碳化硅(SiC)又稱碳硅石、金剛砂、耐火砂，由美國人最先發(fā)現(xiàn)，是一種非常重要的材料，在工業(yè)、軍事等方面有諸多應(yīng)用。

　　比如，在雷達(dá)技術(shù)中，碳化硅基微波功率器件因其高頻、大功率(現(xiàn)有10倍)和耐高溫的特性，被譽(yù)為新一代雷達(dá)系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)和核心。

　　但長(zhǎng)期以來， 碳化硅基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品生產(chǎn)、加工難度大，一直是國內(nèi)空白。而像美國等掌握該技術(shù)的國際則 一直對(duì)我國進(jìn)行技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運(yùn) 。

　　現(xiàn)在，我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產(chǎn)品面世 。科技日?qǐng)?bào)稱，中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)組織的專家認(rèn)為，該成果國內(nèi)領(lǐng)先，已達(dá)到國際先進(jìn)水平 。

　　據(jù)悉，美軍干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦 的相控陣?yán)走_(dá) 已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品。

　　項(xiàng)目研發(fā)者、山東天岳公司負(fù)責(zé)人表示，4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功使我國擁有了自主可控的重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料 ，它將是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、通訊基站的核心，并將在機(jī)載雷達(dá)系統(tǒng)、地面雷達(dá)系統(tǒng)、艦載雷達(dá)系統(tǒng)以及彈載雷達(dá)系統(tǒng) 等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。