世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)“新常態(tài)”
全球半導(dǎo)體業(yè)邁入“后摩爾時(shí)代”與“后PC時(shí)代”的“兩后時(shí)代”,呈現(xiàn)顯著“新常態(tài)”特征。
自上世紀(jì)40年代第一顆晶體管誕生以來(lái),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球已走過(guò)近70年的發(fā)展歷程。隨著硅基半導(dǎo)體技術(shù)日趨成熟并不斷逼近物理極限,多年來(lái)始 終遵循“摩爾定律”快速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),其發(fā)展步伐正在放緩。與此同時(shí),在應(yīng)用市場(chǎng),多年來(lái)推動(dòng)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的PC及消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品需求,正在移 動(dòng)智能終端的沖擊下疲態(tài)盡露,而PC與智能終端的此消彼長(zhǎng),對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)而言其“洗牌”作用更多于推動(dòng)作用。隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同時(shí)邁入“后摩爾時(shí)代”與 “后PC時(shí)代”這一“兩后時(shí)代”,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始呈現(xiàn)出顯著的“新常態(tài)”特征,這主要表現(xiàn)在如下三個(gè)方面:
一是產(chǎn)業(yè)規(guī)模由快速增長(zhǎng)并伴隨大幅波動(dòng),轉(zhuǎn)為低速平穩(wěn)增長(zhǎng)
縱觀全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史,“高成長(zhǎng)”與“硅周期”一直是描述產(chǎn)業(yè)特征的關(guān)鍵詞,也即全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可以用增長(zhǎng)速度快、周期性波動(dòng)大來(lái)加以概括。但通過(guò)對(duì)過(guò)去20余年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模數(shù)據(jù)變化分析我們發(fā)現(xiàn),隨著“兩后時(shí)代”的到來(lái),這兩大特征正不斷變得弱化。
1991至2000年是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速增長(zhǎng)的黃金10年。這10年間,產(chǎn)業(yè)年均增速高達(dá)15%,產(chǎn)業(yè)規(guī)模由1991年的546.07億美 元,快速增長(zhǎng)至2000年的2043.94億美元,產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴(kuò)大了近4倍。而2001至2010年則是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大起大落,劇烈調(diào)整的10年。這期間 既出現(xiàn)過(guò)2003年、2004年,以及2010年產(chǎn)業(yè)增速高達(dá)18.3%、28%乃至31.8%的好年景,也出現(xiàn)過(guò)因2001年互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂,2008 年國(guó)際金融危機(jī)導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)大幅下跌-32%、-9%這樣的壞年景。整體來(lái)看,這10年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年均增速僅為3.9%。
2011年以來(lái),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)u趨平緩,且增速進(jìn)一步放慢。2011至2014年4年間,產(chǎn)業(yè)規(guī)模微增至3331.51億美元,年均增速 只有2.8%。根據(jù)WSTS的預(yù)測(cè),2015年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速預(yù)計(jì)為3.4%,若如此,則2011年至2015年5年間產(chǎn)業(yè)年均增速僅為2.9%。預(yù) 計(jì)2016年至2020年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的年均增速將徘徊在3%左右??梢钥闯?,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)步入低速平穩(wěn)發(fā)展期。
二是產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整加速,IC設(shè)計(jì)業(yè)與晶圓代工業(yè)異軍突起
