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華虹半導體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn) 助力LED照明騰飛

2015-04-22

        全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠── 華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統(tǒng)稱「集團」,股份代號:1347)今日宣布,其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經(jīng)成功實現(xiàn)量產(chǎn),良率超過98%,達到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應用,具有業(yè) 內(nèi)領(lǐng)先的低導通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點,可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前,已有多家客戶在該平臺量產(chǎn),各項指標均達到或 超過客戶要求。
        在全球節(jié)能環(huán)保的大趨勢下,LED綠色照明已經(jīng)進入快速發(fā)展期。據(jù)相關(guān)機構(gòu)統(tǒng)計,LED照明集成電路市場預期將由2013 年的7億美元增至2020年的15 億美元,年復合增長率為11.8%。尤其是,中國LED照明的市場滲透率目前僅20%-30%,可見未來市場規(guī)模巨大。華虹半導體新一代0.5微米 700V BCD工藝是基于2013年第一代1微米700V BCD工藝升級開發(fā)而成,在保持原有1P1M(1層Poly,1層Metal)最少版次12塊的低成本優(yōu)勢基礎上,進一步集成7.5V CMOS和20V/40V的中壓LDMOS以及高壓200V/300V/400V/500V/600V/650V/700V的功率LDMOS,豐富了超高 壓電壓系列選擇,以滿足不同電壓應用需求。該解決方案可為啟動電路提供差異化的結(jié)型場效應管(JFET)及高壓電阻器件,還可提供雙極器件晶體管 (VPNP/LNPN)、高精度電阻和電容、低溫度系數(shù)齊納二極管等豐富的可選器件,極大地方便客戶設計開發(fā)使用。同時該工藝解決方案優(yōu)化了高壓器件模塊 的設計規(guī)則,特別針對超高壓器件特征導通電阻進行改良,其核心的700V DMOS器件特征導通電阻達到國際領(lǐng)先水平。
        華虹半導體憑借經(jīng)驗豐富的IP設計和測試團隊,能夠向客戶提供多種高壓功率模塊IP,并且可完全根據(jù)客戶需求調(diào)整定制IP,從而降低客戶設計難度和成本,縮短產(chǎn)品開發(fā)時間,幫助客戶快速占領(lǐng)市場先機。
        華 虹半導體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示:「華虹半導體超高壓700V BCD技術(shù)迎合了節(jié)能環(huán)保熱點,此工藝平臺所支持的高壓小電流LED 照明驅(qū)動應用市場發(fā)展前景十分廣闊。我們將繼續(xù)增強應用于LED照明的先進差異化工藝技術(shù)組合,制造高性能、低成本的LED驅(qū)動IC。展望未來,我們將拓 展先進的電源管理平臺,為客戶提供一整套具成本效益的解決方案。」

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