzed. Relevant measures are put in to practice too.These measures prove that the experiments on restraining EMI of high-power electromagnetic environment are effective and feasible.The design of control system satisfies the requirements of HPM source.Meanwhile,technical support is provided for protection on instruments and equipments in high-power electromagnetic environments.
Key words : electromagnetic compatibility;high-power electromagnetic environment;narrow-band HPM system;electromagnetic shielding;filter;grounding

0 引言

    在對高功率微波(High Power Microwave,HPM)及其相關(guān)技術(shù)研究的過程中,隨著HPM源功率的進一步提高,系統(tǒng)產(chǎn)生的微波、高壓放電、X射線、電子束強引導(dǎo)磁場等構(gòu)成復(fù)雜的強電磁環(huán)境,對于現(xiàn)場控制系統(tǒng)等工作設(shè)備的準確性、可靠性甚至安全性都構(gòu)成了威脅[1-3]。窄帶HPM系統(tǒng)是指產(chǎn)生微波脈沖輸出功率為0.1 GW~100 GW、頻率為0.3 GHz~300 GHz、百分比帶寬小于5%的微波系統(tǒng);強電磁環(huán)境指峰值電場強度超過了100 V/m,對自由空間的平面波而言,即功率密度超過了26.5 W/m2。開展窄帶HPM源強電磁環(huán)境中控制系統(tǒng)電磁兼容性(Electro Magnetic Compatibility,EMC)分析研究和設(shè)計,為解決有關(guān)電子設(shè)備在惡劣環(huán)境下的可靠性問題奠定基礎(chǔ),對于提高工作效率、確??蒲猩a(chǎn)順利進行具有重要意義。

1 窄帶HPM強電磁環(huán)境對控制系統(tǒng)的電磁干擾分析

1.1 電磁干擾對控制系統(tǒng)的性能影響

    HPM源控制系統(tǒng)主要用于實現(xiàn)接收運行參數(shù)設(shè)置和工作指令,完成現(xiàn)場HPM源及其相關(guān)設(shè)備的工作時序控制,同時返回指控系統(tǒng)各組成部分狀態(tài)信息。HPM系統(tǒng)運行過程中,儀器設(shè)備曾經(jīng)出現(xiàn)不同程度的故障現(xiàn)象。分析窄帶HPM源工作場景和過程,結(jié)合控制設(shè)備的放置和線纜敷設(shè)情況,從理論上確認可能產(chǎn)生影響的干擾源如下:

    (1)充電電源達到預(yù)定充電值時,高壓開關(guān)快速導(dǎo)通(數(shù)微秒內(nèi))過程可產(chǎn)生強電磁脈沖。

    (2)電子束源真空二極管輸出電子束,轟擊在靶上或收集極上產(chǎn)生X射線。

    (3)加速器工作時接地線瞬時電位抬高。

1.2 電磁干擾測試和分析

    電磁干擾形成具備三個基本要素:干擾源、耦合途徑及敏感設(shè)備。首先分析導(dǎo)致控制系統(tǒng)性能異常的電磁干擾源,找到主要干擾因素,然后按照傳播途徑對強電磁脈沖傳導(dǎo)耦合和空間耦合進行理論分析和實驗測試[4]。

    測試中采用LeCroy 640 Zi數(shù)字示波器進行實時采集和頻域分析。如圖1,窄帶HPM強電磁環(huán)境瞬變脈沖群干擾強度采用測量線間干擾信號的方法。選用HBVY非雙絞兩芯線(電話專用線)作為干擾接收體,鋪設(shè)在干擾源電纜附近,兩芯線間連接2 kΩ電阻(該值接近大多數(shù)監(jiān)控設(shè)備輸入等效電阻),通過示波器捕捉電阻感應(yīng)的最大干擾信號[5]

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    測量中采用高阻探頭串聯(lián)同軸固定衰減器從2 kΩ電阻接入數(shù)字示波器,同時將控制系統(tǒng)產(chǎn)生的開關(guān)觸發(fā)信號作為測量時基。在HPM源輸出電壓425 kV、輸出電流4.07 kA,即輸出功率1.73 GW時,傳導(dǎo)干擾測量波形見圖2。

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    窄帶HPM強電磁環(huán)境對控制系統(tǒng)等電子儀器設(shè)備性能的空間干擾影響范圍隨輻射天線角度成反比遞減。實際測量過程中,首先采用雙脊喇叭接收天線,通過25 m電纜(3 GHz,衰減12.525 dB)接到檢波器(測量頻率范圍1 GHz~18 GHz,測量功率范圍-6 dBm~15 dBm),再送至示波器進行觀測;測試波形顯示空間輻射的干擾波形頻率多集中在1 GHz以內(nèi),1 GHz以上的信號在實驗條件下未觀測到(HPM源全系統(tǒng)聯(lián)試時,對天線背面進行了金屬屏蔽,降低源輻射天線對控制設(shè)備的影響)。因此,采用寬帶接收天線(頻率范圍DC~1 GHz,等效電纜長度0.017 m)進一步觀測空間輻射波形,如圖3。