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在整體增長(zhǎng)趨緩的同時(shí),其產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整速度卻在加快,IC設(shè)計(jì)業(yè)與晶圓代工業(yè)呈現(xiàn)異軍突起之勢(shì)。自2001年以來(lái),全球IC設(shè)計(jì) 業(yè)保持了年均近20%的增長(zhǎng)速度,增速幾近10倍于產(chǎn)業(yè)整體增速,其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位也隨之快速躥升。2001年時(shí),全球前20大半導(dǎo)體企業(yè)中尚無(wú)一 家IC設(shè)計(jì)企業(yè)入圍,而到2014年,IC設(shè)計(jì)企業(yè)已經(jīng)占據(jù)全球TOP20半導(dǎo)體企業(yè)中的6席。其中,高通自2001年至今保持了年均22.3%的超高速 增長(zhǎng),其銷(xiāo)售額規(guī)模在這13年間由2001年的13.9億美元擴(kuò)大了13倍,增加至2014年的191億美元,高通也隨之迅速成為全球第四大半導(dǎo)體企業(yè)。
IC設(shè)計(jì)業(yè)的快速發(fā)展帶動(dòng)了晶圓代工業(yè)的同步發(fā)展,以臺(tái)積電為例,其銷(xiāo)售收入由2001年的39.8億美元迅速擴(kuò)大到2014年的250.88 億美元,10余年間保持了年均15.2%的高速增長(zhǎng)。臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體企業(yè)中的排名也由第10位提升至僅次于Intel和三星的第三位。此外,全球第二 大晶圓代工企業(yè)——臺(tái)聯(lián)電也同樣表現(xiàn)不俗,其銷(xiāo)售額由2011年時(shí)的19.45億美元快速增長(zhǎng)到2014年的43億美元,并已進(jìn)入全球TOP20半導(dǎo)體企 業(yè)的行列。
三是產(chǎn)業(yè)整合進(jìn)程加快,寡頭壟斷特征日益顯著
增速趨緩與波動(dòng)減小意味著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已步入成熟期。在這一大背景下,半導(dǎo)體企業(yè)間的整合重組正日益頻繁。2003年,三菱和日立兩家公司的 半導(dǎo)體部門(mén)合并成立瑞薩,當(dāng)時(shí)排名全球第三;2006年,AMD斥資54億美元收購(gòu)ATI,刷新了當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體業(yè)界收購(gòu)金額的記錄。同時(shí),飛利浦半導(dǎo)體部門(mén) 正式獨(dú)立成為NXP公司,奇夢(mèng)達(dá)自英飛凌分拆而出成為獨(dú)立公司;2009年,NEC與瑞薩合并成立新瑞薩,當(dāng)時(shí)全球排名仍為第三,該年AMD出售晶圓生產(chǎn) 線轉(zhuǎn)型為IC設(shè)計(jì)企業(yè),世界第三的晶圓代工企業(yè)Global Foundries也同期成立;2013年,美光收購(gòu)爾必達(dá)一舉成為全球第二大存儲(chǔ)器廠商,該年Avago斥資66億美元收購(gòu)LSI,再次刷新半導(dǎo)體業(yè)界 收購(gòu)金額記錄,此外,MTK與Mstar正式實(shí)現(xiàn)合并,從而成為占據(jù)全球數(shù)字電視芯片80%以上市場(chǎng)份額的絕對(duì)壟斷者。
企業(yè)間的大規(guī)模整合促使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正由自由競(jìng)爭(zhēng)逐步走向寡頭壟斷。2001年,全球前20大半導(dǎo)體企業(yè)銷(xiāo)售額占整體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售的比重為 72.4%,到2014年已提升至75.3%,2001年至2014年,全球第一名與第二十名半導(dǎo)體企業(yè)銷(xiāo)售額之間的差距也由10.7倍擴(kuò)大至12.1 倍。“馬太效應(yīng)”在全球半導(dǎo)體業(yè)界中已開(kāi)始不斷凸顯。
在半導(dǎo)體業(yè)界整合不斷推進(jìn)的同時(shí),半導(dǎo)體企業(yè)股東的變化也在不斷進(jìn)行。一方面,諸多股東選擇退出成長(zhǎng)性不足的半導(dǎo)體業(yè)務(wù),如摩托羅拉出售了持有 的全部飛思卡爾股份,西門(mén)子出售了在英飛凌中的全部股份,飛利浦先后出售全部持有的NXP及臺(tái)積電股份、新加坡淡馬錫正計(jì)劃出售星科金朋全部股份等等。另 一方面,部分企業(yè)則出于完善產(chǎn)業(yè)鏈布局的考慮,大舉進(jìn)入半導(dǎo)體業(yè)務(wù),如韓國(guó)SK斥巨資收購(gòu)海力士21%股份并成為最大股東。預(yù)計(jì)未來(lái)全球半導(dǎo)體業(yè)界的“調(diào) 倉(cāng)換股”運(yùn)動(dòng)仍將不斷上演。
中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)正步入“加速期”
