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三星推全新芯片 未來旗艦機內(nèi)存將達6GB

2015-09-10
關鍵詞: 三星 RAM Galaxy

       9月9日消息,三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)12Gb LPDDR4 RAM芯片,該芯片采用20nm工藝制程,每個可以持有1.5GB的信息,最終能使一款智能手機擁有多達6GB的運行內(nèi)存。

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  未來旗艦將搭載6GB RAM

  據(jù)三星介紹,這款12Gb LPDDR4 RAM芯片相比之前的8Gb芯片速度提升了30%,功耗則減少了20%。

  三星表示,未來的旗艦機將能夠支持6GB RAM,允許在新系統(tǒng)中實現(xiàn)無縫多任務處理和最大性能。難道明年推出的Galaxy S7會是最先試水的旗艦設備?

  早在2014年12月,三星就是第一個生產(chǎn)8Gb(1GB)12Gb LPDDR4 RAM芯片的廠商。如今已經(jīng)發(fā)布上市的一加手機2、三星Galaxy S6 edge+和三星Note 5都配備了8Gb芯片,支持4GB運行內(nèi)存。不得不說,即使智能機業(yè)務大不如從前,但三星在芯片研發(fā)方面的技術在全球還是遙遙領先的。


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