蕭家順：計(jì)量技術(shù)與半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新。半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入奈米等級(jí)之量測(cè)需求，面臨相當(dāng)多的挑戰(zhàn)。28奈米線寬量測(cè)重復(fù)性要求控制在0.2奈米內(nèi)，超出目前量測(cè)儀器能力。并且產(chǎn)品蝕刻后之深度及形貌的實(shí)時(shí)量測(cè)，亦是目前的挑戰(zhàn)。而薄膜量測(cè)已非只專注傳統(tǒng)單純二氧化硅厚度，新材料如高介電系數(shù)或低介電系數(shù)之氧化層的標(biāo)準(zhǔn)厚度及組成特性之量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，是目前業(yè)界急需投入的課題。另外，磊晶的標(biāo)準(zhǔn)厚度及組成特性之量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)亦是即將面對(duì)的挑戰(zhàn)。

    　產(chǎn)品缺陷偵測(cè)，在制程進(jìn)入45奈米，表面粒徑偵測(cè)能力需求在35奈米內(nèi)， 面臨量測(cè)儀器能力表面粒徑偵測(cè)能力不足的問題。

    　過去工研院量測(cè)中心在二氧化硅厚度及奈米線寬標(biāo)準(zhǔn)，均成功建立可讓業(yè)界追溯之標(biāo)準(zhǔn)。在未來更加挑戰(zhàn)的奈米制程控制要求，量測(cè)技術(shù)的發(fā)展將會(huì)日益嚴(yán)峻，若業(yè)界可藉由外界的量測(cè)服務(wù)支持，或透過合作發(fā)展的模式，將會(huì)是重要的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。目前除線寬，二氧化硅厚度、形貌角度及缺陷標(biāo)準(zhǔn)之建立，是業(yè)界急需建立追溯之標(biāo)準(zhǔn)。

    　量測(cè)技術(shù)的發(fā)展，除了基礎(chǔ)的標(biāo)準(zhǔn)建立，技術(shù)咨詢的建立也是另一個(gè)課題。制程的控制除了誤差的控制，穩(wěn)定度的精進(jìn)，量測(cè)方法的精進(jìn)必須透過專業(yè)的研究發(fā)展達(dá)成，也涵蓋了工程及統(tǒng)計(jì)技術(shù)的支持。若能在量測(cè)中心培養(yǎng)專業(yè)的人才， 建立良好的技術(shù)咨詢，對(duì)于業(yè)界有限的資源來說，是很大的幫助。