中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)近10余年來(lái)的發(fā)展可用“進(jìn)展神速”形容,規(guī)模擴(kuò)張、結(jié)構(gòu)調(diào)整都取得了顯著成績(jī)。
與全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大起大落,步履趨緩不同,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)近10余年來(lái)的發(fā)展可以用“進(jìn)展神速”加以形容,無(wú)論是產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴(kuò)張還是產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào) 整都取得了顯著成績(jī)。展望未來(lái),2014年發(fā)布的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》規(guī)劃了更為恢弘的發(fā)展目標(biāo),并要求中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在如下幾個(gè)方面加速 發(fā)展,并實(shí)現(xiàn)跨越。
一是產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴(kuò)大,未來(lái)規(guī)劃還將加速發(fā)展
中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)起步于1965年,經(jīng)過(guò)許多年發(fā)展,雖然取得了諸多成績(jī),但無(wú)論是產(chǎn)業(yè)規(guī)模還是技術(shù)能力與國(guó)際強(qiáng)國(guó)都存在較大差距。截至“九 五”末,國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模為186.2億元,僅占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的1%。2000年以來(lái),在國(guó)發(fā)18號(hào)文件的鼓勵(lì)下,國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展開(kāi)始步入快 車(chē)道。“十五”期間,國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)年均增速達(dá)到30.4%,產(chǎn)業(yè)規(guī)模到2005年已擴(kuò)大至702.1億元,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中所占比重提升至 3.8%。“十一五”期間,受?chē)?guó)際金融危機(jī)影響,產(chǎn)業(yè)發(fā)展有所放緩,5年間產(chǎn)業(yè)規(guī)模年均增速回落至15.5%。2010年產(chǎn)業(yè)規(guī)模為1440.2億元,在 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中所占比重提升至7.2%。
2011年以來(lái),在國(guó)發(fā)4號(hào)文件的激勵(lì)下,國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展再次提速。預(yù)計(jì)至2015年產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到3500億元,“十二五”產(chǎn)業(yè)年均增 速也將達(dá)到19.4%。根據(jù)《推進(jìn)綱要》提出的目標(biāo),“到2020年,集成電路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小,全行業(yè)銷(xiāo)售收入年均增速超過(guò)20%”。 依此目標(biāo),則到2020年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到9000億元,在當(dāng)時(shí)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中所占比重將達(dá)到1/3強(qiáng)。屆時(shí)中國(guó)將成為全球最大的集成電路制 造國(guó)。
二是三業(yè)格局不斷優(yōu)化,但芯片制造業(yè)發(fā)展還有待提速
隨著國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,IC設(shè)計(jì)、芯片制造和封裝測(cè)試三業(yè)格局也在不斷優(yōu)化。就三業(yè)發(fā)展速度來(lái)看,“十五”、“十一五”以及“十二五”期 間,IC設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展速度始終保持領(lǐng)先,其在國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)中的龍頭地位日益凸顯。封裝測(cè)試業(yè)增長(zhǎng)平穩(wěn),且隨著國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)大規(guī)模開(kāi)展跨國(guó)收購(gòu)兼并,封裝 測(cè)試業(yè)也呈現(xiàn)出加速發(fā)展的勢(shì)頭。而對(duì)于國(guó)內(nèi)芯片制造業(yè)發(fā)展,由于項(xiàng)目投資金額大、制程技術(shù)進(jìn)步快、企業(yè)國(guó)際化競(jìng)爭(zhēng)程度高,導(dǎo)致“十一五”以來(lái)除海力士(無(wú) 錫)、INTEL(大連)、三星半導(dǎo)體(西安)等外資項(xiàng)目外,本土芯片制造企業(yè)投資寥寥無(wú)幾,這也導(dǎo)致了近10年來(lái)國(guó)內(nèi)芯片制造業(yè)增速相對(duì)較低。
