一方面以紫光集團為代表的中國企業(yè)在全球“買買買”，另一方面國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金在國內(nèi)加快“投投投”，中國芯片產(chǎn)業(yè)的動靜越來越大。
由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、國開發(fā)展基金、湖北省科技投資集團共同投資240億美元（約合人民幣1600億元）的存儲器基 地項目2016年3月28日宣布在武漢東湖高新區(qū)落地。該項目將在武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”）的基礎上組建一家存儲器公司，以 芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，最終成為集存儲器產(chǎn)品設計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)和測試、銷售于一體的公司。
該項目提出的目標是：到2020年、 2030年存儲器芯片月產(chǎn)能分別達到30萬片、100萬片，在產(chǎn)能上進入世界前五乃至前二，與韓國三星旗鼓相當。一家半導體公司的管理者告訴記者，武漢新芯成為中國存儲器芯片產(chǎn)業(yè)基地的消息在業(yè)內(nèi)已流傳一段時間了，而且為了應對中國方面的這一布局，行業(yè)巨頭SK海力士擴充產(chǎn)能的項目已宣布將于2019年投產(chǎn)，東芝最近也推出3年擴產(chǎn)計劃，未來幾年這一領(lǐng)域很可能因為產(chǎn)能過剩掀起價格大戰(zhàn)。
有市場有資金
中國半導體行業(yè)協(xié)會一位專家接受本報記者采訪時表示，這一大手筆投資的依據(jù)是，2014年6月發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，以及“制造強國 “戰(zhàn)略第一個十年計劃——《中國制造2025》明確提出的“突破關(guān)系國家信息與網(wǎng)絡安全及電子整機產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片，提升國產(chǎn)芯片的應用適配能力” 等；而推進存儲芯片的原因則是，“存儲器是最大宗的集成電路產(chǎn)品，也是我國進口金額最大的集成電路產(chǎn)品，但目前國產(chǎn)力量在這一領(lǐng)域基本上處于空白狀態(tài)?！?/p>
公開信息顯示，武漢新芯2006年由湖北省政府和武漢市政府共同投資100億元設立，是目前我國唯一一家以存儲器為主的集成電路制造企業(yè)，湖北省科技投 資 集團是其唯一所有人。在武漢“光谷”地區(qū)，以武漢新芯為龍頭，已初步形成了涵蓋設計、制造、封裝等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈。存儲器基地項目落地以后，湖北希望在武漢 “光谷”地區(qū)打造萬億級的芯片——顯示產(chǎn)業(yè)——智能終端制造生態(tài)體系。
目前，武漢新芯主要生產(chǎn)各種類型的NOR閃存，但今后這一領(lǐng) 域的演進方向是3D NAND Flash。于是，武漢新芯在2013年通過技術(shù)交叉授權(quán)的方式，與美國Spansion公司合作，共同開發(fā) 3D NAND Flash技術(shù)。武漢新芯CBO陳少民表示，“武漢新芯在2013年取得了‘電荷捕獲’技術(shù)的共同開發(fā)、交叉授權(quán)的協(xié)議，并同時擁有了這一知識產(chǎn)權(quán)。” “電荷捕獲”技術(shù)是3D NAND Flash的重要專利，美國Spansion公司擁有該專利。武漢新芯COO洪沨也表示，通過授權(quán)合作方式，3D NAND Flash將成為中國記憶體芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車的切入點。
