蕭家順：計量技術與半導體技術創(chuàng)新。半導體技術進入奈米等級之量測需求，面臨相當多的挑戰(zhàn)。28奈米線寬量測重復性要求控制在0.2奈米內，超出目前量測儀器能力。并且產(chǎn)品蝕刻后之深度及形貌的實時量測，亦是目前的挑戰(zhàn)。而薄膜量測已非只專注傳統(tǒng)單純二氧化硅厚度，新材料如高介電系數(shù)或低介電系數(shù)之氧化層的標準厚度及組成特性之量測標準，是目前業(yè)界急需投入的課題。另外，磊晶的標準厚度及組成特性之量測標準亦是即將面對的挑戰(zhàn)。

    　產(chǎn)品缺陷偵測，在制程進入45奈米，表面粒徑偵測能力需求在35奈米內， 面臨量測儀器能力表面粒徑偵測能力不足的問題。

    　過去工研院量測中心在二氧化硅厚度及奈米線寬標準，均成功建立可讓業(yè)界追溯之標準。在未來更加挑戰(zhàn)的奈米制程控制要求，量測技術的發(fā)展將會日益嚴峻，若業(yè)界可藉由外界的量測服務支持，或透過合作發(fā)展的模式，將會是重要的競爭優(yōu)勢。目前除線寬，二氧化硅厚度、形貌角度及缺陷標準之建立，是業(yè)界急需建立追溯之標準。

    　量測技術的發(fā)展，除了基礎的標準建立，技術咨詢的建立也是另一個課題。制程的控制除了誤差的控制，穩(wěn)定度的精進，量測方法的精進必須透過專業(yè)的研究發(fā)展達成，也涵蓋了工程及統(tǒng)計技術的支持。若能在量測中心培養(yǎng)專業(yè)的人才， 建立良好的技術咨詢，對于業(yè)界有限的資源來說，是很大的幫助。