從三業(yè)格局的變化來(lái)看,2001年時(shí),封裝測(cè)試業(yè)占據(jù)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)近80%的份額,而預(yù)計(jì)到2015年,IC設(shè)計(jì)、芯片制造及封裝測(cè)試三業(yè)的比例將調(diào)整為35%、27%、38%。國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)三業(yè)并舉,同步發(fā)展的格局已初步確立。
三是企業(yè)實(shí)力不斷增強(qiáng),但本土企業(yè)仍需做大做強(qiáng)
伴隨著產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)實(shí)力也在不斷增強(qiáng)。2001年國(guó)內(nèi)最大集成電路企業(yè)銷(xiāo)售額尚不足30億元,而到2013年時(shí)已增長(zhǎng)至 130億元,國(guó)內(nèi)前十大集成電路企業(yè)的進(jìn)入門(mén)檻也由2001年時(shí)的4.5億元提升至2013年的41.7億元。海思半導(dǎo)體、中芯國(guó)際、新潮科技等龍頭企業(yè) 已經(jīng)分別進(jìn)入IC設(shè)計(jì)、芯片制造以及封裝測(cè)試的國(guó)際第一梯隊(duì)。
當(dāng)然我們也應(yīng)該看到,2013年國(guó)內(nèi)10大集成電路企業(yè)中,外資企業(yè)占據(jù)了一半席位。本土集成電路企業(yè)無(wú)論是在規(guī)模上或技術(shù)水平上,都還與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)仍存在較大差距。本土企業(yè)做大做強(qiáng)仍任重而道遠(yuǎn)。
“新常態(tài)”下中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展策略建議
IC產(chǎn)業(yè)下一步發(fā)展需要突破定勢(shì)思維,走出路徑依賴(lài),走出“以正合、以奇勝”的創(chuàng)新發(fā)展道路。
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入“新常態(tài)”的外部環(huán)境下,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展,并完成《推進(jìn)綱要》所規(guī)劃的宏偉目標(biāo),難度無(wú)疑是巨大的。面對(duì) 這樣的形勢(shì),集成電路產(chǎn)業(yè)下一步發(fā)展需要突破定勢(shì)思維,走出路徑依賴(lài),走出一條“以正合、以奇勝”的創(chuàng)新發(fā)展道路。具體來(lái)說(shuō),國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)應(yīng)結(jié)合新時(shí) 期國(guó)際產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)與自身發(fā)展現(xiàn)狀,規(guī)劃新思路、實(shí)施新舉措,在發(fā)展模式、創(chuàng)新策略以及扶持舉措等方面,實(shí)現(xiàn)如下三大轉(zhuǎn)變。
一是發(fā)展模式由“引進(jìn)來(lái)”向“走出去”轉(zhuǎn)變
自改革開(kāi)放以來(lái),中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)采取了“合作引進(jìn)”的發(fā)展模式。合作方面,貝嶺與貝爾,先進(jìn)與飛利浦、華晶與上華,華虹與NEC等之間的合 作,以及引進(jìn)國(guó)際團(tuán)隊(duì)成立中芯國(guó)際、宏力、和艦科技等均是如此。引進(jìn)方面,國(guó)內(nèi)先后引進(jìn)了Intel、海力士、三星、飛思卡爾、瑞薩、美光、意法半導(dǎo)體等 諸多跨國(guó)企業(yè)來(lái)華投資設(shè)廠。目前國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)總銷(xiāo)售額中,有一半為外資企業(yè)所貢獻(xiàn)。對(duì)于這一發(fā)展模式,有學(xué)者甚至概括為“不求所有,但求所在”。
