一方面以紫光集團(tuán)為代表的中國(guó)企業(yè)在全球“買買買”,另一方面國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金在國(guó)內(nèi)加快“投投投”,中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的動(dòng)靜越來越大。
由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、國(guó)開發(fā)展基金、湖北省科技投資集團(tuán)共同投資240億美元(約合人民幣1600億元)的存儲(chǔ)器基 地項(xiàng)目2016年3月28日宣布在武漢東湖高新區(qū)落地。該項(xiàng)目將在武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“武漢新芯”)的基礎(chǔ)上組建一家存儲(chǔ)器公司,以 芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,最終成為集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)和測(cè)試、銷售于一體的公司。
該項(xiàng)目提出的目標(biāo)是:到2020年、 2030年存儲(chǔ)器芯片月產(chǎn)能分別達(dá)到30萬片、100萬片,在產(chǎn)能上進(jìn)入世界前五乃至前二,與韓國(guó)三星旗鼓相當(dāng)。一家半導(dǎo)體公司的管理者告訴記者,武漢新芯成為中國(guó)存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)基地的消息在業(yè)內(nèi)已流傳一段時(shí)間了,而且為了應(yīng)對(duì)中國(guó)方面的這一布局,行業(yè)巨頭SK海力士擴(kuò)充產(chǎn)能的項(xiàng)目已宣布將于2019年投產(chǎn),東芝最近也推出3年擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,未來幾年這一領(lǐng)域很可能因?yàn)楫a(chǎn)能過剩掀起價(jià)格大戰(zhàn)。
有市場(chǎng)有資金
中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)一位專家接受本報(bào)記者采訪時(shí)表示,這一大手筆投資的依據(jù)是,2014年6月發(fā)布的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,以及“制造強(qiáng)國(guó) “戰(zhàn)略第一個(gè)十年計(jì)劃——《中國(guó)制造2025》明確提出的“突破關(guān)系國(guó)家信息與網(wǎng)絡(luò)安全及電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片,提升國(guó)產(chǎn)芯片的應(yīng)用適配能力” 等;而推進(jìn)存儲(chǔ)芯片的原因則是,“存儲(chǔ)器是最大宗的集成電路產(chǎn)品,也是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品,但目前國(guó)產(chǎn)力量在這一領(lǐng)域基本上處于空白狀態(tài)?!?/p>
公開信息顯示,武漢新芯2006年由湖北省政府和武漢市政府共同投資100億元設(shè)立,是目前我國(guó)唯一一家以存儲(chǔ)器為主的集成電路制造企業(yè),湖北省科技投 資 集團(tuán)是其唯一所有人。在武漢“光谷”地區(qū),以武漢新芯為龍頭,已初步形成了涵蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈。存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目落地以后,湖北希望在武漢 “光谷”地區(qū)打造萬億級(jí)的芯片——顯示產(chǎn)業(yè)——智能終端制造生態(tài)體系。
目前,武漢新芯主要生產(chǎn)各種類型的NOR閃存,但今后這一領(lǐng) 域的演進(jìn)方向是3D NAND Flash。于是,武漢新芯在2013年通過技術(shù)交叉授權(quán)的方式,與美國(guó)Spansion公司合作,共同開發(fā) 3D NAND Flash技術(shù)。武漢新芯CBO陳少民表示,“武漢新芯在2013年取得了‘電荷捕獲’技術(shù)的共同開發(fā)、交叉授權(quán)的協(xié)議,并同時(shí)擁有了這一知識(shí)產(chǎn)權(quán)?!? “電荷捕獲”技術(shù)是3D NAND Flash的重要專利,美國(guó)Spansion公司擁有該專利。武漢新芯COO洪沨也表示,通過授權(quán)合作方式,3D NAND Flash將成為中國(guó)記憶體芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車的切入點(diǎn)。
來自武漢新芯方面的信息顯示,240億美元將分為三個(gè)階段投資:第 一階段建立一家專注于NAND閃存生產(chǎn)的工廠;第二階段建立一家專注于DRAM芯片生產(chǎn) 的工廠;第三階段將建立起專門為供應(yīng)商服務(wù)的能力。陳少民透露,“做3D NAND 需要大量合作伙伴,包括整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的配套,從控制器、SSD模組到封裝測(cè)試等,武漢新芯將與更多公司合作,與合作伙伴一起把這個(gè)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)打造起來?!?/p>