來自武漢新芯方面的信息顯示，240億美元將分為三個階段投資：第 一階段建立一家專注于NAND閃存生產(chǎn)的工廠；第二階段建立一家專注于DRAM芯片生產(chǎn) 的工廠；第三階段將建立起專門為供應商服務的能力。陳少民透露，“做3D NAND 需要大量合作伙伴，包括整個產(chǎn)業(yè)鏈的配套，從控制器、SSD模組到封裝測試等，武漢新芯將與更多公司合作，與合作伙伴一起把這個存儲器產(chǎn)業(yè)打造起來?！?/p>
統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，在國內(nèi)市場，NAND Flash和DRAM的采購規(guī)模達到66.7億美元、120億美元，分別占到了全球供貨量的29.1%、21.6%，需求量非常大。不過，在NAND Flash市場，主要供應商三星、東芝、東芝、SK海力士、美光占據(jù)絕大多數(shù)市場份額；在DRAM市場，三星、SK海力士、美光占據(jù)90%以上的份額；國 產(chǎn)在這些領(lǐng)域基本處于空白狀態(tài)。如此來看，武漢新芯瞄準了一個極具誘惑力的市場。
資金對武漢新芯來說也不是問題。公開數(shù)據(jù)顯示，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的總體規(guī)模已經(jīng)達到1380億元，湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)基金也有500億元的規(guī)模。而國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總經(jīng)理丁文武已經(jīng)明確，今年的重點之一就是支持存儲器發(fā)展。
無技術(shù)不長久
但前述半導體公司管理者接受本報記者采訪時認為，武漢新芯拿到240億美元投資，看上去數(shù)額很大，實際上三星、SK海力士、美光今年資本支出規(guī)劃分別達到151億美元、51億美元、38億美元，僅就投資規(guī)模而言，并未與海外巨頭拉開差距。
該人士還表示，3D NAND是一種基于堆棧技術(shù)提升芯片存儲效率的多層次存儲技術(shù)， 三星電子是該領(lǐng)域的“探路先鋒”，目前已經(jīng)實現(xiàn)48層堆疊，也是目前唯一已經(jīng)實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)的制造商；其他企業(yè)比如SK海力士、美光科技等則是“跟隨者”，也已經(jīng)發(fā)展到32~36層堆疊；武漢新芯在2015年上半年剛剛宣布在“9 層”堆疊上取得突破，技術(shù)方面并無優(yōu)勢可言。
易觀智庫一位分析師也認為，武漢新芯在存儲芯片技術(shù)方面落后同行數(shù)年，追趕尚且不易，在 起步階段就喊出趕超三星的口號實在有點“賺吆喝”的意思，應該吸取 中國臺灣地區(qū)相關(guān)產(chǎn)業(yè)投資失敗的經(jīng)驗和教訓。另外，該分析師還認為，2016年3D NAND芯片的生產(chǎn)成本已經(jīng)降到比常規(guī)NAND芯片還低的水平，而武漢新芯大概要到2018年初才能量產(chǎn)，能否抓住市場機遇也是未知。
對此，陳少民回應稱，武漢新芯與競爭對手的差距只有“一代半”，“我們有信心在三代產(chǎn)品以后趕上國際廠商”。
中國半導體行業(yè)協(xié)會專家則認為，雖然武漢新芯在技術(shù)能力方面落后三星電子、SK海力士等外資企業(yè)，但可以生產(chǎn)用于低價家電或者智能手機的產(chǎn)品，從占領(lǐng)低價市場開始，逐步擴大自己的市場占有率。
對于我國半導體產(chǎn)業(yè)究竟應該“引進仿制”還是“自主創(chuàng)新”，業(yè)內(nèi)一直是爭議不斷，前一種思路認為，普通使用的技術(shù)不存在“后門”，“引進仿制”是見效最快的做法；后一種思路認為要把核心技術(shù)掌握在自己手中，免得受制于人。
中國工程院院士倪光南認為，很多之前引進的項目現(xiàn)在看來不應該引進，因為沒有達到預期效果，有些項目甚至加劇了一些企業(yè)在中國市場的壟斷定位；由此可 見， “引進仿制”的路子在半導體產(chǎn)業(yè)是走不遠的，將引進的技術(shù)披上國產(chǎn)的“馬甲”是自欺欺人，科學技術(shù)花錢買不來，中國集成電路還是要走自主創(chuàng)新發(fā)展之路。