通過(guò)幾十年的合作引進(jìn),目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)形成了相對(duì)完備的產(chǎn)業(yè)體系,培育了若干骨干企業(yè)、匯聚了一批國(guó)際化人才。隨著國(guó)家明確提出“建立自主可控集 成電路產(chǎn)業(yè)體系”的發(fā)展戰(zhàn)略,國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式也應(yīng)隨之由“引進(jìn)來(lái)”轉(zhuǎn)變?yōu)?ldquo;走出去”,即背靠龐大內(nèi)需市場(chǎng),依托本土骨干企業(yè),抓住行業(yè)整合契 機(jī),變“不求所有,但求所在”為“不求所在,但求所有”,在全球范圍整合優(yōu)質(zhì)資產(chǎn),配置產(chǎn)業(yè)資源,變被動(dòng)引進(jìn)為主動(dòng)吸納,從而掌握發(fā)展主動(dòng)權(quán),增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)話 語(yǔ)權(quán)。
二是創(chuàng)新策略由“直道追趕”向“彎道超越”轉(zhuǎn)變
在技術(shù)發(fā)展上,國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)幾十年來(lái)始終沿著摩爾定律的軌跡,一個(gè)節(jié)點(diǎn)接一個(gè)節(jié)點(diǎn)苦苦追趕著國(guó)際主流。但受研發(fā)投入不足,國(guó)際技術(shù)封鎖等因 素制約,國(guó)內(nèi)集成電路技術(shù)與國(guó)際先進(jìn)水平之間的差距始終未能顯著縮小。以芯片制程工藝為例,目前國(guó)內(nèi)最高水平為45納米,而國(guó)際領(lǐng)先水平已經(jīng)達(dá)到 14/16納米,國(guó)內(nèi)外相差了3個(gè)世代節(jié)點(diǎn)。
隨著“雙后時(shí)代”的到來(lái),目前全球半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展正處于“彎道變革”的重要時(shí)點(diǎn)。一方面,隨著基于硅的制程工藝日漸逼近所謂“紅墻”(物理極 限),基于砷化鎵(GaAs),以及碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的第二、三代半導(dǎo)體技術(shù)正蓬勃興起;另一方面,“More Than Moore”(超越摩爾)正不斷深入,新型封裝、片上系統(tǒng)、嵌入式應(yīng)用、傳感器技術(shù)等新興技術(shù)層出不窮,且在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用市場(chǎng)大規(guī)模 啟動(dòng)的帶動(dòng)下呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的勢(shì)頭。正所謂“大路朝天、各走一邊”,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)若要在技術(shù)發(fā)展上實(shí)現(xiàn)趕超乃至跨越,只有抓住當(dāng)前半導(dǎo)體領(lǐng)域正在經(jīng)歷 “顛覆性創(chuàng)新”的歷史性機(jī)遇,把握趨勢(shì)、前瞻布局、另辟蹊徑、創(chuàng)新引領(lǐng),搶占微電子技術(shù)發(fā)展新的制高點(diǎn)。
三是扶持舉措由“政策推動(dòng)”向“市場(chǎng)牽引”轉(zhuǎn)變
過(guò)去10余年來(lái),以國(guó)發(fā)18號(hào)文件、新4號(hào)文件為代表的國(guó)家鼓勵(lì)政策對(duì)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展起到了至關(guān)重要的推動(dòng)作用。但隨著國(guó)內(nèi)集成電 路產(chǎn)業(yè)體量日益增大,企業(yè)日趨成熟,政策優(yōu)惠與財(cái)政補(bǔ)貼對(duì)于產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展的推動(dòng)作用正不斷減小。反之,如何消化新增產(chǎn)能,如何實(shí)現(xiàn)企業(yè)持續(xù)贏利與股東回 報(bào),已經(jīng)成為當(dāng)前國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)所要考慮的首要課題。
故此,國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)下一步發(fā)展,應(yīng)充分發(fā)揮市場(chǎng)牽引的決定性作用。一方面,應(yīng)進(jìn)一步加強(qiáng)政府對(duì)于市場(chǎng)的規(guī)范與引導(dǎo)作用,參考2009年美國(guó) 提出的“Buy American”戰(zhàn)略,在涉及國(guó)防軍工、信息安全,以及金融、電信、能源、交通等國(guó)民經(jīng)濟(jì)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域,制定明確的“Buy Chinese Chip”導(dǎo)向性意見(jiàn);另一方面,對(duì)于移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興市場(chǎng)領(lǐng)域,加快政府性示范工程建設(shè),同時(shí)在示范工程中配套應(yīng)用國(guó)產(chǎn)芯片并 加以大力推廣,為“中國(guó)芯”圓“中國(guó)夢(mèng)”創(chuàng)造有利條件。