作為全球最大的代工廠，臺積電這幾年并不是很順利，但每每展望未來總是一片光明：2016年第四季度量產(chǎn)10nm，2018投產(chǎn)7nm……那么再往后呢？就是5nm了。嗯，沒錯，越往后進步幅度就會越小，5nm之后還能不能繼續(xù)前進都是個大問題了。

       為了解決工藝提升中的各種復雜挑戰(zhàn)，半導體行業(yè)早就想出了各種各樣的高招，但因為成本太過于高昂，技術(shù)太過于復雜，一直都很難投入實用，比如說極紫外光刻(EUV)。

       根據(jù)規(guī)劃， 臺積電的10nm、7nm都會用上EUV極紫外技術(shù)，更遙遠的5nm也會如此，而且還會加入新的多重電子束技術(shù)(multipe e-beam)。

       不過，5nm還屬于長期規(guī)劃，需要解決的問題太多太多，何時投產(chǎn)尚無明確時間表，臺積電只是說會在2014-2019年間不斷研究5nm。

       業(yè)內(nèi)人士預計，10nm之后的工藝至少5年以后才能實現(xiàn)，照這么預計及時7nm也得等到2020年，而按照臺積電這幾年的拖沓表現(xiàn)，還真不好說。

       Intel也在一直研究極紫外光刻和450毫米大晶圓，但多次推遲了投產(chǎn)進度。450毫米晶圓已經(jīng)在試產(chǎn)，應該會在10nm上使用。極紫外說不定得等7nm。