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    觀察并分析以上測試結(jié)果可得:窄帶HPM系統(tǒng)工作時,在其不同測量位置均可測得傳導(dǎo)干擾和空間干擾波形,其中以開關(guān)處波形幅值最大,頻域波形中幅值最大處多集中在30 MHz以內(nèi),即由于開關(guān)導(dǎo)通瞬間電路中通過的大電流影響所致;當接收干擾的線纜和發(fā)出干擾的線纜距離越近,并行距離越長,前者接收干擾的強度越大,設(shè)備工作性能越容易受到影響,與前述干擾源理論分析一致。

    綜上所述,窄帶HPM系統(tǒng)中大功率電力電子器件的頻繁開關(guān)操作等將產(chǎn)生很陡的瞬態(tài)脈沖;高功率微波經(jīng)天線輻射,其旁瓣、后瓣以及反射微波均可經(jīng)近場耦合和遠場輻射形成高頻傳導(dǎo)和輻射干擾,對電網(wǎng)設(shè)備及附近的控制系統(tǒng)等電子單元造成電磁環(huán)境污染,導(dǎo)致功能性故障或永久損壞。

2 窄帶HPM強電磁環(huán)境中控制系統(tǒng)的EMC設(shè)計

    窄帶HPM源與控制系統(tǒng)集成在設(shè)備艙內(nèi),運行現(xiàn)場產(chǎn)生的微波、高頻電磁脈沖和磁場等將以前述論及的傳導(dǎo)和空間耦合形式,經(jīng)過供電、接地、互連以及空間輻射等對控制系統(tǒng)形成電磁干擾??刂葡到y(tǒng)的EMC設(shè)計主要從屏蔽、濾波和接地[6]三方面進行考慮。

2.1 控制系統(tǒng)的電磁屏蔽

    為防止干擾源以空間耦合形式對控制系統(tǒng)形成干擾,根據(jù)控制設(shè)備功能實現(xiàn)、結(jié)構(gòu)組成和線纜敷設(shè)等特點,將其放置在電磁屏蔽機柜內(nèi)。對于大多數(shù)電子產(chǎn)品的屏蔽材料,其屏蔽效能達到30 dB 以上,方認為是有效屏蔽[7]。機柜技術(shù)指標要求為:在10 MHz~10 GHz內(nèi)屏蔽效能不小于40 dB。

    如圖4,當電磁波E垂直穿過金屬屏蔽柜體時,其屏蔽效能與柜體結(jié)構(gòu)、屏蔽材料的電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、電磁場頻率、干擾源性質(zhì)和距干擾源距離等有關(guān)。

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    金屬屏蔽柜體的屏蔽效果取決于電磁波在屏蔽體內(nèi)的吸收損耗(A)、反射損耗(R)和多次反射修正項(C)。屏蔽效能SE可表示為:

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其中A與屏蔽層的厚度和傳播常數(shù)有關(guān),R、C與傳輸系數(shù)、反射系數(shù)和波阻抗等有關(guān)。

    吸收損耗A可用相對電導(dǎo)率gr和相對磁導(dǎo)率μr近似表示為:

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式中:K1是系數(shù),當l以m為單位時,K1為131.4;f是電磁波頻率。

    反射損耗R與波阻抗、反射系數(shù)和材料等有關(guān),可由下式求出:

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式中t為屏蔽柜體的傳輸系數(shù)。

    當屏蔽柜體吸收損耗比較小時(A≤10 dB),屏蔽柜體內(nèi)第二個表面反射的能量較大。因此,屏蔽柜體的屏蔽效果還要將多次反射的能量考慮在內(nèi),即增加一個多次反射修正項C。該修正項C與屏蔽體的吸收損耗A和波阻抗等因素有關(guān)。

    經(jīng)計算和分析確定,控制系統(tǒng)的屏蔽機柜采用鍍鋅鋼板焊接或組裝成全密閉箱體,經(jīng)過鍍鋅與噴塑等防腐蝕處理;屏蔽門采用屏蔽簧片、冷軋鋼板焊接組成門扇;柜體和轉(zhuǎn)接板之間填充雙芯屏蔽絲網(wǎng),其余縫隙部位采用屏蔽絲網(wǎng);柜體內(nèi)外通信信號以光纜形式通過專用光纖波導(dǎo)管引入;屏蔽通風窗做成截止波導(dǎo)形式,波導(dǎo)窗由多個小波導(dǎo)組成波導(dǎo)束,小波導(dǎo)截面形狀為六角形,其插入衰減與屏蔽機柜指標一致。

