眾所周知， 電力電子器件的可靠性與工作時(shí)器件的結(jié)溫度直接相關(guān)。尤其是EV/HEV中的IGBT等功率半導(dǎo)體器件，必須承受甚至高達(dá) 200^。C 的高溫，整個(gè)生命周期內(nèi)要經(jīng)歷數(shù)百萬(wàn)次的功率循環(huán)。因此，確保功率電子模塊的熱可靠性成為當(dāng)前電動(dòng)和混合動(dòng)力車(chē)（EV/HEV）設(shè)計(jì)師所面臨的關(guān)鍵任務(wù)挑戰(zhàn)。其他挑戰(zhàn)還包括：檢測(cè)由多種標(biāo)準(zhǔn)功率循環(huán)造成的 IGBT 的潛在降級(jí)，確定根本的損壞原因等。

近日，Mentor Graphics公司宣布推出全新的 MicReD? Power Tester 600A 產(chǎn)品，用于在功率循環(huán)中測(cè)試EV/HEV的功率半導(dǎo)體器件的可靠性?！皳?jù)預(yù)測(cè)，至2020年，IGBT最主要的應(yīng)用增長(zhǎng)在于EV/HEV市場(chǎng)。而Mentor Graphics具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，也是唯一一家專(zhuān)為EV/HEV市場(chǎng)提供完整熱軟件仿真和硬件測(cè)試解決方案的公司。相信我們?cè)谶@個(gè)市場(chǎng)大有可為?！盡entor Graphics公司機(jī)械分析部市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)和產(chǎn)品策略總監(jiān)Keith Hanna博士表示。

Mentor Graphics的完整熱軟件和硬件測(cè)試解決方案

借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測(cè)試功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器等)，以便檢查對(duì)完成任務(wù)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要的熱可靠性和生命周期性能。同時(shí)MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品也滿足業(yè)內(nèi)對(duì)于功率電子技術(shù)熱仿真和測(cè)試的需要，能實(shí)現(xiàn)無(wú)與倫比的精確性和可擴(kuò)展性。

Mentor Graphics提供了更好的IGBT可靠性測(cè)試流程

Mentor Graphics公司MicReD產(chǎn)品經(jīng)理機(jī)械分析部產(chǎn)品經(jīng)理Andras Vass-Varnai指出，當(dāng)下的熱可靠性測(cè)試流程存在很多不足的地方，其中最主要的兩點(diǎn)就是精確性和可擴(kuò)展性差。MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品可以在成千上萬(wàn)的循環(huán)中對(duì) IGBT 模塊進(jìn)行瞬態(tài)熱測(cè)試。這能為診斷提供“實(shí)時(shí)”失效過(guò)程數(shù)據(jù)，從而大幅縮短測(cè)試時(shí)間，也無(wú)需進(jìn)行失效后分析或破壞性失效分析。借助 MicReD T3Ster 產(chǎn)品中僅有的 Mentor 校準(zhǔn)技術(shù)，相關(guān)的三維 CFD(計(jì)算流體力學(xué))仿真誤差能從通常的 20% 降至5%，獲得 IGBT 和半導(dǎo)體器件的精準(zhǔn)熱特性。另一方面，將8 個(gè) MicReD 600A Power Testers 相鏈接，用戶能在系統(tǒng)測(cè)試中同時(shí)為128個(gè)IGBT 施加功率循環(huán)測(cè)試，滿足新興的、在實(shí)際中的 EV/HEV 功率半導(dǎo)體器件測(cè)試的最佳實(shí)踐需要。