傳統(tǒng)的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸，廠商開始轉(zhuǎn)向3D閃存，這其中三星動(dòng)作最快，去年就已經(jīng)開始量產(chǎn)第二代V-NAND閃存了，850 Pro及850 Evo硬盤也上市了。東芝/閃迪系也在跟進(jìn)，在日本擴(kuò)建Fab 2工廠準(zhǔn)備3D閃存生產(chǎn)，Intel/美光系去年底也公開了他們的3D NAND閃存，現(xiàn)在也準(zhǔn)備量產(chǎn)了。日前美光宣布投資40億美元擴(kuò)建新加坡的Fab 10晶圓廠，明年底開始量產(chǎn)第二代3D NAND閃存。

　　美光斥資40億美元升級(jí)Fab 10X晶圓廠生產(chǎn)3D NAND閃存

　　美光在新加坡現(xiàn)有Fab 10N晶圓廠，每月產(chǎn)能約為14萬(wàn)片等效晶圓，這次投資新建的是Fab 10X晶圓廠，主要生產(chǎn)第二代3D NAND閃存，建成后每月產(chǎn)能還是大約14萬(wàn)片等效晶圓，不過(guò)之后就是3D NAND閃存了，因此總產(chǎn)能更大，在未來(lái)的幾年里可支撐每年bit容量增長(zhǎng)40-50%。

　　此次投資總額約為40億美元，整個(gè)項(xiàng)目要到2017財(cái)年也就是2016年Q4季度才能完成，其中2015財(cái)年先期投資為5億美元。

　　美光的Fab 10X工廠主要是生產(chǎn)第二代的3D NAND閃存，根據(jù)Intel之前所說(shuō)，二代3D NAND閃存最高可以堆疊32層NAND，die核心容量則高達(dá)256Gb，這樣就能達(dá)到1TB容量，如果是TLC閃存，die容量則可以達(dá)到 384Gb，2mm厚度下就能實(shí)現(xiàn)1TB的容量，也就是一張SD卡的大小就有TB+的容量。

　　美光的3D NAND閃存路線圖

　　在美光的路線圖上，平面的16nm工藝之后他們就會(huì)100%專注于3D NAND閃存，2015年底首先會(huì)在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)推出3D NAND閃存的固態(tài)硬盤，不過(guò)這個(gè)應(yīng)該是第一代3D NAND的，堆疊層數(shù)為16層，比三星的V-NAND略低。