統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,在國(guó)內(nèi)市場(chǎng),NAND Flash和DRAM的采購(gòu)規(guī)模達(dá)到66.7億美元、120億美元,分別占到了全球供貨量的29.1%、21.6%,需求量非常大。不過,在NAND Flash市場(chǎng),主要供應(yīng)商三星、東芝、東芝、SK海力士、美光占據(jù)絕大多數(shù)市場(chǎng)份額;在DRAM市場(chǎng),三星、SK海力士、美光占據(jù)90%以上的份額;國(guó) 產(chǎn)在這些領(lǐng)域基本處于空白狀態(tài)。如此來看,武漢新芯瞄準(zhǔn)了一個(gè)極具誘惑力的市場(chǎng)。
資金對(duì)武漢新芯來說也不是問題。公開數(shù)據(jù)顯示,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的總體規(guī)模已經(jīng)達(dá)到1380億元,湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)基金也有500億元的規(guī)模。而國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總經(jīng)理丁文武已經(jīng)明確,今年的重點(diǎn)之一就是支持存儲(chǔ)器發(fā)展。
無技術(shù)不長(zhǎng)久
但前述半導(dǎo)體公司管理者接受本報(bào)記者采訪時(shí)認(rèn)為,武漢新芯拿到240億美元投資,看上去數(shù)額很大,實(shí)際上三星、SK海力士、美光今年資本支出規(guī)劃分別達(dá)到151億美元、51億美元、38億美元,僅就投資規(guī)模而言,并未與海外巨頭拉開差距。
該人士還表示,3D NAND是一種基于堆棧技術(shù)提升芯片存儲(chǔ)效率的多層次存儲(chǔ)技術(shù), 三星電子是該領(lǐng)域的“探路先鋒”,目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)48層堆疊,也是目前唯一已經(jīng)實(shí)現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)的制造商;其他企業(yè)比如SK海力士、美光科技等則是“跟隨者”,也已經(jīng)發(fā)展到32~36層堆疊;武漢新芯在2015年上半年剛剛宣布在“9 層”堆疊上取得突破,技術(shù)方面并無優(yōu)勢(shì)可言。
易觀智庫一位分析師也認(rèn)為,武漢新芯在存儲(chǔ)芯片技術(shù)方面落后同行數(shù)年,追趕尚且不易,在 起步階段就喊出趕超三星的口號(hào)實(shí)在有點(diǎn)“賺吆喝”的意思,應(yīng)該吸取 中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)相關(guān)產(chǎn)業(yè)投資失敗的經(jīng)驗(yàn)和教訓(xùn)。另外,該分析師還認(rèn)為,2016年3D NAND芯片的生產(chǎn)成本已經(jīng)降到比常規(guī)NAND芯片還低的水平,而武漢新芯大概要到2018年初才能量產(chǎn),能否抓住市場(chǎng)機(jī)遇也是未知。
對(duì)此,陳少民回應(yīng)稱,武漢新芯與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距只有“一代半”,“我們有信心在三代產(chǎn)品以后趕上國(guó)際廠商”。
中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)專家則認(rèn)為,雖然武漢新芯在技術(shù)能力方面落后三星電子、SK海力士等外資企業(yè),但可以生產(chǎn)用于低價(jià)家電或者智能手機(jī)的產(chǎn)品,從占領(lǐng)低價(jià)市場(chǎng)開始,逐步擴(kuò)大自己的市場(chǎng)占有率。
對(duì)于我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟應(yīng)該“引進(jìn)仿制”還是“自主創(chuàng)新”,業(yè)內(nèi)一直是爭(zhēng)議不斷,前一種思路認(rèn)為,普通使用的技術(shù)不存在“后門”,“引進(jìn)仿制”是見效最快的做法;后一種思路認(rèn)為要把核心技術(shù)掌握在自己手中,免得受制于人。
中國(guó)工程院院士倪光南認(rèn)為,很多之前引進(jìn)的項(xiàng)目現(xiàn)在看來不應(yīng)該引進(jìn),因?yàn)闆]有達(dá)到預(yù)期效果,有些項(xiàng)目甚至加劇了一些企業(yè)在中國(guó)市場(chǎng)的壟斷定位;由此可 見, “引進(jìn)仿制”的路子在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是走不遠(yuǎn)的,將引進(jìn)的技術(shù)披上國(guó)產(chǎn)的“馬甲”是自欺欺人,科學(xué)技術(shù)花錢買不來,中國(guó)集成電路還是要走自主創(chuàng)新發(fā)展之路。