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Qorvo® 新款GaN 50V 晶體管可 大幅提升系統(tǒng)功率性能

不斷壯大的 GaN 系列的最新成員,專門用于提升雷達(dá)、通信及航空電子等系統(tǒng)的功率性能
2016-06-02

  中國,北京 – 2016年6月2日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和QPD1015(L),專門設(shè)計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達(dá)、通信系統(tǒng)及航空電子應(yīng)用的功率性能。

  Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示:“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實現(xiàn)相位陣列雷達(dá)等先進(jìn)設(shè)備的要求,提供更高性能,同時管理好尺寸、成本和功率?!?/p>

  Qorvo的全新50V GaN晶體管系列可通過更出色的系統(tǒng)級效率大幅節(jié)省操作和系統(tǒng)成本。該系列采用小尺寸和較高阻抗輸入/輸出引線,可幫助優(yōu)化雷達(dá)、通信、航空電子、寬帶放大器和測試儀表的電路板設(shè)計。

  QPD1009和QPD1010現(xiàn)在采用低成本的3x3mm QFN塑料封裝,而QPD1008(L)和QPD1015(L)現(xiàn)在則采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的熱性能增強(qiáng)型NI-360氣腔陶瓷封裝,提供有耳式和無耳式版本。該GaN晶體管系列的工作功率水平為 10W至125W。

  Qorvo是全球領(lǐng)先的GaN RF供應(yīng)商*。自1999年起,Qorvo 就一直在推動GaN研究和創(chuàng)新,提供經(jīng)過檢驗的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產(chǎn)品。Qorvo于2014年完成了GaN on SiC計劃。公司還是唯一一家達(dá)到制造成熟度(MRL)9級的GaN供應(yīng)商。Qorvo一直推動GaN產(chǎn)品的下一代系統(tǒng)創(chuàng)新(從直流到Ka頻段),憑借其可靠性能、低成本維護(hù)和長運(yùn)行壽命,成功實現(xiàn)從工廠到現(xiàn)場的轉(zhuǎn)變。

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