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“助攻”電源設計 900V SiC MOSFET導通電阻創(chuàng)新低

2016-01-05

  2016年1月4日消息,CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET——C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應晶體管技術,該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案,能夠?qū)崿F(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng),并大幅降低了系統(tǒng)成本。

  C3M0065090J突破了電力設備技術,是開關模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器,以及其他工業(yè)高電壓應用等的電源管理解決方案。


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