    屏蔽機柜依據(jù)《GJB 5185-2003小屏蔽機柜屏蔽效能測試方法》進行測試,在要求的10 MHz~10 GHz頻率范圍內(nèi)屏蔽效能均不小于40 dB。

2.2 控制系統(tǒng)的濾波和接地

    控制系統(tǒng)的傳導(dǎo)干擾途徑主要有:監(jiān)控信號傳輸線纜、與上級指控系統(tǒng)的通信連接線纜、控制系統(tǒng)的電源線等。為此,在信號傳輸與指控通信連接的導(dǎo)線選擇上應(yīng)盡可能地使用光纖??刂葡到y(tǒng)采用全光纖數(shù)據(jù)接口的數(shù)字化信息傳輸網(wǎng)絡(luò):

    (1)時序觸發(fā)信號及數(shù)字開關(guān)量等經(jīng)過光電轉(zhuǎn)換處理,通過光纖連接。

    (2)HPM源輔助運行裝置與控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)通信采用RS485等標準串行總線通信方式,約定通信協(xié)議,統(tǒng)一數(shù)據(jù)接口標準,采用光纖傳輸介質(zhì)。

    (3)與指控系統(tǒng)的連接網(wǎng)絡(luò)采用光纖以太網(wǎng),完成本地控制系統(tǒng)內(nèi)外指令數(shù)據(jù)的交換。

    切斷經(jīng)信號傳輸及通信連接線纜形成的干擾途徑后,窄帶HPM源控制系統(tǒng)的濾波主要是考慮防止從電源線引入的電磁干擾。為此,設(shè)備艙內(nèi)的控制系統(tǒng)首先采用單相隔離變壓器(3 kVA/AC 220 V)提供屏蔽機柜的電源輸入,減少主電網(wǎng)電壓波動和HPM源線路串擾對測控單元的影響;同時,如圖5所示,屏蔽機柜采用電源濾波器進一步抑制經(jīng)過電源線纜引入內(nèi)部控制系統(tǒng)的干擾噪聲,其泄漏電流為mA量級,壓降小于1 V,在14 kHz~40 GHz頻率范圍內(nèi),插入損耗達到100 dB。

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    屏蔽是抑制干擾的重要方法,正確良好的接地可以幫助控制系統(tǒng)消除干擾、穩(wěn)定運行。窄帶HPM源控制系統(tǒng)中包含有多種電子線路和各種電器元部件,分為信號地線和機殼地線等,因此地線分組敷設(shè)。其中,信號地線采用“懸浮地”,與控制單元的機箱殼體分開;機箱殼體與屏蔽機柜柜體搭接,后者采用銅排線接地(屏蔽地的電阻不超過1 Ω),與大地相連形成電氣通路,為屏蔽柜體上的電荷提供一條低阻抗的泄放通路。為了將控制系統(tǒng)屏蔽機柜的“地”與HPM源的高壓地分隔開,機柜底座采用槽鋼通過預(yù)留安裝孔,經(jīng)環(huán)氧絕緣板(10 mm厚,采用玻璃纖維與環(huán)氧樹脂層壓,絕緣強度為18 kV/mm)與方艙固定,整體通過絕緣板與方艙隔斷,達到絕緣。

3 結(jié)論

    本文根據(jù)窄帶HPM源強電磁環(huán)境的特性,首先完成對導(dǎo)致控制系統(tǒng)性能異常的干擾源分析,找到主要干擾因素,然后按照傳播途徑對強電磁脈沖傳導(dǎo)耦合和空間耦合進行理論分析和實驗測試,提出控制系統(tǒng)的EMC設(shè)計??刂圃O(shè)備采用屏蔽機柜安裝,在要求的10 MHz~10 GHz頻率范圍內(nèi)屏蔽效能均不小于40 dB;控制系統(tǒng)采用全光纖數(shù)據(jù)接口的數(shù)字化信息傳輸網(wǎng)絡(luò),切斷經(jīng)信號傳輸及通信連接線纜形成的干擾途徑;采用隔離變壓器和電源濾波器等抑制經(jīng)過電源線纜引入內(nèi)部控制系統(tǒng)的干擾噪聲;控制系統(tǒng)地線分組敷設(shè)。結(jié)果驗證控制系統(tǒng)采取的措施對抑制窄帶HPM強電磁環(huán)境下的電磁干擾是有效可行的,其設(shè)計滿足HPM源工作要求。同時,窄帶HPM源控制系統(tǒng)的EMC分析和設(shè)計也為強電磁環(huán)境下有關(guān)電子設(shè)備的可靠性問題奠定了基礎(chǔ)。

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