作為智能手機最重要的一環(huán)，SoC在16年發(fā)展方向逐漸從過去的“拼最高性能、最高主頻”向著單位性能比拼的方向中去。如何提升單位主頻下的運算性能、如何在超低功耗下提升性能才是未來SoC發(fā)展方向。正在巴塞羅那舉辦的16年MWC上，無論是LG G5、三星S7系列甚至即將發(fā)布的小米5，都采用了三星14nm FinFET工藝的高通驍龍820。究竟是怎樣一款SoC能獲得今年各家大廠的青睞？我們今天就來對這款今年的旗艦級SoC進行了解。

　　提到驍龍820的性能，我們首先就要提到此次驍龍820選用的三星14nm FinFET工藝。簡單來說更先進的工藝能夠提升單位面積下晶體管數(shù)量，提升晶體管性能，提升整體芯片性能。同時通過更先進的制程工藝也能夠達到降低漏電率降低功耗減少發(fā)熱的效果?？傮w而言更先進的制程能在相同的功耗下達到更高的性能，在相同的性能下有著更好的功耗表現(xiàn)。

　　在筆者印象中，Qualcomm有幾款頗具影響力的SoC產(chǎn)品：QSD8250、QSD8260、APQ8064、驍龍800、驍龍801、驍龍820等。其中QSD8250/8260采用自主研發(fā)Scorpion架構，驍龍800/801采用自研Krait架構，而此次驍龍820則采用最新的Kryo自研架構。

　　此次采用Kryo架構的驍龍820采用四核心設計，時鐘頻率達到2.2GHz，但有一點值得我們注意，相比于APQ8064、驍龍800、驍龍801不同，此次驍龍820采用了2*2.2GHz+2*1.5GHz的不同時鐘頻率的四顆核心設計。同時，之前驍龍800采用了4aSMP，也就是四個異步對稱式核心，每科核心均能夠單獨控制，每顆核心的頻率也不存在差異。而此次驍龍820采用兩簇核心管控2aSMP，也就是2+2的異步對稱式核心，換句話說2顆1.5GHz核心是同步同頻的，而兩顆2.2GHz也是同步同頻的，但在這兩簇核心組之間采用了異步對稱式的設計。講到這里大家可能認為驍龍820也采用了類似big.LITTLE的設計，但通過Qualcomm官方的講解其實并不是這樣，兩簇核心組僅是時鐘頻率上有所差異，但仍采用相同的Kryo架構。

　　通過圖片，我們可以看到，無論是單核性能、多核性能還是CPU整數(shù)、浮點運算方面，驍龍820都全面超越了之前的驍龍810、獵戶座7420等機型，并且已經(jīng)和蘋果A9處理器性能持平。但更加值得一提的是，驍龍820能夠在10分鐘滿符合高壓測試中保持91%以上的工作效率，并且四核核心也在10分鐘測試過程中保持2*1.5GHz+2*1.8GHz以上的高速運轉。這也說明驍龍820的確解決了漏電功耗較高的問題，能耗比大幅上升。(之前效率最高的芯片為三星Exynos7420)?？傮w而言，驍龍820采用的Kryo CPU是目前最為強大的移動處理器之一。

　　Qualcomm官方給出數(shù)據(jù)顯示，Adreno 530相比上一代Adreno 430性能提升40%，并且在功耗方面下降40%，這都得益于Adreno 530的全新架構設計。其中Qualcomm工程師也特別提到，在Adreno 530內(nèi)部內(nèi)嵌了一顆超低功耗處理器，用于檢測GPU功耗并且動態(tài)調(diào)節(jié)GPU使之處于最佳狀態(tài)，Adreno 530的最高主頻為650MHz。并且在Adreno 530上Qualcomm率先支持了最新的OpenCL 2.0和Renderscript，這也是目前首款支持OpenCL 2.0的智能手機SoC。之前只有例如Nvidia Titan等高端桌面顯卡支持該規(guī)格，這也有利于游戲設計廠商將自己的PC大作更容易的移植到智能手機/平板。

　　至于性能方面，我們也通過GFXbench進行了GPU顯示性能測試。通過對比我們可以看到，相比例如Adreno 430、Mali-T760等15年旗艦GPU還是有很大提升，基本和iPhone6s/6s Plus上的PowerVR 7XT系列GPU水平持平。通常意義上我們理解的GPU僅僅是處理UI滑動、渲染游戲場景、協(xié)助CPU進行運算。但在未來的一段時間內(nèi)，包括4K視頻、虛擬現(xiàn)實顯示、增強現(xiàn)實顯示等方面也將發(fā)揮決定性的作用。